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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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NPN 电流:150mA 电压:50V
型号：H2SC5658T2LR 编号：C22462618
封装：SOT-723
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
这款NPN型三极管，核心性能卓越，具备50V电压耐受力，可流畅处理0.15A电流。其放大倍数介于180至390，有效强化信号，是构建高效电子系统的关键元件，广泛适应于各类精密电路的应用场景。

  • 20+

    ￥0.105655 ￥0.1243

  • 200+

    ￥0.10319 ￥0.1214

  • 600+

    ￥0.101575 ￥0.1195

  • 2000+

    ￥0.099875 ￥0.1175
  • 有货
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    P沟道 耐压:20V 电流:660mA
    型号：3139K-GK 编号：C49242199
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    适用于电源开关和信号控制

    • 20+

      ￥0.130815 ￥0.1377

    • 200+

      ￥0.1026 ￥0.108

    • 600+

      ￥0.086925 ￥0.0915

    • 2000+

      ￥0.07752 ￥0.0816

    • 8000+

      ￥0.06935 ￥0.073

    • 16000+

      ￥0.06498 ￥0.0684
  • 有货
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    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904M 编号：C2910277
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT3906M互补。 小封装
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1703

    • 200+

      ￥0.1378

    • 600+

      ￥0.1198

    • 2000+

      ￥0.109
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
    型号：ES3134KR 编号：C7527977
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

    • 20+

      ￥0.1889

    • 200+

      ￥0.1484

    • 600+

      ￥0.1259

    • 2000+

      ￥0.1124

    • 8000+

      ￥0.0951

    • 16000+

      ￥0.0888
  • 有货
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    耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002KM 编号：C41348067
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 20+

      ￥0.1955

    • 200+

      ￥0.1523

    • 600+

      ￥0.1283

    • 2000+

      ￥0.1139
  • 有货
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    N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
    型号：TPM3001NEX3 编号：C2923361
    封装：SOT-723-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2351

    • 200+

      ￥0.1871

    • 600+

      ￥0.1631

    • 2000+

      ￥0.1451

    • 8000+

      ￥0.1148

    • 16000+

      ￥0.1075
  • 有货
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    50V 100mA
    型号：DTC014YMT2L 编号：C5149850
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作只需设置开/关条件,使电路设计变得容易。互补PNP类型:DTA014Y系列。应用：反相器。接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2352

    • 200+

      ￥0.1855

    • 600+

      ￥0.1579

    • 2000+

      ￥0.1414
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-0.5A，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th)：-0.7V
    型号：RZM001P02T2L(ES) 编号：C46970795
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-0.5A，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th)：-0.7V

    • 20+

      ￥0.2359

    • 200+

      ￥0.1879

    • 600+

      ￥0.1639

    • 2000+

      ￥0.1459

    • 8000+

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    • 16000+

      ￥0.1243
  • 有货
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    NPN型，100mA、50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTC143TMT2L 编号：C2909282
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件，使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。 反相器电路
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2479

    • 200+

      ￥0.1966

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      ￥0.1681

    • 2000+

      ￥0.151

    • 8000+

      ￥0.1106
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
    型号：MS3134 编号：C2836310
    封装：SOT-723
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    CJ3134
    数据手册

    • 10+

      ￥0.337915 ￥0.3557

    • 100+

      ￥0.269515 ￥0.2837

    • 300+

      ￥0.235315 ￥0.2477

    • 1000+

      ￥0.209665 ￥0.2207

    • 5000+

      ￥0.16777 ￥0.1766

    • 8000+

      ￥0.157415 ￥0.1657
  • 有货
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    数字晶体管（BRT）
    型号：DTA114YM3T5G 编号：C896187
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3444

    • 50+

      ￥0.2992

    • 150+

      ￥0.2766

    • 500+

      ￥0.2597

    • 2500+

      ￥0.2461

    • 5000+

      ￥0.2394
  • 有货
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    50V 100mA
    型号：RN2105MFV,L3F(CT 编号：C2929214
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 超小型封装，适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。 与RN1101MFV至RN1106MFV互补。应用：开关。 逆变器电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4089

    • 100+

      ￥0.3272

    • 300+

      ￥0.2864

    • 1000+

      ￥0.2557

    • 5000+

      ￥0.2312

    • 8000+

      ￥0.2189
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
    型号：SI3134K-TP 编号：C669002
    封装：SOT-723
    品牌：MCC(美微科)
    特性：低逻辑电平栅极驱动。 N沟道开关，低导通电阻RDS(on)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5614

    • 50+

      ￥0.5014

    • 150+

      ￥0.4714

    • 500+

      ￥0.4489

    • 2500+

      ￥0.4309

    • 5000+

      ￥0.4219
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
    型号：2N7002KM 编号：C42375085
    封装：SOT-723
    品牌：KUU
    特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD防护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关

