您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > VESM二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共192724
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
小电流MOSFET产品,N沟道,ESD防护,耐压:20V,电流:0.75A, Rdson:250mR
  • 50+

    ¥0.08626 ¥0.0908
  • 500+

    ¥0.068305 ¥0.0719
  • 1500+

    ¥0.05833 ¥0.0614
  • 8000+

    ¥0.053295 ¥0.0561
  • 24000+

    ¥0.04807 ¥0.0506
  • 48000+

    ¥0.045315 ¥0.0477
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD保护2KV HBM
    • 20+

      ¥0.09948 ¥0.1658
    • 200+

      ¥0.07878 ¥0.1313
    • 600+

      ¥0.06726 ¥0.1121
    • 2000+

      ¥0.0603 ¥0.1005
    • 8000+

      ¥0.0543 ¥0.0905
    • 16000+

      ¥0.05112 ¥0.0852
  • 有货
  • 特性:能够承受100mW的功率耗散和200mA的集电极电流。 工作和储存结温范围:-55℃至150℃。 小外形表面贴装封装。 符合RoHS标准/环保EMC
    • 50+

      ¥0.1045 ¥0.11
    • 500+

      ¥0.081415 ¥0.0857
    • 1500+

      ¥0.06859 ¥0.0722
    • 8000+

      ¥0.060895 ¥0.0641
    • 24000+

      ¥0.054245 ¥0.0571
    • 48000+

      ¥0.050635 ¥0.0533
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD防护高达2KV(HBM)。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
    • 20+

      ¥0.1466
    • 200+

      ¥0.1142
    • 600+

      ¥0.0962
    • 2000+

      ¥0.0854
    • 8000+

      ¥0.0761
    • 16000+

      ¥0.071
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.1558
    • 200+

      ¥0.1202
    • 600+

      ¥0.1004
    • 2000+

      ¥0.0885
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,60V,0.3A,1.8Ω@10V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.16
    • 50+

      ¥0.1249
    • 150+

      ¥0.1054
    • 500+

      ¥0.0937
    • 2500+

      ¥0.0835
    • 5000+

      ¥0.078
  • 有货
  • 这款N沟道MOSFET,设计精巧,耐压高达20V,可承载1.2A电流,展现优异功率管理。内阻最大仅260mΩ,保证低能耗高效率,是追求精细控制与稳定输出的电子设计中,不可或缺的高性能元件。
    • 20+

      ¥0.19791 ¥0.2199
    • 200+

      ¥0.15417 ¥0.1713
    • 600+

      ¥0.12987 ¥0.1443
    • 2000+

      ¥0.11529 ¥0.1281
    • 8000+

      ¥0.10269 ¥0.1141
    • 16000+

      ¥0.09585 ¥0.1065
  • 有货
  • 特性:环氧符合UL-94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。可根据要求提供无卤产品,添加后缀“HF”。NPN
    • 20+

      ¥0.2302
    • 200+

      ¥0.1816
    • 600+

      ¥0.1546
    • 2000+

      ¥0.1384
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用:负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3122
    • 100+

      ¥0.2498
    • 300+

      ¥0.2186
    • 1000+

      ¥0.1952
    • 5000+

      ¥0.1622
    • 8000+

      ¥0.1528
  • 有货
  • 特性:低工作电压:5V。 超低电容:最大90pF。 超低泄漏:nA级。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。IEC 61000-4-5(雷电)8A(8/20μs)。应用:手机及配件。 个人数字助理
    • 5+

      ¥0.478895 ¥0.5041
    • 50+

      ¥0.378575 ¥0.3985
    • 150+

      ¥0.328415 ¥0.3457
    • 500+

      ¥0.290795 ¥0.3061
    • 2500+

      ¥0.26068 ¥0.2744
    • 5000+

      ¥0.245575 ¥0.2585
  • 有货
  • 特性:高电流。 集电极-发射极饱和电压低:在集电极电流(IC)为 -200mA、基极电流(IB)为 -10mA 时,VCE(sat) ≤ 250mA。应用:低频放大器。 驱动器
    • 5+

      ¥0.4851
    • 50+

      ¥0.4219
    • 150+

      ¥0.3903
    • 500+

      ¥0.3666
    • 2500+

      ¥0.3476
    • 5000+

      ¥0.3382
  • 有货
  • 该高电压 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品。该器件适用于通用开关应用,采用 SOT-723 表面贴装封装。该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6659
    • 50+

      ¥0.5241
    • 150+

      ¥0.4532
    • 500+

      ¥0.4
    • 2500+

      ¥0.3574
  • 有货
  • 特性:低工作电压:5V。超低电容:典型值 0.2pF(IO 到 IO)。超低泄漏:nA 级别。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±18kV 接触放电:±12kV。IEC61000-4-5(闪电)3A(8/20μs)。应用:手机及配件。个人数字助理
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3384
    • 50+

      ¥1.1746
    • 150+

      ¥1.1044
    • 500+

      ¥1.0168
    • 2500+

      ¥0.8502
    • 5000+

      ¥0.8268
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 20+

      ¥0.084672 ¥0.1764
    • 200+

      ¥0.051414 ¥0.1353
    • 600+

      ¥0.0315 ¥0.1125
    • 2000+

      ¥0.027692 ¥0.0989
    • 8000+

      ¥0.02436 ¥0.087
    • 16000+

      ¥0.022568 ¥0.0806
  • 有货
  • 特性:能够承受100mW的功率耗散和200mA的集电极电流。 工作和储存结温范围:-55℃至150℃。 小外形表面贴装封装。 符合RoHS标准/环保EMC
    • 50+

