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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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描述
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数字晶体管（内置电阻）
型号：AD-DTC114YM 编号：C2975825
封装：SOT-723
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证
数据手册

  • 10+

    ￥0.2594

  • 100+

    ￥0.2075

  • 300+

    ￥0.1816

  • 1000+

    ￥0.1622

  • 5000+

    ￥0.1466
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    NPN型，100mA、50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTC143TMT2L 编号：C2909282
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件，使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。 反相器电路
    数据手册

    • 20+

      ￥0.3068

    • 200+

      ￥0.2555

    • 600+

      ￥0.227

    • 2000+

      ￥0.2099
  • 有货
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    ESD 5V截止
    型号：TPD2EUSB30DRTR 编号：C3040102
    封装：SOT-723
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：每线100瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20µs）。 保护两条线路。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2（ESD）±17kV（空气），±10kV（接触）。应用：手机及配件。 天线
    数据手册

    • 5+

      ￥1.09225 ￥1.285

    • 50+

      ￥0.865215 ￥1.0179

    • 150+

      ￥0.76789 ￥0.9034

    • 500+

      ￥0.64651 ￥0.7606

    • 2500+

      ￥0.59245 ￥0.697

    • 5000+

      ￥0.55998 ￥0.6588
  • 有货
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    NPN 电流:80mA 电压:15V
    型号：BFR380FH6327 编号：C96675
    封装：TSFP-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高线性低噪声驱动放大器。 输出压缩点：19.5 dBm @ 1.8 GHz。 适用于高达3.5 GHz的振荡器。 低噪声系数：1.1 dB @ 1.8 GHz。 集电极设计支持5 V电源电压。 无铅（符合RoHS）和无卤薄型小扁平封装，引脚可见。 提供符合AEC-Q101的认证报告
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4477

    • 50+

      ￥1.1453

    • 150+

      ￥1.0157

    • 500+

      ￥0.854

    • 3000+

      ￥0.782
  • 有货
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    小电流N型 MOSFET N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002KT7 编号：C41349567
    封装：SOT-723
    品牌：Siliup(矽普)
    小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.34A, Rdson：1100mR

    • 50+

      ￥0.0807

    • 500+

      ￥0.0624

    • 1500+

      ￥0.0523
  • 有货
    • 立即购买
    小电流P型 MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:700mA
    型号：SP2004KT7 编号：C41354945
    封装：SOT-723
    品牌：Siliup(矽普)
    小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.7A, Rdson：400mR

    • 50+

      ￥0.08189 ￥0.0862

    • 500+

      ￥0.063935 ￥0.0673

    • 1500+

      ￥0.05396 ￥0.0568

    • 8000+

      ￥0.048925 ￥0.0515

    • 24000+

      ￥0.0437 ￥0.046

    • 48000+

      ￥0.040945 ￥0.0431
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 耐压:40V
    型号：MMBT3906M 编号：C49353168
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

    • 20+

      ￥0.12016 ￥0.1502

    • 200+

      ￥0.09424 ￥0.1178

    • 600+

      ￥0.07984 ￥0.0998

    • 2000+

      ￥0.0712 ￥0.089

    • 8000+

      ￥0.06376 ￥0.0797

    • 16000+

      ￥0.05968 ￥0.0746
  • 有货
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    N沟道MOSFET
    型号：3134K-GK 编号：C49247850
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 在低逻辑电平栅极驱动下工作的低RDS(on) N沟道开关。应用：负载/电源开关。 接口开关

    • 20+

      ￥0.130815 ￥0.1377

    • 200+

      ￥0.1026 ￥0.108

    • 600+

      ￥0.086925 ￥0.0915

    • 2000+

      ￥0.07752 ￥0.0816

    • 8000+

      ￥0.06935 ￥0.073

    • 16000+

      ￥0.06498 ￥0.0684
  • 有货
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    带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：RUM001L02T2CL(ES) 编号：C42412321
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1424

    • 200+

      ￥0.11

    • 600+

      ￥0.092

    • 2000+

      ￥0.0812
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
    型号：KM3139K 编号：C5438457
    封装：SOT-723
    品牌：KUU
    特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1436

    • 200+

      ￥0.1112

    • 600+

      ￥0.0932

    • 2000+

      ￥0.0824

    • 8000+

      ￥0.0761

    • 16000+

      ￥0.071
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC114YM 编号：C2910280
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1628

    • 200+

      ￥0.1266

    • 600+

      ￥0.1065

    • 2000+

      ￥0.0944
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC5658 编号：C2991944
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低Cob，与2SA2029互补
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1828

    • 200+

      ￥0.1446

    • 600+

      ￥0.1234

    • 2000+

      ￥0.1106

    • 8000+

      ￥0.0897
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002KM 编号：C41348067
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 20+

      ￥0.186

    • 200+

      ￥0.1428

    • 600+

      ￥0.1188

    • 2000+

      ￥0.1044
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTC114EM 编号：C2975823
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2515

    • 100+

      ￥0.1997

    • 300+

      ￥0.1737

    • 1000+

      ￥0.1543
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：TPNTK3134NT1G 编号：C587154
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2564

