您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > VESM二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共191411
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
N沟道,20V,0.25A,1.1Ω@4.5V
数据手册
  • 5+

    ¥0.5371
  • 50+

    ¥0.3535
  • 150+

    ¥0.2616
  • 500+

    ¥0.1927
  • 有货
  • 特性:每线100瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20µs)。保护两条线路。低钳位电压。工作电压:5V。低泄漏电流。IEC61000-4-2(ESD):空气放电 ±17kV,接触放电 ±10kV。应用:手机及配件。天线
    数据手册
    • 5+

      ¥1.08868 ¥1.2808
    • 50+

      ¥0.861645 ¥1.0137
    • 150+

      ¥0.76432 ¥0.8992
    • 500+

      ¥0.64294 ¥0.7564
    • 2500+

      ¥0.56185 ¥0.661
    • 5000+

      ¥0.52938 ¥0.6228
  • 有货
  • 特性:高线性低噪声驱动放大器。 输出压缩点:19.5 dBm @ 1.8 GHz。 适用于高达3.5 GHz的振荡器。 低噪声系数:1.1 dB @ 1.8 GHz。 集电极设计支持5 V电源电压。 无铅(符合RoHS)和无卤薄型小扁平封装,引脚可见。 提供符合AEC-Q101的认证报告
    数据手册
    • 50+

      ¥0.7425
    • 500+

      ¥0.6875
    • 1000+

      ¥0.66
    • 5000+

      ¥0.6325
    • 10000+

      ¥0.605
    应用:逆变器。接口。驱动器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1513
    • 200+

      ¥0.1189
    • 600+

      ¥0.1009
  • 有货
  • UTC TF2123使用先进的沟槽技术,提供出色的Rds(on),低栅极电荷和低栅极电压下的运行。该器件适用于电容器麦克风应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1615
    • 200+

      ¥0.1291
    • 600+

      ¥0.1111
    • 2000+

      ¥0.1003
  • 有货
    • 20+

      ¥0.2251
    • 200+

      ¥0.1774
    • 600+

      ¥0.1509
    • 2000+

      ¥0.135
    • 8000+

      ¥0.1212
  • 有货
  • MOSFET 具备快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2321
    • 200+

      ¥0.1808
    • 600+

      ¥0.1523
    • 2000+

      ¥0.1352
    • 8000+

      ¥0.1204
    • 16000+

      ¥0.1124
  • 有货
  • 快速开关速度 超低栅极电荷 高端开关 低阈值
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3151
    • 100+

      ¥0.2503
    • 300+

      ¥0.2179
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小封装(VMT3)。 低电压驱动(2.5V驱动)。应用:开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3546 ¥0.788
    • 50+

      ¥0.28377 ¥0.6306
    • 150+

      ¥0.24831 ¥0.5518
    • 500+

      ¥0.22176 ¥0.4928
    • 2500+

      ¥0.200475 ¥0.4455
    • 5000+

      ¥0.189855 ¥0.4219
  • 有货
  • MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1532
    • 200+

      ¥0.1175
    • 600+

      ¥0.0977
    • 2000+

      ¥0.0859
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1935
    • 200+

      ¥0.1525
    • 600+

      ¥0.1297
  • 有货
  • YJL3139KT-F1-0100HF
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2608
    • 200+

      ¥0.2096
    • 600+

      ¥0.1811
  • 有货
  • PNP 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用,采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.2975
    • 50+

      ¥0.2913
    • 150+

      ¥0.2872
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小封装(VMT3)。 超低电压驱动(0.9V驱动)。应用:开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3893
    • 100+

      ¥0.3124
    • 300+

      ¥0.2739
    • 1000+

      ¥0.2451
  • 有货
  • 此 NPN 晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装,适用于电路板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.0491
    • 10+

      ¥0.8234
    • 30+

      ¥0.7266
  • 有货
  • 功耗能力达100毫瓦 | 集电极电流200毫安 | 工作与存储结温范围:-55℃ 至 +150℃ | 小型表面贴装封装 | 符合RoHS标准/绿色电磁兼容性
    • 50+

      ¥0.0776
    • 500+

      ¥0.0609
    • 1500+

      ¥0.0516
  • 有货
  • 特性:通用型。 互补PNP类型。应用:通用小信号放大器
    数据手册
    • 25+

      ¥0.357228
    • 150+

      ¥0.285786
    • 600+

      ¥0.197842
    • 2000+

      ¥0.160037
    小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:20V,电流:0.75A, Rdson:250mR
    • 50+

      ¥0.0929
    • 500+

      ¥0.0718
    • 1500+

      ¥0.0601
    • 8000+

      ¥0.0543
    • 24000+

      ¥0.0482
    • 48000+

      ¥0.0449
  • 订货
  • 符合无铅产品标准 | 表面贴装封装 | 低导通电阻N沟道开关 | 支持低电平逻辑门极驱动
    • 50+

      ¥0.1252
    • 500+

      ¥0.0982
    • 1500+

      ¥0.0832
  • 有货
  • 小型表面贴装封装 /符合RoHS标准 / 绿色电磁兼容性
    • 50+

      ¥0.1252
    • 500+

      ¥0.0982
    • 1500+

      ¥0.0832
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1311
    • 200+

      ¥0.1282
    • 600+

      ¥0.1263
  • 有货
  • 外延平面芯片结构 | 工作与存储结温范围:-55℃ 至 +150℃ | 小型表面贴装封装 | 符合RoHS标准/绿色电磁兼容性
    • 20+

      ¥0.1625
    • 200+

      ¥0.1274
    • 600+

      ¥0.108
    • 2000+

      ¥0.0963
    • 8000+

      ¥0.0862
  • 有货
  • 外延平面芯片结构 | 工作与存储结温范围:-55℃ 至 +150℃ | 小型表面贴装封装 | 符合RoHS标准
    • 20+

      ¥0.1625
    • 200+

      ¥0.1274
    • 600+

      ¥0.108
    • 2000+

      ¥0.0963
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1953
    • 200+

      ¥0.1532
    • 600+

      ¥0.1298
    • 2000+

      ¥0.1157
  • 有货
  • N沟,40V,180mA,7.5Ω@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2216
    • 200+

      ¥0.1763
    • 600+

      ¥0.1511
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2244
    • 200+

      ¥0.1758
    • 600+

      ¥0.1488
    • 2000+

      ¥0.1326
    • 8000+

      ¥0.1041
    • 16000+

      ¥0.0965
  • 订货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 2000+

      ¥0.1335
    • 8000+

      ¥0.1195
    • 16000+

      ¥0.1119
  • 订货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2548
    • 100+

      ¥0.203
    • 300+

      ¥0.1771
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V,ID = -0.66A。 RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5V。 支持高密度PCB制造。 低电压驱动,适用于便携式设备。 先进的沟槽工艺技术。 ESD保护
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2765
    • 100+

      ¥0.2189
    • 300+

      ¥0.1901
    • 1000+

      ¥0.1685
    • 5000+

      ¥0.1441
    • 8000+

      ¥0.1354
  • 有货
  • 通用小信号放大器(50V,150mA)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2864
    • 100+

      ¥0.2291
    • 300+

      ¥0.2004
  • 有货
  • 立创商城为您提供VESM二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买VESM二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content