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首页 > 热门关键词 > UDFN二极管
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背对背二极管采用专有硅雪崩技术制造。这些二极管为电子设备提供高静电放电(ESD)保护水平。TVS 可安全吸收 ±30kV(接触放电,IEC 61000-4-2)的重复静电放电冲击,而不会降低性能。此外,每个二极管都可以在极低的钳位电压下安全耗散 5A 的 8/20μs 浪涌电流(IEC 61000-4-5)。
数据手册
  • 5+

    ¥0.7294
  • 50+

    ¥0.5926
  • 150+

    ¥0.5242
  • 500+

    ¥0.4729
  • 有货
    • 5+

      ¥0.3392
    • 50+

      ¥0.3305
    • 150+

      ¥0.3248
    • 500+

      ¥0.319
  • 订货
    • 5+

      ¥0.377
    • 50+

      ¥0.3678
    • 150+

      ¥0.3616
    • 500+

      ¥0.3555
  • 订货
    • 1+

      ¥3
    • 200+

      ¥1.161
    • 500+

      ¥1.1202
    • 1000+

      ¥1.1
  • 订货
  • 这款低容2线静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4112
    • 100+

      ¥0.3267
    • 300+

      ¥0.2845
    • 3000+

      ¥0.2246
    • 6000+

      ¥0.1993
    • 9000+

      ¥0.1866
  • 有货
  • 肖特基势垒整流器采用低VF和低反向泄漏设计,采用薄型U-DFN2020-2(B型)封装。它非常适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管
    • 5+

      ¥1.1194
    • 50+

      ¥0.9084
    • 150+

      ¥0.818
    • 500+

      ¥0.7052
  • 有货
  • 特性:提供符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护:空气放电±30kV,接触放电±30kV。 单通道ESD保护。 低通道输入电容。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6229
    • 50+

      ¥0.6099
    • 150+

      ¥0.6012
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.46
  • 有货
  • 提供极低的正向导通电阻γF,在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。适用于作为旁路二极管、整流器、续流二极管或阻塞二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥3.74
    • 10+

      ¥3.06
    • 30+

      ¥2.72
  • 有货
  • 该集成浪涌保护器件专为需要瞬态过电压保护的应用而设计,适用于计算机、打印机、商用机器、通信系统等敏感设备。其集成设计仅用一个封装就能为八条独立线路提供非常有效和可靠的保护,适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.32
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥4.17
    • 100+

      ¥4.11
  • 有货
  • 封装在坚固的行业标准 U-DFN1608-2 封装中,提供非常低的正向电压降 (VF) 和出色的高温反向泄漏稳定性。适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管
    • 20000+

      ¥0.51648
    • 40000+

      ¥0.507872
    • 80000+

      ¥0.49496
    • 160000+

      ¥0.47344
    特性:提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 单通道 ESD 保护。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    • 5+

      ¥0.519
    • 50+

      ¥0.5077
    • 150+

      ¥0.5002
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 低外形DFN封装(典型厚度0.575mm),比传统SOT封装薄得多。 散热高效的DFN封装,在紧凑的2.0×2.0mm尺寸内具有500mW的功率耗散能力。 一个封装内有两个“BAV99”电路。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6939
    • 50+

      ¥1.3479
    • 150+

      ¥1.1996
  • 有货
  • 特性:低导通电阻:95mΩ @VGS =-4.5V;120mΩ @VGS =-2.5V;86mΩ (典型值) @VGS =-1.8V。 低栅极阈值电压,最大-1.3V。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 集成低 Vr 超级势垒整流器 (SBR)。 低外形,最大高度 0.5mm。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    • 5+

      ¥0.7353
    • 50+

      ¥0.7206
    • 150+

      ¥0.7108
  • 有货
  • 全桥整流电路
    数据手册
    • 1+

      ¥6.56
    • 10+

      ¥5.4
    • 30+

      ¥4.82
    • 100+

      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.71
  • 订货
  • 这些全桥肖特基势垒二极管专为无线充电的高速信号整流而设计。具有非常低的正向电压,可降低传导损耗。采用3.5×3.5×0.5mm的UDFN封装,非常适合空间受限的无线应用。
    数据手册
    • 6000+

      ¥2.10234
    • 12000+

      ¥2.0834
    • 18000+

      ¥2.04552
    这些全桥肖特基势垒二极管专为无线充电的高速信号整流而设计。具有非常低的正向电压,可降低传导损耗。采用3.0×3.0×0.5mm的UDFN封装,非常适合空间受限的无线应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.75
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.67
  • 订货
    • 1+

      ¥0.6209
    • 200+

      ¥0.2478
    • 500+

      ¥0.2395
    • 1000+

      ¥0.2354
  • 订货
  • 特性:快速开关器件 (Trr < 4ns)。 功率耗散400mW。 高稳定性和高可靠性。 低反向泄漏。应用:小信号开关。 超高速开关应用
    • 100+

      ¥0.0413
    • 1000+

      ¥0.0353
    • 6000+

      ¥0.0287
    • 12000+

      ¥0.0267
    • 48000+

      ¥0.0259
    • 102000+

      ¥0.0254
  • 有货
  • 特性:VR 20V/30V/40V。IF(AV) 1A。用于低压、高频逆变器。续流和极性保护应用。快速开关速度。应用:用于低压高频电路信号
    • 50+

      ¥0.1035
    • 500+

      ¥0.0854
    • 3000+

      ¥0.061
    • 6000+

      ¥0.055
    • 24000+

      ¥0.0526
    • 51000+

      ¥0.0509
  • 有货
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