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通用小信号放大器（50V，150mA）

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10+
￥0.2864
100+
￥0.2291
300+
￥0.2004

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型号：LNTK3043PT5G 编号：C723986

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：支持高密度PCB制造。比SC-89占用面积小44%，比SC-89薄38%。低电压驱动，适用于便携式设备。低阈值水平，VGS(TH) < 1.3V。低轮廓（< 0.5mm），可轻松适配超薄环境，如便携式电子产品。标准逻辑电平栅极驱动，便于未来使用相同基本拓扑迁移到更低电平。应用：接口。开关

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295+
￥0.847654
500+
￥0.741697
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￥0.635741

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型号：SSM3J15FV,L3F 编号：C6916294

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合小封装的高密度安装。低导通电阻：RDS(ON) = -12Ω (max)(VGS = -4V)；RDS(ON) = 32Ω (max)(VGS = -2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.5066
50+
￥0.4054
150+
￥0.3548
500+
￥0.3168

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型号：DF3A6.8LFV,L3F 编号：C1974393

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

该产品仅用于静电放电（ESD）防护。在超紧凑型封装中安装两个器件可减少零件数量并降低安装成本。

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5+
￥0.5372
50+
￥0.4211
150+
￥0.363

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型号：DTC123JM3T5G 编号：C232548

封装：SOT-723

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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5+
￥0.9014
50+
￥0.8788
150+
￥0.8637

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型号：2SD2707T2LV 编号：C2857853

封装：SOT-723

特性：高直流电流增益。高发射极-基极电压（VCBO = 12V）。低饱和电压（最大VCE(sat) = 300mV，IC / IB = 50 / 5mA）。应用：低频放大器。驱动器

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1+
￥1.365 ￥2.73
10+
￥0.868 ￥2.17
30+
￥0.582 ￥1.94
100+
￥0.492 ￥1.64
500+
￥0.45 ￥1.5
1000+
￥0.429 ￥1.43

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型号：MMBT3904M 编号：C46532127

封装：SOT-723

功耗能力达100毫瓦 | 集电极电流200毫安 | 工作与存储结温范围：-55℃ 至 +150℃ | 小型表面贴装封装 | 符合RoHS标准/绿色电磁兼容性

50+
￥0.0776
500+
￥0.0609
1500+
￥0.0516

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型号：SP2006KT7J 编号：C41355144

封装：SOT-723

小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.66A, Rdson：650mR，印字：KD

50+
￥0.468
100+
￥0.338
150+
￥0.299
240+
￥0.273
400+
￥0.228

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型号：SP2004KT7 编号：C41354945

封装：SOT-723

小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.7A, Rdson：400mR

50+
￥0.0886
500+
￥0.0685
1500+
￥0.0573
8000+
￥0.0518
24000+
￥0.046
48000+
￥0.0428

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型号：SP2004KT7J 编号：C41355136

封装：SOT-723

小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.7A, Rdson：400mR，印字：KD

50+
￥0.0886
500+
￥0.0685
1500+
￥0.0573
8000+
￥0.0518
24000+
￥0.046
48000+
￥0.0428

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型号：2SC5658-R 编号：C46532129

封装：SOT-723

小型表面贴装封装 /符合RoHS标准 / 绿色电磁兼容性

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
1500+
￥0.0832

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型号：PPL3139K 编号：C46532131

封装：SOT-723

符合无铅产品标准 | 表面贴装封装 | 低导通电阻P沟道开关 | 支持低电平逻辑门极驱动 | 具备ESD防护功能

50+
￥0.1252
500+
￥0.0982
1500+
￥0.0832

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型号：DTC044EMT2L 编号：C3589127

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得容易。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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20+
￥0.1721
200+
￥0.1333
600+
￥0.1117

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型号：DTC114TM 编号：C2991953

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

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20+
￥0.1953
200+
￥0.1532
600+
￥0.1298

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型号：DTC123YM 编号：C2991958

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

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20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139
8000+
￥0.1014
16000+
￥0.0947

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型号：DTC143EMT2L 编号：C3000090

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 4.7kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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10+
￥0.2273
100+
￥0.1774
300+
￥0.1524

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型号：2SC5663T2L 编号：C2837800

封装：SOT-723

特性：高电流。低VCE(sat)，IC = 200mA / IB = 10mA时，VCE(sat)为250mV。应用：低频放大器。驱动器

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5+
￥0.3442
50+
￥0.3356
150+
￥0.3298
500+
￥0.324

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型号：NSVMMBT2222AM3T5G 编号：C896472

封装：SOT-723

MMBT2222AM3T5G器件是我们广受欢迎的SOT - 23三引脚器件的衍生产品。它专为通用放大器应用而设计，采用SOT - 723表面贴装封装。该器件非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用

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8000+
￥0.264
16000+
￥0.2596
32000+
￥0.253
64000+
￥0.242

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型号：MMBT5401M3T5G 编号：C896291

封装：SOT-723-3

MMBT5401M3 是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用，采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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5+
￥1.0892
50+
￥1.065
150+
￥1.0488

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型号：MMBT3906T7 编号：C41355096

封装：SOT-723

PNP三极管，Vcbo=-40V，Vceo=-40V，IC 0.2A，Hfe 100~300

50+
￥0.0715
500+
￥0.0553
1500+
￥0.0463
8000+
￥0.0418
24000+
￥0.0371
48000+
￥0.0345

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型号：SSC8122GS9 编号：C19712395

封装：SOT-723

品牌：AF(晶岳)

20+
￥0.0846
200+
￥0.0827
600+
￥0.0815
2000+
￥0.0802

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型号：DTC013ZMT2L 编号：C2837803

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R1 = 1kΩ，R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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20+
￥0.1092
200+
￥0.1064
600+
￥0.1046

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型号：2N7002KM 编号：C46533397

封装：SOT-723

高密度单元设计实现低导通电阻 /电压控制型小信号开关 /小型表面贴装封装 /符合RoHS标准/绿色电磁兼容性

50+
￥0.1182
500+
￥0.0927
1500+
￥0.0785

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型号：DTA143ZMT2L 编号：C308680

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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8000+
￥0.1512
16000+
￥0.14868
32000+
￥0.1449
64000+
￥0.1386

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型号：2SC6026MFV-Y,L3F 编号：C6667943

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于通用放大器应用，具有高电压和高电流特性，VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值），hFE线性良好，hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），hFE为120至400，与2SA2154MFV互补。

10+
￥0.2121
100+
￥0.2065
300+
￥0.2028

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型号：PDTC114TM 编号：C110682

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器

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20+
￥0.2203
200+
￥0.1728
600+
￥0.1464

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型号：TF2123G-E5-AQ3-R 编号：C127046

封装：SOT-723

品牌：UTC(友顺)

UTC TF2123使用先进的沟槽技术，提供出色的Rds(on)，低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。

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20+
￥0.228
200+
￥0.1821
600+
￥0.1566

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型号：DTC114EMGT2L 编号：C559317

封装：VMT-3

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型。复杂晶体管。应用：开关电路。反相器电路

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10+
￥0.3016
100+
￥0.2415
300+
￥0.2115

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型号：DTC143ZM3T5G 编号：C896206

封装：SOT-723-3