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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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描述
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NPN数字晶体管
型号：DTC143ZM 编号：C46821613
封装：SOT-723
品牌：POPPULA(宝浦莱)
外延平面芯片结构 /工作与存储结温范围：-55℃ 至 150℃ /符合RoHS标准 / 绿色电磁兼容性 / 内置偏置电阻

  • 20+

    ￥0.1577

  • 200+

    ￥0.1237

  • 600+

    ￥0.1048

  • 2000+

    ￥0.0935
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
    型号：PNM723T201E0 编号：C110712
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    N沟,20V,1A,0.2Ω@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1253

    • 600+

      ￥0.1067

    • 2000+

      ￥0.0955
  • 有货
    • 立即购买
    NPN晶体管
    型号：DTC143ZM 编号：C42375091
    封装：SOT-723
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：低外形封装。适合自动贴装。与DTA143ZM（PNP）互补。功耗为150mW。高稳定性和高可靠性。符合RoHS标准。应用：放大信号。电子开关

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042

    • 2000+

      ￥0.0925

    • 8000+

      ￥0.0824

    • 16000+

      ￥0.0769
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型，100mA、50V数字晶体管
    型号：DTC114EMT2L 编号：C308685
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1643

    • 200+

      ￥0.1265

    • 600+

      ￥0.1055
  • 有货
    • 立即购买
    PNM723T201E0
    型号：PNM723T201E0 编号：C53432978
    封装：SOT-723
    品牌：YTL(亚特联)

    • 20+

      ￥0.1695

    • 200+

      ￥0.1317

    • 600+

      ￥0.1107

    • 2000+

      ￥0.0981

    • 10000+

      ￥0.0871
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:600mA
    型号：WST2002 编号：C5772620
    封装：SOT-723
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST2002是一款具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WST2002符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.6186

    • 50+

      ￥0.489

    • 150+

      ￥0.4242

    • 500+

      ￥0.3756

    • 2500+

      ￥0.3367

    • 6000+

      ￥0.3173
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:200mA
    型号：RSM002P03T2L 编号：C510346
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低导通电阻。 小封装（VMT3）。 4V驱动。 无铅/符合RoHS标准。应用：开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9499

    • 50+

      ￥0.7168

    • 150+

      ￥0.6003

    • 500+

      ￥0.5128
  • 有货
    • 立即购买
    LC2121K
    型号：LC2121K 编号：C53432972
    封装：SOT-723
    品牌：YTL(亚特联)

    • 20+

      ￥0.1695

    • 200+

      ￥0.1317

    • 600+

      ￥0.1107

    • 2000+

      ￥0.0981

    • 8000+

      ￥0.0871
  • 有货
    • 立即购买
    LC2122K
    型号：LC2122K 编号：C53432973
    封装：SOT-723
    品牌：YTL(亚特联)

    • 20+

      ￥0.1695

    • 200+

      ￥0.1317

    • 600+

      ￥0.1107

    • 2000+

      ￥0.0981

    • 8000+

      ￥0.0871
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SA2029 编号：C2875435
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：出色的hFE线性度。 与2SC5658互补
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1982

    • 200+

      ￥0.155

    • 600+

      ￥0.131
  • 有货
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTC123JM 编号：C2975826
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.254

    • 100+

      ￥0.2021

    • 300+

      ￥0.1762

    • 1000+

      ￥0.1568
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：WNM2030-3/TR 编号：C239769
    封装：SOT-723
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2030是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3245

    • 200+

      ￥0.2667

    • 600+

      ￥0.2249
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.2A
    型号：RTM002P02T2L 编号：C2766164
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低导通电阻。 小封装（VMT3）。 2.5V驱动。应用：开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3531

    • 50+

      ￥0.3071

    • 150+

      ￥0.2841

    • 500+

      ￥0.2668

    • 2500+

      ￥0.253

    • 5000+

      ￥0.2461
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：RYM002N05GT2CL 编号：C2941617
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：高速开关。 小封装（VMT3）。 超低电压驱动（0.9V驱动）。应用：开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3893

    • 100+

      ￥0.3124

    • 300+

      ￥0.2739
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:20V 电流:250mA
    型号：SSM3K35AMFV,L3F 编号：C150155
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    N沟道,20V,0.25A,1.1Ω@4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5371

