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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
型号：KM3134K 编号：C5438456
封装：SOT-723
品牌：KUU
特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
数据手册

  • 20+

    ￥0.1432

  • 200+

    ￥0.1108

  • 600+

    ￥0.0928

  • 2000+

    ￥0.082

  • 8000+

    ￥0.0696

  • 16000+

    ￥0.0645
  • 有货
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    内置偏置电阻的逆变器电路晶体管
    型号：DTC143ZM 编号：C49274030
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

    • 20+

      ￥0.1753

    • 200+

      ￥0.1375

    • 600+

      ￥0.1165

    • 2000+

      ￥0.1039
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC144EM 编号：C5311016
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2476

    • 200+

      ￥0.1941

    • 600+

      ￥0.1644

    • 2000+

      ￥0.1466

    • 8000+

      ￥0.122

    • 16000+

      ￥0.1136
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC114EM 编号：C5311017
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2511

    • 200+

      ￥0.1977

    • 600+

      ￥0.168

    • 2000+

      ￥0.1501

    • 8000+

      ￥0.1255

    • 16000+

      ￥0.1172
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：TPD2EUSB30DRTR-N 编号：C6165119
    封装：SOT-9X3
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：56 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±20kV。应用：数字电视。 机顶盒和数字电视

    • 5+

      ￥0.7277

    • 50+

      ￥0.6374

    • 150+

      ￥0.5987

    • 500+

      ￥0.5504

    • 2500+

      ￥0.5289

    • 5000+

      ￥0.516
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC114YM 编号：C2910280
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1728

    • 200+

      ￥0.1367

    • 600+

      ￥0.1165

    • 2000+

      ￥0.1045
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC5658 编号：C2991944
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低Cob，与2SA2029互补
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1882

    • 200+

      ￥0.15

    • 600+

      ￥0.1288

    • 2000+

      ￥0.1161

    • 8000+

      ￥0.0951

    • 16000+

      ￥0.0892
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3541 编号：C504051
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：接口。 开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1928

    • 200+

      ￥0.1523

    • 600+

      ￥0.1298

    • 2000+

      ￥0.1163

    • 8000+

      ￥0.1046

    • 16000+

      ￥0.0983
  • 有货
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    电流:150mA 电压:50V
    型号：BC847BM3T5G-HXY 编号：C46682410
    封装：SOT-723
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款NPN型三极管（BJT）适用于广泛的电子设备中，具备集电极电流IC为0.15A，确保了在低功率应用中的高效性能。其集电极-发射极电压VCEO高达50V，使其能够承受较高的反向电压，增强了使用的安全性与稳定性。该三极管的直流电流增益HFE范围为180至390，能够提供良好的信号放大效果。此外，其过渡频率FT达到180MHz，表明它在高频工作环境下仍能保持优秀的性能表现。这些特性使得这款三极管成为需要高灵敏度和稳定性的电路设计的理想选择。

    • 10+

      ￥0.23607 ￥0.2623

    • 100+

      ￥0.18801 ￥0.2089

    • 300+

      ￥0.16398 ￥0.1822

    • 1000+

      ￥0.14598 ￥0.1622

    • 5000+

      ￥0.13158 ￥0.1462

    • 8000+

      ￥0.12438 ￥0.1382
  • 有货
    • 立即购买
    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：ESD7L5.0DT5G-N 编号：C6165124
    封装：SOT-723
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：56W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±20kV。应用：数字电视。 机顶盒和数字电视

    • 5+

      ￥0.74169 ￥0.8241

    • 50+

      ￥0.65664 ￥0.7296

    • 150+

      ￥0.62019 ￥0.6891

    • 500+

      ￥0.57465 ￥0.6385

    • 2500+

      ￥0.44154 ￥0.4906

    • 5000+

      ￥0.42939 ￥0.4771
  • 有货
    • 立即购买
    电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T7 编号：C41355101
    封装：SOT-723
    品牌：Siliup(矽普)
    NPN三极管，Vcbo=60V，Vceo=40V，IC 0.2A，Hfe 100~300

    • 50+

      ￥0.0716

    • 500+

      ￥0.0554

    • 1500+

      ￥0.0464

    • 8000+

      ￥0.0418
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
    型号：KM3139K 编号：C5438457
    封装：SOT-723
    品牌：KUU
    特性：先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD保护高达2KV（HBM）。应用：便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1437

    • 200+

      ￥0.1113

    • 600+

      ￥0.0933

    • 2000+

      ￥0.0825

    • 8000+

      ￥0.0761

    • 16000+

      ￥0.0711
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：2N7002M3T5G 编号：C907842
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2282

    • 200+

      ￥0.1824

    • 600+

      ￥0.157

    • 2000+

      ￥0.1418

    • 8000+

      ￥0.1173

    • 16000+

      ￥0.1102
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:20V 电流:0.9A
    型号：PRZM002P02T2L 编号：C2912537
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2593

    • 100+

      ￥0.2065

    • 300+

      ￥0.1801

    • 1000+

      ￥0.1603

    • 5000+

      ￥0.1262

    • 8000+

      ￥0.1183
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：RN1106MFV,L3F 编号：C5349733
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。 超小型封装，适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。 逆变器电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3989

    • 100+

      ￥0.3125

    • 300+

      ￥0.2693

    • 1000+

      ￥0.2369

    • 5000+

      ￥0.211

    • 8000+

      ￥0.198
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：ESD7C3.3DT5G 编号：C19829555
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款低容2线静电放电（ESD）抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能，非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.

