VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SK3541-GK 编号：C42402303

封装：SOT-723

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

20+
￥0.12393 ￥0.1377
200+
￥0.0972 ￥0.108
600+
￥0.08235 ￥0.0915
2000+
￥0.07344 ￥0.0816
8000+
￥0.0657 ￥0.073
16000+
￥0.06156 ￥0.0684

有货

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型号：MMBT3904M 编号：C50338757

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

推荐使用PNP晶体管作为互补类型。采用外延平面芯片结构。SOT-723塑料封装

20+
￥0.1333
200+
￥0.1031
600+
￥0.0863
2000+
￥0.0762
8000+
￥0.0675

有货

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型号：DTC144TM 编号：C47089379

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

20+
￥0.1771
200+
￥0.1366
600+
￥0.1141
2000+
￥0.1006
8000+
￥0.0889

有货

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型号：DTC113ZM 编号：C74414

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得简单

数据手册

20+
￥0.1828
200+
￥0.1434
600+
￥0.1215
2000+
￥0.1083

有货

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型号：DTC144EMT2L 编号：C79608

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

10+
￥0.2907
100+
￥0.2401
300+
￥0.2148
1000+
￥0.1958
5000+
￥0.1599

有货

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型号：PNTK3139PT5G 编号：C2912538

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.297
100+
￥0.2362
300+
￥0.2057
1000+
￥0.1829
5000+
￥0.1436
8000+
￥0.1345

有货

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型号：TPD2EUSB30DRTR-TP-ES 编号：C22379610

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

5.0V低容，两路单向，4.5A，20kV，0.6pF；HDMI/USB2.0/MDDI/HBT等高速接口防护。

10+
￥0.3705
100+
￥0.2769
300+
￥0.2301
1000+
￥0.195

有货

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型号：SP2006KT7 编号：C41355143

封装：SOT-723

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-20V，电流：-0.66A, Rdson：650mR

50+
￥0.0857
500+
￥0.0663
1500+
￥0.0555
8000+
￥0.0501

有货

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型号：3134K-GK 编号：C49247850

封装：SOT-723

品牌：GOODWORK(固得沃克)

特性：无铅产品。表面贴装封装。在低逻辑电平栅极驱动下工作的低RDS(on) N沟道开关。应用：负载/电源开关。接口开关

20+
￥0.130815 ￥0.1377
200+
￥0.1026 ￥0.108
600+
￥0.086925 ￥0.0915
2000+
￥0.07752 ￥0.0816
8000+
￥0.06935 ￥0.073
16000+
￥0.06498 ￥0.0684

有货

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型号：MMBT2222AM 编号：C49009912

封装：SOT-723

品牌：BORN(伯恩半导体)

外延平面管芯结构。符合 RoHS 标准。SOT 723 塑料封装

20+
￥0.1321
200+
￥0.1024
600+
￥0.0859
2000+
￥0.076

有货

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型号：2SK3541 编号：C22363751

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

20+
￥0.1476
200+
￥0.1152
600+
￥0.0972
2000+
￥0.0864
8000+
￥0.0738
16000+
￥0.0688

有货

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型号：DTA143ZM(SOT-723) 编号：C47089392

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

20+
￥0.1558
200+
￥0.1202
600+
￥0.1004
2000+
￥0.0885

有货

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型号：DTA144EMT2L 编号：C2889118

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

数据手册

10+
￥0.1739
100+
￥0.1707
300+
￥0.1685
1000+
￥0.1664

有货

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型号：RUM002N02T2L(ES) 编号：C46970794

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：0.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

20+
￥0.2181
200+
￥0.1722
600+
￥0.1467
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￥0.1314
8000+
￥0.1182

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型号：MMBT2907AM3T5G-MS 编号：C7434270

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-60V 集电极电流(Ic)：-500mA 功率(Pd)：-100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100-300 PNP 双极晶体管 PNP 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品

10+
￥0.23715 ￥0.2635
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￥0.18747 ￥0.2083
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￥0.144 ￥0.16
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￥0.12915 ￥0.1435
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￥0.12168 ￥0.1352

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型号：LDTC114EM3T5G 编号：C5137285

封装：SOT-723

品牌：LRC(乐山无线电)

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装，专为低功率表面贴装应用而设计。