    • 50+

      ￥0.3535

    • 150+

      ￥0.2616
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 5V截止
    型号：ULC0502M3Q 编号：C5272747
    封装：SOT-723
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：每线100瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20µs）。保护两条线路。低钳位电压。工作电压：5V。低泄漏电流。IEC61000-4-2（ESD）：空气放电 ±17kV，接触放电 ±10kV。应用：手机及配件。天线
    数据手册

    • 5+

      ￥1.09225 ￥1.285

    • 50+

      ￥0.865215 ￥1.0179

    • 150+

      ￥0.76789 ￥0.9034

    • 500+

      ￥0.64651 ￥0.7606

    • 2500+

      ￥0.59245 ￥0.697

    • 5000+

      ￥0.55998 ￥0.6588
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：RC3134KM3 编号：C5137092
    封装：SOT-723
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1343

    • 200+

      ￥0.1046

    • 600+

      ￥0.0881

    • 2000+

      ￥0.0782

    • 8000+

      ￥0.0674

    • 16000+

      ￥0.0627
  • 订货
    • 我要订货
    50V 100mA
    型号：LTC043ZMFS8T2L 编号：C236129
    封装：VMT-3
    品牌：ROHM(罗姆)
    应用：逆变器。接口。驱动器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1513

    • 200+

      ￥0.1189

    • 600+

      ￥0.1009

    • 2000+

      ￥0.0901

    • 8000+

      ￥0.0693

    • 16000+

      ￥0.0642
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：PNM723T30V01 编号：C169330
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    PNM723T30V01专为高速开关应用而设计。该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1955

    • 200+

      ￥0.1523

    • 600+

      ￥0.1283

    • 2000+

      ￥0.1139
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型，100mA、50V数字晶体管
    型号：DTC043TMT2L 编号：C2941609
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R₁ = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得容易。 互补PNP类型：DTA043T系列。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2067

    • 200+

      ￥0.1673

    • 600+

      ￥0.1454
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
    型号：RSM002N06T2L 编号：C510345
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：高速开关。 小封装（VMT3）。 低电压驱动（2.5V驱动）。应用：开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.2364 ￥0.788

    • 50+

      ￥0.12612 ￥0.6306

    • 150+

      ￥0.05518 ￥0.5518

    • 500+

      ￥0.04928 ￥0.4928

    • 2500+

      ￥0.04455 ￥0.4455

    • 5000+

      ￥0.04219 ￥0.4219
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 50V 100mA
    型号：NSVDTC123JM3T5G 编号：C896465
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，减少了系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.25011 ￥0.7146

    • 50+

      ￥0.14295 ￥0.5718

    • 150+

      ￥0.07506 ￥0.5004

    • 500+

      ￥0.067035 ￥0.4469

    • 2500+

      ￥0.0606 ￥0.404

    • 5000+

      ￥0.05739 ￥0.3826
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.77A
    型号：HSSC3134 编号：C700949
    封装：SOT-723
    品牌：HUASHUO(华朔)
    快速开关速度 超低栅极电荷 高端开关 低阈值
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3151

    • 100+

      ￥0.2503

    • 300+

      ￥0.2179
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC856BM3T5G 编号：C327477
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5077

    • 100+

      ￥0.4029

    • 300+

      ￥0.3505
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：DTC114EM3T5G 编号：C463449
    封装：SOT-723-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9736

    • 50+

      ￥0.7686

    • 150+

      ￥0.6807

    • 500+

      ￥0.5711
  • 有货
    • 立即购买
    PNP型，-100mA、-50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTA014EMT2L 编号：C5157676
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0936

    • 200+

      ￥0.0912

    • 600+

      ￥0.0896

    • 2000+

      ￥0.088
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：PDTC143ZM 编号：C110684
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：反相器接口驱动器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1332

    • 200+

      ￥0.1051

    • 600+

      ￥0.0895
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:660mA
    型号：SI3139KA-TP 编号：C5917657
    封装：SOT-723
    品牌：MCC(美微科)

    • 20+

      ￥0.1426

    • 200+

      ￥0.1124

    • 600+

      ￥0.0956

    • 2000+

      ￥0.0855

    • 8000+

      ￥0.0768
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET
    型号：PPM723T201E0 编号：C918822
    封装：SOT-723
    品牌：Prisemi(芯导)
    MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。
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    SSC8122GS9
    型号：SSC8122GS9 编号：C19712395
    封装：SOT-723
    品牌：AF(晶岳)

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