    • 5+

      ￥0.7095

    • 50+

      ￥0.6171

    • 150+

      ￥0.5775

    • 500+

      ￥0.528

    • 2500+

      ￥0.506

    • 5000+

      ￥0.4928
  • 有货
    • 立即购买
    5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：TPESD7205DT5G 编号：C2844717
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：低工作电压：5V。 超低电容：0.2pF（典型值，IO到IO）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±23kV 接触放电：±20kV。 -IEC 61000-4-5（闪电）3A（8/20μs）。应用：手机及配件。 个人数字助理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7937

    • 50+

      ￥0.6965

    • 150+

      ￥0.6549

    • 500+

      ￥0.6029

    • 2500+

      ￥0.5044

    • 5000+

      ￥0.4905
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET,电流:200mA,耐压:60V
    型号：2N7002KM 编号：C5174641
    封装：SOT-723
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款N沟道MOS管采用SOT-723封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
    数据手册

    • 20+

      ￥0.160645 ￥0.1691

    • 200+

      ￥0.127205 ￥0.1339

    • 600+

      ￥0.108585 ￥0.1143

    • 2000+

      ￥0.097375 ￥0.1025

    • 8000+

      ￥0.08056 ￥0.0848

    • 16000+

      ￥0.075335 ￥0.0793
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
    型号：BM3134KE 编号：C18199558
    封装：SOT-723
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    无铅产品采用先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计实现超低导通电阻，采用SOT - 723表面贴装封装。

    • 20+

      ￥0.1671

    • 200+

      ￥0.1293

    • 600+

      ￥0.1083

    • 2000+

      ￥0.0957

    • 8000+

      ￥0.0817

    • 16000+

      ￥0.0759
  • 有货
    • 立即购买
    偏置电阻晶体管，NPN 硅表面贴装晶体管
    型号：LDTC144EM3T5G 编号：C883199
    封装：SOT-723
    品牌：LRC(乐山无线电)
    这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1771

    • 200+

      ￥0.1418

    • 600+

      ￥0.1222

    • 2000+

      ￥0.1105
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V
    型号：SSM3K15AMFV,L3F 编号：C516857
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：2.5V驱动，低导通电阻：RDS(ON) = 3.6Ω（最大值）(@ VGS = 4V)；RDS(ON) = 6.0Ω（最大值）(@ VGS = 2.5V)。应用：负载开关应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1878

    • 200+

      ￥0.1442

    • 600+

      ￥0.12

    • 2000+

      ￥0.1054

    • 8000+

      ￥0.0928

    • 16000+

      ￥0.0861
  • 有货
    • 立即购买
    NPN型，100mA、50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTC143ZMT2L 编号：C253321
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻 R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。 互补 PNP 类型：DTA143Z 系列。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2266

    • 100+

      ￥0.1757

    • 300+

      ￥0.1502

    • 1000+

      ￥0.1312

    • 5000+

      ￥0.1159

    • 8000+

      ￥0.1082
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTC114EM 编号：C2975823
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
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    • 10+

      ￥0.2594

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      ￥0.2075

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：TPM2030-3/TR 编号：C558624
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：RDS(on) = 典型值200mΩ，VGS = 4.5V。 RDS(on) = 典型值250mΩ，VGS = 2.5V。 获得无铅产品。 表面贴装封装，N沟道开关，低RDS(on)。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
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    • 20+

      ￥0.2688

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    NPN 电流:100mA 电压:65V
    型号：BC846BM3T5G 编号：C232536
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    此 NPN 晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
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      ￥0.3176

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    ESD 5V截止 峰值脉冲电流：1.5A
    型号：ESD7C5.0DT5G-MS 编号：C5331073
    封装：SOT-723
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：最多保护2条线路。 峰值脉冲电流（8/20μs）：1.5A。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±15kV，接触放电±8kV。 低泄漏电流。 工作电压：3.3-5V。 符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：汽车应用。 CAN总线
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    • 10+

      ￥0.38828 ￥0.4568

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      ￥0.30668 ￥0.3608

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    ESD 5V截止
    型号：TPD2EUSB30DRTR 编号：C3040102
    封装：SOT-723
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：每线100瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20µs）。 保护两条线路。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2（ESD）±17kV（空气），±10kV（接触）。应用：手机及配件。 天线
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      ￥0.765085 ￥0.9001

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      ￥0.67048 ￥0.7888

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      ￥0.51629 ￥0.6074
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    5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：TPESD7C5.0DT5G 编号：C2844718
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款静电放电(ESD)为电压敏感部件提供保护。绝佳的箱位功能、低泄漏和快速响应时间为接触ESD的设计提供了业内最佳的保护。由于尺寸小，因此适用于智能手机、智能手表或板空间非常宝贵的其它许多便携式/可穿戴应用.
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    • 5+

      ￥0.7929

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    ESD 3.3V截止
    型号：UESD3.3DT5G 编号：C233435
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    μESD系列产品旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。其出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于尺寸小巧，该系列产品适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用
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      ￥1.2069

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      ￥0.9636

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    ESD 5V截止
    型号：TPD2E009DRTR 编号：C3040101
    封装：SOT-723
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：每条线100瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20 μs）。 保护两条线路。 低钳位电压。 工作电压：5V。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±17kV，接触放电：±10kV。应用：手机及配件。 天线
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      ￥1.211725 ￥1.2755

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      ￥0.713545 ￥0.7511

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