    • 200+

      ￥0.2028

    • 600+

      ￥0.173

    • 2000+

      ￥0.1552

    • 8000+

      ￥0.1235

    • 16000+

      ￥0.1152
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：RN2105MFV,L3F(CT 编号：C2929214
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 超小型封装，适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。 与RN1101MFV至RN1106MFV互补。应用：开关。 逆变器电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3704

    • 100+

      ￥0.2887

    • 300+

      ￥0.2479

    • 1000+

      ￥0.2172

    • 5000+

      ￥0.1927

    • 8000+

      ￥0.1805
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:285mA
    型号：NTK3043NT1G 编号：C236245
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，20 V，285 mA，N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5299

    • 100+

      ￥0.4195

    • 300+

      ￥0.3643

    • 1000+

      ￥0.3229

    • 4000+

      ￥0.2898
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：DTC115EM3T5G 编号：C232597
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8699

    • 50+

      ￥0.6786

    • 150+

      ￥0.583

    • 500+

      ￥0.5112

    • 2500+

      ￥0.4538

    • 5000+

      ￥0.4251
  • 有货
    • 立即购买
    2SC6026MFVG,L3XG(T
    型号：2SC6026MFVG,L3XG 编号：C7421250
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于通用放大器应用，具有高电压和高电流特性，VCEO = 50V，IC = 150mA（最大值），hFE线性良好，hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95（典型值），hFE为120至400，与2SA2154MFV互补。

    • 5+

      ￥1.58

    • 50+

      ￥1.37

    • 150+

      ￥1.28

    • 500+

      ￥1.16

    • 2500+

      ￥1.11

    • 5000+

      ￥1.08
  • 有货
    • 立即购买
    电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906T7 编号：C41355096
    封装：SOT-723
    品牌：Siliup(矽普)
    PNP三极管，Vcbo=-40V，Vceo=-40V，IC 0.2A，Hfe 100~300

    • 50+

      ￥0.0691

    • 500+

      ￥0.0534

    • 1500+

      ￥0.0447

    • 8000+

      ￥0.0404
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904M-JSM 编号：C28642380
    封装：SOT-723
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于线性和开关应用。

    • 50+

      ￥0.10387 ￥0.1222

    • 500+

      ￥0.08092 ￥0.0952

    • 1500+

      ￥0.06817 ￥0.0802

    • 8000+

      ￥0.06052 ￥0.0712

    • 24000+

      ￥0.05389 ￥0.0634

    • 48000+

      ￥0.05032 ￥0.0592
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:200mA
    型号：2SK3541-GK 编号：C42402303
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

    • 20+

      ￥0.12582 ￥0.1398

    • 200+

      ￥0.09909 ￥0.1101

    • 600+

      ￥0.08424 ￥0.0936

    • 2000+

      ￥0.07533 ￥0.0837

    • 8000+

      ￥0.06759 ￥0.0751

    • 16000+

      ￥0.06336 ￥0.0704
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:20V 电流:660mA
    型号：3139K-GK 编号：C49242199
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    适用于电源开关和信号控制

    • 20+

      ￥0.130815 ￥0.1377

    • 200+

      ￥0.1026 ￥0.108

    • 600+

      ￥0.086925 ￥0.0915

    • 2000+

      ￥0.07752 ￥0.0816

    • 8000+

      ￥0.06935 ￥0.073

    • 16000+

      ￥0.06498 ￥0.0684
  • 有货
    • 立即购买
    2N7002KM
    型号：2N7002KM 编号：C54529433
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    适用于电源开关和信号控制

    • 20+

      ￥0.14269 ￥0.1502

    • 200+

      ￥0.11191 ￥0.1178

    • 600+

      ￥0.09481 ￥0.0998

    • 2000+

      ￥0.08455 ￥0.089

    • 8000+

      ￥0.075715 ￥0.0797

    • 16000+

      ￥0.07087 ￥0.0746
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904M 编号：C7434274
    封装：SOT-723
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A

    • 20+

      ￥0.1496

    • 200+

      ￥0.1172

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      ￥0.0761

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      ￥0.071
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2SK3541 编号：C22363751
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

    • 20+

      ￥0.1537

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      ￥0.1213

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    PNP通用放大器
    型号：2SA2029 编号：C7528889
    封装：SOT-723
    品牌：AM(安美)
    晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 直流电流增益(hFEIc,Vce)：120@1mA,6V

    • 20+

      ￥0.158365 ￥0.1667

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    • 2000+

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:180mA
    型号：ES2N7002M3T5G 编号：C5224235
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC143EM 编号：C3031920
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计
    数据手册

    • 20+

      ￥0.168

    • 200+

      ￥0.1302

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    NPN 600mA 60V
    型号：MMBT2222AM 编号：C7529036
    封装：SOT-723
    品牌：AM(安美)
    特性：外延平面管芯结构。 工作和储存结温范围：-55℃至150℃。 小外形表面贴装封装。 符合RoHS标准/绿色EMC

    • 20+

      ￥0.170335 ￥0.1793

    • 200+

      ￥0.132145 ￥0.1391

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    • 2000+

      ￥0.098135 ￥0.1033

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