VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SSC8164GS9 编号：C52268591

封装：SOT-723

品牌：AF(晶岳)

20+
￥0.1953
200+
￥0.1532
600+
￥0.1298
2000+
￥0.1157

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型号：CJ3139K 编号：C70022

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

数据手册

20+
￥0.2005
200+
￥0.1615
600+
￥0.1397
2000+
￥0.1267
8000+
￥0.101
16000+
￥0.0949

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型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

数据手册

20+
￥0.2302
200+
￥0.1908
600+
￥0.1689
2000+
￥0.1558
8000+
￥0.14

有货

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型号：2SC5663T2L 编号：C2837800

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高电流。低VCE(sat)，IC = 200mA / IB = 10mA时，VCE(sat)为250mV。应用：低频放大器。驱动器

数据手册

5+
￥0.4052
50+
￥0.3965
150+
￥0.3908
500+
￥0.385

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型号：SSM3J15FV,L3F 编号：C6916294

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合小封装的高密度安装。低导通电阻：RDS(ON) = -12Ω (max)(VGS = -4V)；RDS(ON) = 32Ω (max)(VGS = -2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.5066
50+
￥0.4054
150+
￥0.3548
500+
￥0.3168

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型号：MMBT2907AM3T5G 编号：C603330

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

PNP 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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5+
￥0.5408
50+
￥0.4341
150+
￥0.3807

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型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C2929215

封装：SOT-723-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻: RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。重量：1.5mg（典型值）

5+
￥1.0128
50+
￥0.7891
150+
￥0.6932

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型号：2SD2707T2LV 编号：C2857853

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高直流电流增益。高发射极-基极电压（VCBO = 12V）。低饱和电压（最大VCE(sat) = 300mV，IC / IB = 50 / 5mA）。应用：低频放大器。驱动器

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1+
￥1.1739 ￥2.73
10+
￥0.7161 ￥2.17
30+
￥0.4462 ￥1.94
100+
￥0.3772 ￥1.64
500+
￥0.345 ￥1.5
1000+
￥0.3289 ￥1.43

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型号：SSCN3904GS9 编号：C52387499

封装：SOT-723

品牌：AF(晶岳)

20+
￥0.1277
200+
￥0.1002
600+
￥0.0849
2000+
￥0.0757

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型号：TF2123G-E3-AQ3-R 编号：C84891

封装：SOT-723

品牌：UTC(友顺)

UTC TF2123使用先进的沟槽技术，提供出色的Rds(on)，低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。

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20+
￥0.1519
200+
￥0.1195
600+
￥0.1015
2000+
￥0.0907

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型号：ES3134KR 编号：C7527977

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.1889
200+
￥0.1484
600+
￥0.1259
2000+
￥0.1124
8000+
￥0.0951
16000+
￥0.0888

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型号：DTC114TM 编号：C2991953

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

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20+
￥0.1953
200+
￥0.1532
600+
￥0.1298
2000+
￥0.1157
8000+
￥0.1036
16000+
￥0.097

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型号：SI3134KA-TP 编号：C19992068

封装：SOT-723

品牌：MCC(美微科)

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20+
￥0.2251
200+
￥0.1774
600+
￥0.1509
2000+
￥0.135

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型号：HSSC2N7002K 编号：C53243975

封装：SOT-723

品牌：HUASHUO(华朔)

20+
￥0.2359
200+
￥0.1879
600+
￥0.1639

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型号：LDTC143ZM3T5G 编号：C559070

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

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20+
￥0.2415
200+
￥0.1892
600+
￥0.1601

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型号：WPM2031-3/TR 编号：C240201

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2031 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3246
100+
￥0.2866
300+
￥0.2676

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型号：LNTK3043NT5G 编号：C5201700

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：能够实现高密度PCB制造。比SC-89封装尺寸小44%，厚度薄38%。低电压驱动，适用于便携式设备。低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。低外形（< 0.5mm），便于安装在超薄环境中，如便携式电子产品。可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。这些是无铅器件。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力

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