    • 20+

      ￥0.1466

    • 200+

      ￥0.1142

    • 600+

      ￥0.0962

    • 2000+

      ￥0.0854

    • 8000+

      ￥0.0761

    • 16000+

      ￥0.071
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 耐压:40V
    型号：MMBT3906M 编号：C49353168
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

    • 20+

      ￥0.1502

    • 200+

      ￥0.1178

    • 600+

      ￥0.0998

    • 2000+

      ￥0.089
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：RUM001L02T2CL(ES) 编号：C42412321
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1557

    • 200+

      ￥0.1233

    • 600+

      ￥0.1053

    • 2000+

      ￥0.0945
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:180mA
    型号：ES2N7002M3T5G 编号：C5224235
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.1627

    • 50+

      ￥0.1276

    • 150+

      ￥0.1081

    • 500+

      ￥0.0964

    • 2500+

      ￥0.0863

    • 5000+

      ￥0.0808
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC123JM 编号：C2910281
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1757

    • 200+

      ￥0.1389

    • 600+

      ￥0.1185

    • 2000+

      ￥0.1063
  • 有货
    • 立即购买
    PNP型，-100mA、-50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTA143XMT2L 编号：C5157680
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2451

    • 100+

      ￥0.1961

    • 300+

      ￥0.1716

    • 1000+

      ￥0.1533

    • 5000+

      ￥0.1386
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：TPM3134NX3 编号：C558450
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2452

    • 200+

      ￥0.1939

    • 600+

      ￥0.1654

    • 2000+

      ￥0.1483

    • 8000+

      ￥0.1204

    • 16000+

      ￥0.1124
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA
    型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C5274157
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。 重量：1.5mg（典型值）
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3663

    • 100+

      ￥0.289

    • 300+

      ￥0.2504

    • 1000+

      ￥0.2214

    • 5000+

      ￥0.1886
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:250mA
    型号：SSM3J35AMFV,L3F 编号：C5274156
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）@VGS = -1.2V。 -RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）@VGS = -1.5V。 -RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）@VGS = -1.8V。 -RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）@VGS = -2.5V。 -RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）@VGS = -4.5V。应用：模拟开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4759

    • 50+

      ￥0.3751

    • 150+

      ￥0.3247

    • 500+

      ￥0.2869

    • 2500+

      ￥0.2567

    • 5000+

      ￥0.2289
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906M 编号：C7529044
    封装：SOT-723
    品牌：AM(安美)
    特性：能够承受100mW的功率耗散和200mA的集电极电流。 工作和储存结温范围：-55℃至150℃。 小外形表面贴装封装。 符合RoHS标准/环保EMC

    • 50+

      ￥0.090535 ￥0.0953

    • 500+

      ￥0.07106 ￥0.0748

    • 1500+

      ￥0.06023 ￥0.0634

    • 8000+

      ￥0.05377 ￥0.0566

    • 24000+

      ￥0.048165 ￥0.0507

    • 48000+

      ￥0.045125 ￥0.0475
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906M 编号：C41781649
    封装：SOT-723
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 与MMBT3904M（NPN）互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合RoHS标准。应用：放大信号。 电子开关

    • 50+

      ￥0.1222

    • 500+

      ￥0.0952

    • 1500+

      ￥0.0802

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      ￥0.0712

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      ￥0.0634

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      ￥0.0592
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:180mA
    型号：2N7002M3T5G-ES 编号：C5224234
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.1653

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      ￥0.1302

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    N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2SK3541T2L-ES 编号：C22464626
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

    • 20+

      ￥0.1763

    • 200+

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    数字晶体管（BRT）
    型号：DTA143EM3T5G 编号：C896195
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，一个是串联基极电阻，另一个是基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件的使用。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.180222 ￥0.4291

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    • 500+

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    BM138KE
    型号：BM138KE 编号：C52993698
    封装：SOT-723
    品牌：BORN(伯恩半导体)

    • 20+

      ￥0.1831

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      ￥0.1426

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    耐压:30V 电流:0.1A
    型号：TPLNTK4003M3T5G 编号：C42460233
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 20+

      ￥0.1849

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.34A
    型号：2N7002KM 编号：C962554
    封装：SOT-723
    品牌：SHIKUES(时科)
    高密度单元设计,实现低导通电阻 (RDS(ON))。电压控制小信号开关。小外形表面贴装封装。符合RoHS标准/环保EMC

    • 20+

      ￥0.188765 ￥0.1987

    • 200+

      ￥0.148675 ￥0.1565

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      ￥0.12635 ￥0.133

    • 2000+

      ￥0.11305 ￥0.119

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