VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BM3134KE 编号：C18199558

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

无铅产品采用先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计实现超低导通电阻，采用SOT - 723表面贴装封装。

20+
￥0.1741
200+
￥0.1363
600+
￥0.1153
2000+
￥0.1027
8000+
￥0.0887
16000+
￥0.0829

有货

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型号：WNM2030-3/TR-ES 编号：C22363752

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1814
200+
￥0.1409
600+
￥0.1184
2000+
￥0.1049
8000+
￥0.0932
16000+
￥0.0869

有货

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型号：TPM3134NX3 编号：C558450

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2335
200+
￥0.1822
600+
￥0.1537
2000+
￥0.1366
8000+
￥0.1087
16000+
￥0.1007

有货

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型号：PRZM002P02T2L 编号：C2912537

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.2593
100+
￥0.2065
300+
￥0.1801
1000+
￥0.1603
5000+
￥0.1262
8000+
￥0.1183

有货

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型号：TPM2030-3/TR 编号：C558624

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(on) = 典型值200mΩ，VGS = 4.5V。 RDS(on) = 典型值250mΩ，VGS = 2.5V。获得无铅产品。表面贴装封装，N沟道开关，低RDS(on)。在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

数据手册

20+
￥0.2718
200+
￥0.2179
600+
￥0.1879
2000+
￥0.17
8000+
￥0.1412
16000+
￥0.1328

有货

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型号：TPM2031-3 编号：C2841420

封装：SOT-723-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：无铅产品。表面贴装封装。具有低RDS(on)的P沟道开关。在低逻辑电平栅极驱动下工作。栅极具有ESD保护。与TPM2018EX3互补。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.2867
100+
￥0.2339
300+
￥0.2075
1000+
￥0.1877
5000+
￥0.1543
8000+
￥0.1464

有货

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型号：PNTK3139PT5G 编号：C2912538

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.297
100+
￥0.2362
300+
￥0.2057
1000+
￥0.1829
5000+
￥0.1436
8000+
￥0.1345

有货

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型号：TPD2EUSB30DRTR-TP-ES 编号：C22379610

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

5.0V低容，两路单向，4.5A，20kV，0.6pF；HDMI/USB2.0/MDDI/HBT等高速接口防护。

10+
￥0.3705
100+
￥0.2769
300+
￥0.2301
1000+
￥0.195

有货

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型号：ESD7205DT5G(ES) 编号：C46970790

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

极性:单向双路保护反向关断电压（典型值）：5V (Max) 击穿电压（最小值）：6V 钳位电压：15V 峰值脉冲电流（8/20us）：5A ，电容Cj：0.6pF

5+
￥0.5978
50+
￥0.5278
150+
￥0.4928
500+
￥0.4666
2500+
￥0.4456
5000+
￥0.4351

有货

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型号：TPD2EUSB30ADRTR(ES) 编号：C46970789

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

极性:单向双路保护反向关断电压（典型值）：5V (Max) 击穿电压（最小值）：6V 钳位电压：15V 峰值脉冲电流（8/20us）：5A ，电容Cj：0.6pF

5+
￥0.6942
50+
￥0.6102
150+
￥0.5742
500+
￥0.5292
2500+
￥0.5092
5000+
￥0.4972

有货

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型号：TPESD7C5.0DT5G 编号：C2844718

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小，因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.

数据手册

5+
￥0.7929
50+
￥0.6958
150+
￥0.6542
500+
￥0.6023
2500+
￥0.5039
5000+
￥0.49

有货

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型号：ESD7C3.3DT5G 编号：C233386

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

ESD7CxxD系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。因其尺寸小巧，适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。

数据手册

5+
￥1.2786
50+
￥1.0389
150+
￥0.9362
500+
￥0.8081
2500+
￥0.6218
5000+
￥0.5876

有货

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型号：MMBT3904T7 编号：C41355101

封装：SOT-723

品牌：Siliup(矽普)

