QFN二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-16-EP(4x4)

是一款双理想二极管桥控制器，使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管，简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥，消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同，该控制器可在瞬变期间运行，而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。

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1+
￥25.7703 ￥27.71
10+
￥24.5706 ￥26.42
30+
￥21.7155 ￥23.35
100+
￥20.9901 ￥22.57
500+
￥20.6553 ￥22.21
1000+
￥20.5065 ￥22.05

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型号：MP9989GV-Z 编号：C3233157

封装：QFN-8(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP9989 是一款用于反激式转换器的快速关断智能整流器，集成了一个 100V 的 MOSFET。它可以替代二极管整流器，以提高效率和功率密度。该芯片将内部功率开关的正向压降调节至 40mV，并在漏源电压反转之前关断

1+
￥25.3968
100+
￥18.0235
500+
￥14.8284

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型号：LT4321IUF#PBF 编号：C580182

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4321是一款双理想二极管电桥控制器，可使以太网供电（PoE）受电设备（PD）通过RJ - 45数据对、备用线对或两者同时接收任意极性的电压供电。LT4321与八个N沟道MOSFET可替代无源PoE整流桥中的八个二极管。LT4321简化了热设计并提高了供电功率

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1+
￥32.12 ￥36.5
10+
￥27.7552 ￥31.54
30+
￥25.0976 ￥28.52
100+
￥22.8712 ￥25.99

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型号：LTC4066EUF#PBF 编号：C687224

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

用于便携式电池供电应用，控制USB外设用于操作和电池充电的总电流，总输入电流可限制为100mA、500mA或“无限制”（即高于2A）。包括用于单节锂离子电池的独立恒流/恒压线性充电器，施加到电池的浮动电压保持在±0.8%的公差范围内，充电电流可通过连接到地的外部电阻进行编程。可编程的充电结束状态输出（CHRG）指示充满电。可通过模拟输出（ISTAT）监控BAT引脚的充电和放电电流

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单价：
￥48.0576 / 个￥50.06 / 个

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型号：LTC4229IUFD#PBF 编号：C687609

封装：QFN-24(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

提供理想二极管和热插拔功能，通过控制两个外部N沟道MOSFET实现。MOSFET作为理想二极管取代高功率肖特基二极管及其相关散热器，节省功率和电路板面积。热插拔MOSFET控制允许通过限制浪涌电流将电路板安全地插入和移除带电背板。电源输出还通过快速作用的折返电流限制和电子断路器来防止短路故障。调节外部MOSFET上的正向电压降，以确保在二极管或应用中实现平稳的电流传输。理想二极管快速导通，以减少电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供可调启动延迟、欠压和过压保护，并报告电源的故障和电源良好状态。可以配置为故障后锁存关闭或自动重试。

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1+
￥56.1442 ￥57.29
10+
￥54.1744 ￥55.28

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型号：PD70224ILQ-TR 编号：C2653611

封装：QFN-40(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是双封装的基于MOSFET的全桥整流器。它包含低RDS 0.16 Ω的N沟道MOSFET，可实现更高的整体效率和更高的输出功率，特别是在以太网供电 (PoE) 应用的受电设备中使用时。用于驱动MOSFET的整个驱动电路都集成在芯片上，包括用于驱动高端N沟道MOSFET的电荷泵。与典型正向压降为2000 mV的标准桥式整流器相比，IdealBridge™整流器引入的总正向压降（电桥偏移）在0.6 A时仅为192 mV

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1+
￥36.97
10+
￥31.55
30+
￥28.24

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型号：LT4321HUF#TRPBF 编号：C672475

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款双理想二极管桥控制器，使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管，简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥，消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同，该控制器可在瞬变期间运行，而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。

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1+
￥56.69
10+
￥48.9
30+
￥44.16

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型号：LTC4227IUFD-2#PBF 编号：C687581

封装：QFN-20(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥114.08
10+
￥110.54

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型号：LTC4236IUFD-2#PBF 编号：C687675

封装：QFN-28(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥142.6
10+
￥138.13

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型号：CLA4609-086LF 编号：C5573492

封装：QFN-3(2x2)

品牌：SKYWORKS

1+
￥25.3
10+
￥24.75
30+
￥24.38

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型号：SMP1331-085LF 编号：C5900841

封装：QFN-3(2x2)

品牌：SKYWORKS

1+
￥13.65
10+
￥13.33
30+
￥13.11
100+
￥12.9

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型号：SMP1324-087LF 编号：C5924589

封装：QFN-2(2x2)

品牌：SKYWORKS

是一种表面贴装PIN二极管，适用于射频开关或衰减器电路。50 mA时的最大电阻为0.45Ω，30V时的最大电容为1.5 pF。低电容、低寄生电感和标称100μm的i区宽度的结合，使其可用于大信号开关和衰减器应用。该器件的耗散功率额定值为1W，使其能够在串联发射/接收（T/R）开关中处理高达55W的连续波（CW）和550W的峰值功率（1μs脉冲，1%占空比）。