VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：RZM002P02T2L 编号：C253531

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装 (VMT3)。低电压驱动(1.2V)，适用于便携式设备。应用：开关

数据手册

10+
￥0.3408
100+
￥0.2656
300+
￥0.2281
1000+
￥0.1999
5000+
￥0.1773
8000+
￥0.166

有货

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型号：2SK3541T2L-ES 编号：C22464626

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1763
200+
￥0.1331
600+
￥0.1091
2000+
￥0.0947

有货

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型号：BM138KE 编号：C52993698

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.182
200+
￥0.1415
600+
￥0.119
2000+
￥0.1055
8000+
￥0.0938

有货

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型号：HCJ3134K 编号：C20616299

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N型场效应管具有1.2A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及150mR的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种应用场景。该元器件设计精良，性能可靠，是电子系统中的理想选择，能够满足多样化的市场需求。

20+
￥0.190285 ￥0.2003
200+
￥0.149245 ￥0.1571
600+
￥0.126445 ￥0.1331
2000+
￥0.112765 ￥0.1187
8000+
￥0.09633 ￥0.1014
16000+
￥0.089965 ￥0.0947

有货

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型号：2N7002KM 编号：C962554

封装：SOT-723

品牌：SHIKUES(时科)

高密度单元设计,实现低导通电阻 (RDS(ON))。电压控制小信号开关。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC

20+
￥0.191045 ￥0.2011
200+
￥0.150955 ￥0.1589
600+
￥0.128725 ￥0.1355
2000+
￥0.11533 ￥0.1214
8000+
￥0.094145 ￥0.0991
16000+
￥0.087875 ￥0.0925

有货

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型号：2SC5658-R-MS 编号：C7434272

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：265mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：HFE:120-270后面-MS代表品牌

20+
￥0.19503 ￥0.2167
200+
￥0.15183 ￥0.1687
600+
￥0.13023 ￥0.1447
2000+
￥0.11403 ￥0.1267
8000+
￥0.10107 ￥0.1123
16000+
￥0.09459 ￥0.1051

有货

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型号：BM3139KE 编号：C52993693

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

20+
￥0.2001
200+
￥0.1559
600+
￥0.1313
2000+
￥0.1165

有货

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型号：2SA2029-R-MS 编号：C7434273

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-50V 集电极电流(Ic)：-100mA 功率(Pd)：265mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@1mA,6V R档HFE:180-390后面-MS代表品牌

20+
￥0.20628 ￥0.2292
200+
￥0.16308 ￥0.1812
600+
￥0.14148 ￥0.1572
2000+
￥0.12528 ￥0.1392
8000+
￥0.11232 ￥0.1248
16000+
￥0.10575 ￥0.1175

有货

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型号：DTA143XMT2L 编号：C5157680

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

数据手册

10+
￥0.222
100+
￥0.173
300+
￥0.1486
1000+
￥0.1302
5000+
￥0.1155

有货

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型号：YJL3134KAT 编号：C20605872

封装：SOT-723

品牌：YANGJIE(扬杰)

采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力

10+
￥0.2496
100+
￥0.2006
300+
￥0.1761
1000+
￥0.1578
5000+
￥0.1431
8000+
￥0.1357

有货

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型号：DTA114YM3T5G 编号：C896187

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

数据手册

5+
￥0.3948
50+
￥0.3496
150+
￥0.327
500+
￥0.3101
2500+
￥0.2965
5000+
￥0.2898

有货

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型号：ESD7C5.0DT5G-MS 编号：C5331073

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：最多保护2条线路。峰值脉冲电流（8/20μs）：1.5A。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±15kV，接触放电±8kV。低泄漏电流。工作电压：3.3-5V。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：汽车应用。 CAN总线

数据手册

10+
￥0.4827
100+
￥0.3867
300+
￥0.3387
1000+
￥0.3027
5000+
￥0.2739
8000+
￥0.2594

有货

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型号：ESD7C5.0DT5G 编号：C896234

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.2928
50+
￥1.0237
150+
￥0.9084
500+
￥0.7645
2500+
￥0.7005

有货

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型号：SL3139K 编号：C2943026

封装：SOT-723-3

品牌：Slkor(萨科微)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻 (RDS(on)) 的P沟道开关。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.07116 ￥0.1779
200+
￥0.0558 ￥0.1395
600+
￥0.04728 ￥0.1182
2000+
￥0.04216 ￥0.1054
8000+
￥0.03204 ￥0.0801
16000+
￥0.02964 ￥0.0741