NPN三极管，Vcbo=60V，Vceo=40V，IC 0.2A，Hfe 100~300

50+
￥0.0691
500+
￥0.0534
1500+
￥0.0447

有货

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型号：SP2006KT7J 编号：C41355144

封装：SOT-723

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.66A, Rdson：650mR，印字：KD

50+
￥0.0869
500+
￥0.0675
1500+
￥0.0567
8000+
￥0.0513

有货

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型号：2N7002KM 编号：C5174641

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道MOS管采用SOT-723封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002

数据手册

20+
￥0.160645 ￥0.1691
200+
￥0.127205 ￥0.1339
600+
￥0.108585 ￥0.1143
2000+
￥0.097375 ￥0.1025
8000+
￥0.08056 ￥0.0848
16000+
￥0.075335 ￥0.0793

有货

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型号：DTC113ZM 编号：C74414

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得简单

数据手册

20+
￥0.1828
200+
￥0.1434
600+
￥0.1215
2000+
￥0.1083

有货

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型号：MS2N7002M3 编号：C2836341

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

2N7002M3T5G

数据手册

20+
￥0.2418
200+
￥0.1938
600+
￥0.1698
2000+
￥0.1518
8000+
￥0.1248
16000+
￥0.1175

有货

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型号：UESD3.3DT5G 编号：C233435

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

μESD系列产品旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于尺寸小巧，该系列产品适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用

数据手册

5+
￥1.2069
50+
￥0.9636
150+
￥0.8593
500+
￥0.7292
2500+
￥0.619
5000+
￥0.5842

有货

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型号：MMBT2222AM 编号：C49009912

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

外延平面管芯结构。符合 RoHS 标准。SOT 723 塑料封装

20+
￥0.1304
200+
￥0.1007
600+
￥0.0842
2000+
￥0.0743

有货

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型号：2N7002M3T5G-ES 编号：C5224234

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

5+
￥0.1652
50+
￥0.1301
150+
￥0.1106
500+
￥0.0989
2500+
￥0.0887
5000+
￥0.0833

有货

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型号：DTC144TM 编号：C47089379

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

20+
￥0.1771
200+
￥0.1366
600+
￥0.1141
2000+
￥0.1006
8000+
￥0.0889

有货

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型号：DTA144EMT2L 编号：C2889118

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

数据手册

10+
￥0.1791
100+
￥0.1759
300+
￥0.1737
1000+
￥0.1716

有货

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型号：NTK3134NT1G-ES 编号：C7527994

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。

20+
￥0.1867
200+
￥0.1458
600+
￥0.1231
2000+
￥0.1095
8000+
￥0.0866
16000+
￥0.0803

有货

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型号：TPLNTK4003M3T5G 编号：C42460233

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.1882
200+
￥0.1466
600+
￥0.1235
2000+
￥0.1096

有货

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型号：SK3134K 编号：C962557

封装：SOT-723

品牌：SHIKUES(时科)

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻 (RDS(on)) 的 N 沟道开关。可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。接口开关

20+
￥0.18962 ￥0.1996
200+
￥0.1501 ￥0.158
600+
￥0.12806 ￥0.1348
2000+
￥0.11495 ￥0.121
8000+
￥0.092815 ￥0.0977
16000+
￥0.08664 ￥0.0912

有货

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型号：MMBT2222AM 编号：C2875076

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（MMBT2907AM）

数据手册

20+
￥0.1932
200+
￥0.1525
600+
￥0.1299
2000+
￥0.1163
8000+
￥0.1045

有货

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型号：H2SC5658T2LR 编号：C22462618

封装：SOT-723

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管，核心性能卓越，具备50V电压耐受力，可流畅处理0.15A电流。其放大倍数介于180至390，有效强化信号，是构建高效电子系统的关键元件，广泛适应于各类精密电路的应用场景。

20+
￥0.207655 ￥0.2443
200+
￥0.166855 ￥0.1963
600+
￥0.146455 ￥0.1723
2000+
￥0.131155 ￥0.1543
8000+
￥0.118915 ￥0.1399
16000+
￥0.11271 ￥0.1326

有货

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型号：LDTC114EM3T5G 编号：C5137285

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装，专为低功率表面贴装应用而设计。