      ¥0.090535 ¥0.0953
    • 500+

      ¥0.07106 ¥0.0748
    • 1500+

      ¥0.06023 ¥0.0634
    • 8000+

      ¥0.05377 ¥0.0566
    • 24000+

      ¥0.048165 ¥0.0507
    • 48000+

      ¥0.045125 ¥0.0475
  • 有货
  • 特性:与MMBT3904M小封装互补
    • 50+

      ¥0.09288 ¥0.1161
    • 500+

      ¥0.07128 ¥0.0891
    • 1500+

      ¥0.05928 ¥0.0741
    • 8000+

      ¥0.05208 ¥0.0651
    • 24000+

      ¥0.04584 ¥0.0573
    • 48000+

      ¥0.0424 ¥0.053
  • 有货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW 100~300 NPN
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1532
    • 200+

      ¥0.1219
    • 600+

      ¥0.1045
    • 2000+

      ¥0.0941
    • 8000+

      ¥0.0786
    • 16000+

      ¥0.0738
  • 订货
  • 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 直流电流增益(hFEIc,Vce):120@1mA,6V
    • 20+

      ¥0.162545 ¥0.1711
    • 200+

      ¥0.126635 ¥0.1333
    • 600+

      ¥0.106685 ¥0.1123
    • 2000+

      ¥0.094715 ¥0.0997
    • 8000+

      ¥0.084265 ¥0.0887
    • 16000+

      ¥0.078755 ¥0.0829
  • 有货
  • 负载/电源开关 放大电路 高频通信设备 接口,逻辑交换 超小型便携式电子产品的电池管理
    • 20+

      ¥0.197904 ¥0.2128
    • 200+

      ¥0.155217 ¥0.1669
    • 600+

      ¥0.131502 ¥0.1414
    • 2000+

      ¥0.117273 ¥0.1261
    • 8000+

      ¥0.100161 ¥0.1077
    • 16000+

      ¥0.093558 ¥0.1006
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值),hFE线性良好,hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值),hFE为120至400,与2SA2154MFV互补。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.20502 ¥0.3417
    • 100+

      ¥0.1367 ¥0.2734
    • 300+

      ¥0.09572 ¥0.2393
    • 1000+

      ¥0.08548 ¥0.2137
    • 5000+

      ¥0.07728 ¥0.1932
    • 8000+

      ¥0.07316 ¥0.1829
  • 有货
  • 特性:出色的hFE线性度。 与2SC5658/2SC4617EB/2SC4617/2SC4081UB/2SC4081U3/2SC2412K互补。应用:通用小信号放大器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.232
    • 200+

      ¥0.178
    • 600+

      ¥0.148
    • 2000+

      ¥0.13
  • 有货
  • Trench Power LV MOSFET技术。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
    • 10+

      ¥0.2574
    • 100+

      ¥0.2061
    • 300+

      ¥0.1805
    • 1000+

      ¥0.1613
    • 5000+

      ¥0.1459
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻允许在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还具有完全消除寄生效应的优点。 操作只需设置开/关条件,使电路设计变得容易。 互补PNP类型。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2752
    • 200+

      ¥0.2228
    • 600+

      ¥0.1937
    • 2000+

      ¥0.1762
  • 有货
  • 特性:高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻:Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)
    • 10+

      ¥0.4648
    • 100+

      ¥0.3736
    • 300+

      ¥0.328
    • 1000+

      ¥0.2938
    • 5000+

      ¥0.2664
  • 有货
  • 特性:P沟道开关,低导通电阻RDS(on)。 比SC-89封装的占位面积小44%,厚度薄38%。 低阈值电平,允许1.5V的RDS(on)额定值。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准。应用:负载/电源开关-接口。 逻辑开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7707
    • 50+

      ¥0.6267
    • 150+

      ¥0.5547
  • 有货
  • 这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小,因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5142
    • 50+

      ¥1.2101
    • 150+

      ¥1.0797
    • 500+

      ¥0.9171
    • 2500+

      ¥0.7464
    • 5000+

      ¥0.703
  • 有货
  • 特性:ESD / 瞬态保护高速数据线,超过 IEC61000-4-2 (ESD):±20 kV(空气/接触),IEC61000-4-4 (EFT):±50 A(5/50 ns),IEC61000-4-5 (浪涌):±3 A(8/20 s)。 最大工作电压:VRWM 5.3 V。 极低电容:低至 0.4 pF。应用:ESD / 瞬态保护高速接口:HDMI、USB 2.0/USB 3.0、DisplayPort、DVI、移动 HDMI 链路、MDDI、MIP1、10/100/1000 以太网、Firewire、S-ATA 等
    数据手册
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.44
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,可实现输入的正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.104468 ¥0.2548
    • 100+

      ¥0.06293 ¥0.203
    • 300+

      ¥0.037191 ¥0.1771
    • 1000+

      ¥0.033096 ¥0.1576
    • 5000+

      ¥0.029841 ¥0.1421
    • 8000+

      ¥0.028203 ¥0.1343
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,可实现输入的正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.104468 ¥0.2548
    • 100+

      ¥0.06293 ¥0.203
    • 300+

      ¥0.037191 ¥0.1771
    • 1000+

      ¥0.033096 ¥0.1576
    • 5000+

      ¥0.029841 ¥0.1421
    • 8000+

      ¥0.028203 ¥0.1343
  • 有货
  • 小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-60V,电流:-0.13A, Rdson:4200mR
    • 50+

      ¥0.1136
    • 500+

      ¥0.089
    • 1500+

      ¥0.0753
  • 有货
  • 立创商城为您提供VESM二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买VESM二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content