有货

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型号：2SK3541 编号：C41349574

封装：SOT-723

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.1A, Rdson：2000mR

50+
￥0.07695 ￥0.081
500+
￥0.05947 ￥0.0626
1500+
￥0.04978 ￥0.0524
8000+
￥0.044935 ￥0.0473
24000+
￥0.0399 ￥0.042
48000+
￥0.037145 ￥0.0391

有货

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型号：MMBT3906M 编号：C18208591

封装：SOT-723

品牌：Slkor(萨科微)

特性：与MMBT3904M互补。小封装

20+
￥0.08652 ￥0.1442
200+
￥0.06738 ￥0.1123
600+
￥0.05676 ￥0.0946
2000+
￥0.0504 ￥0.084
8000+
￥0.04488 ￥0.0748
16000+
￥0.04188 ￥0.0698

有货

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型号：SL002N02K 编号：C3041284

封装：SOT-723

品牌：Slkor(萨科微)

特性：小封装（SOT723）。超低电压驱动（1.2V驱动）。无铅镀铅；符合RoHS标准。无卤。应用：开关

数据手册

10+
￥0.11324 ￥0.2831
100+
￥0.0902 ￥0.2255
300+
￥0.07868 ￥0.1967
1000+
￥0.07004 ￥0.1751
5000+
￥0.06312 ￥0.1578
8000+
￥0.05968 ￥0.1492

有货

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型号：MMBT3906M 编号：C41781649

封装：SOT-723

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。与MMBT3904M（NPN）互补。功率耗散为200mW。高稳定性和高可靠性。符合RoHS标准。应用：放大信号。电子开关

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
1500+
￥0.0802
8000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
48000+
￥0.0592

有货

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型号：SSM3K15AMFV,L3F 编号：C516857

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值）(@ VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值）(@ VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用

数据手册

20+
￥0.1807
200+
￥0.1388
600+
￥0.1155
2000+
￥0.1015
8000+
￥0.0894

有货

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型号：ESJ3134K-KF 编号：C42420864

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

N/P极性：N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):0.7 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):220 @@封装:SOT-723

20+
￥0.1878
200+
￥0.1473
600+
￥0.1248
2000+
￥0.1113
8000+
￥0.0996
16000+
￥0.0933

有货

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型号：DTC014YMT2L 编号：C5149850

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作只需设置开/关条件,使电路设计变得容易。互补PNP类型:DTA014Y系列。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.2135
200+
￥0.1638
600+
￥0.1362
2000+
￥0.1197

有货

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型号：RUM002N02T2L(ES) 编号：C46970794

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

20+
￥0.2181
200+
￥0.1722
600+
￥0.1467
2000+
￥0.1314
8000+
￥0.1182

有货

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型号：2SC5658T2LR 编号：C308650

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

通用小信号放大器（50V，150mA）

数据手册

10+
￥0.2296
100+
￥0.1792
300+
￥0.154
1000+
￥0.1351
5000+
￥0.12

有货

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型号：TPRUM002N02T2L 编号：C42460234

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.2419
200+
￥0.1884
600+
￥0.1587
2000+
￥0.1409

有货

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型号：TPM3001NEX3 编号：C2923361

封装：SOT-723-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2451
200+
￥0.1971
600+
￥0.1731
2000+
￥0.1551
8000+
￥0.1248
16000+
￥0.1175

有货

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型号：MS3134 编号：C2836310

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

CJ3134

数据手册

10+
￥0.352545 ￥0.3711
100+
￥0.284145 ￥0.2991
300+
￥0.249945 ￥0.2631
1000+
￥0.224295 ￥0.2361
5000+
￥0.1824 ￥0.192
8000+
￥0.172045 ￥0.1811

有货

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型号：RUM002N05T2L 编号：C510347

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高速开关。小封装（EMT3）。超低电压驱动（1.2V驱动）。应用：开关

数据手册

10+
￥0.4196
100+
￥0.338
300+
￥0.2972
1000+
￥0.2666
5000+
￥0.2421

有货

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型号：SSM3J35AMFV,L3F 编号：C5274156

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动。低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关

数据手册