VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SK3541 编号：C41349574

封装：SOT-723

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.1A, Rdson：2000mR

50+
￥0.10317 ￥0.1086
500+
￥0.0798 ￥0.084
1500+
￥0.066785 ￥0.0703
8000+
￥0.06023 ￥0.0634
24000+
￥0.053485 ￥0.0563
48000+
￥0.049875 ￥0.0525

有货

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型号：MMBT3904M 编号：C7529040

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

特性：能够承受100mW的功率耗散和200mA的集电极电流。工作和储存结温范围：-55℃至150℃。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC

50+
￥0.1045 ￥0.11
500+
￥0.081415 ￥0.0857
1500+
￥0.06859 ￥0.0722
8000+
￥0.060895 ￥0.0641
24000+
￥0.054245 ￥0.0571
48000+
￥0.050635 ￥0.0533

有货

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型号：BSS84KT7 编号：C41354936

封装：SOT-723

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR

50+
￥0.1099
500+
￥0.0853
1500+
￥0.0716

有货

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型号：PNT723T503E0-2 编号：C110720

封装：SOT-723

品牌：Prisemi(芯导)

特性：该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。集电极：3个。封装：SOT-723。发射极-基极击穿电压：11V。高直流电流增益，典型值380。低饱和电压：80mV。连续集电极电流：0.15A。 NPN开关晶体管

数据手册

20+
￥0.1483
200+
￥0.1159
600+
￥0.0979
2000+
￥0.0871
10000+
￥0.0778

有货

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型号：2N7002KCT 编号：C20599364

封装：SOT-723

品牌：YANGJIE(扬杰)

沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

20+
￥0.1529
200+
￥0.1218
600+
￥0.1045
2000+
￥0.0941

有货

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型号：2SC5658 编号：C7528890

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 直流电流增益(hFEIc,Vce)：120@1mA,6V

20+
￥0.162545 ￥0.1711
200+
￥0.126635 ￥0.1333
600+
￥0.106685 ￥0.1123
2000+
￥0.094715 ￥0.0997
8000+
￥0.084265 ￥0.0887
16000+
￥0.078755 ￥0.0829

有货

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型号：DTC023JMT2L 编号：C5157675

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 2.2kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关状态，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.1885
200+
￥0.1485
600+
￥0.1263
2000+
￥0.113

有货

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型号：HRUM002N02T2L 编号：C22461928

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道MOSFET，设计精巧，耐压高达20V，可承载1.2A电流，展现优异功率管理。内阻最大仅260mΩ，保证低能耗高效率，是追求精细控制与稳定输出的电子设计中，不可或缺的高性能元件。

20+
￥0.202308 ￥0.2199
200+
￥0.157596 ￥0.1713
600+
￥0.132756 ￥0.1443
2000+
￥0.117852 ￥0.1281
8000+
￥0.104972 ￥0.1141
16000+
￥0.09798 ￥0.1065

有货

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型号：H3139K 编号：C20616300

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

负载/电源开关放大电路高频通信设备接口，逻辑交换超小型便携式电子产品的电池管理

20+
￥0.2128
200+
￥0.1669
600+
￥0.1414
2000+
￥0.1261
8000+
￥0.1077
16000+
￥0.1006

有货

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型号：MS2N7002M3 编号：C2836341

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

2N7002M3T5G

数据手册

20+
￥0.21357 ￥0.2373
200+
￥0.17037 ￥0.1893
600+
￥0.14877 ￥0.1653
2000+
￥0.13257 ￥0.1473
8000+
￥0.10818 ￥0.1202
16000+
￥0.1017 ￥0.113

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型号：L2N7002M3T5G 编号：C172394

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

N沟道,60V,115mA,7.5Ω@10V

数据手册

20+
￥0.2152
200+
￥0.1725
600+
￥0.1488
2000+
￥0.1345

有货

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型号：DTC114TMT2L 编号：C2889117

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2419
200+
￥0.1906
600+
￥0.1621
2000+
￥0.145

有货

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型号：TPM05K20CX 编号：C5307996

封装：SOT-723

品牌：晶扬电子

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

10+
￥0.290346 ￥0.3122
100+
￥0.232314 ￥0.2498
300+
￥0.203298 ￥0.2186
1000+
￥0.181536 ￥0.1952
5000+
￥0.150846 ￥0.1622
8000+
￥0.142104 ￥0.1528

有货

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型号：SZUESD3.3DT5G 编号：C896625

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

旨在保护对电压敏感的组件免受ESD影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。由于其尺寸小，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.3115
50+
￥1.1566
150+
￥1.0902
500+
￥1.0074
2500+
￥0.9705

有货

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型号：SL3139K 编号：C2943026

封装：SOT-723-3

品牌：Slkor(萨科微)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻 (RDS(on)) 的P沟道开关。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.07812 ￥0.1953
200+
￥0.06128 ￥0.1532
600+
￥0.05192 ￥0.1298
2000+
￥0.04628 ￥0.1157
8000+
￥0.0352 ￥0.088
16000+
￥0.03256 ￥0.0814

有货

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型号：AD-DTC143TM 编号：C2975828

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.119756 ￥0.2548
100+
￥0.07511 ￥0.203
300+
￥0.047817 ￥0.1771
1000+
￥0.042552 ￥0.1576
5000+
￥0.038367 ￥0.1421
8000+
￥0.036261 ￥0.1343

有货

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型号：AD-DTA114YM 编号：C2975813

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，可实现输入的正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

数据手册

10+
￥0.122304 ￥0.2548
100+
￥0.07714 ￥0.203
300+
￥0.049588 ￥0.1771
1000+
￥0.044128 ￥0.1576
5000+
￥0.039788 ￥0.1421
8000+
￥0.037604 ￥0.1343

有货

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型号：BC846BM3 编号：C7528934

封装：SOT-723

品牌：AM(安美)

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
2000+
￥0.0854
8000+
￥0.0761
16000+
￥0.071

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型号：DTC114EM 编号：C2910282

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

数据手册

20+
￥0.1568
200+
￥0.1239
600+
￥0.1056
2000+
￥0.0946

有货

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型号：DTC114EMT2L 编号：C308685

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2247
200+
￥0.173
600+
￥0.1443
2000+
￥0.1271

有货

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型号：LDTC143ZM3T5G 编号：C559070

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

20+
￥0.2415
200+
￥0.1892
600+
￥0.1601
2000+
￥0.1426

有货

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型号：TPDTC115EM3T5G 编号：C52817221

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

10+
￥0.2493
100+
￥0.1965
300+
￥0.1701

有货

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型号：YJL3139KAT 编号：C20605876

封装：SOT-723

品牌：YANGJIE(扬杰)

Trench Power LV MOSFET技术。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤

10+
￥0.268
100+
￥0.2167
300+
￥0.1911
1000+
￥0.1719
5000+
￥0.1565

有货

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型号：SSM3K56MFV,L3F 编号：C146288

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (max) (VGS = 4.5 V)。 -RDS(ON) = 300 mΩ (max) (VGS = 2.5 V)。 -RDS(ON) = 480 mΩ (max) (VGS = 1.8 V)。 -RDS(ON) = 840 mΩ (max) (VGS = 1.5 V)。应用：高速开关

数据手册

5+
￥0.409392 ￥0.5686
50+
￥0.362664 ￥0.5037
150+
￥0.339264 ￥0.4712
500+
￥0.321696 ￥0.4468
2500+
￥0.307728 ￥0.4274
5000+
￥0.300672 ￥0.4176

有货

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型号：SSM3K36MFV,L3F(T,LCFC 编号：C396061

封装：VESM

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻：Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)

数据手册