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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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操作
特性:56 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±25kV,接触放电 ±20kV。应用:数字电视。 机顶盒和数字电视
  • 5+

    ¥0.6675
  • 50+

    ¥0.5772
  • 150+

    ¥0.5385
  • 500+

    ¥0.4902
  • 2500+

    ¥0.4687
  • 5000+

    ¥0.4558
  • 有货
  • 特性:低工作电压:5V。 超低电容:0.2pF(典型值,IO到IO)。 超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±23kV 接触放电:±20kV。 -IEC 61000-4-5(闪电)3A(8/20μs)。应用:手机及配件。 个人数字助理
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1113
    • 50+

      ¥0.8784
    • 150+

      ¥0.7785
    • 500+

      ¥0.654
    • 2500+

      ¥0.5232
    • 5000+

      ¥0.4899
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1756
    • 200+

      ¥0.1389
    • 600+

      ¥0.1185
    • 2000+

      ¥0.1063
    • 8000+

      ¥0.0957
  • 有货
  • 特性:与MMBT3904M互补。 小封装
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1778
    • 200+

      ¥0.1454
    • 600+

      ¥0.1274
    • 2000+

      ¥0.1166
    • 8000+

      ¥0.0921
    • 16000+

      ¥0.0871
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动,适用于便携式设备。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:接口。 开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1864
    • 200+

      ¥0.1459
    • 600+

      ¥0.1234
    • 2000+

      ¥0.1099
    • 8000+

      ¥0.0982
    • 16000+

      ¥0.0919
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2476
    • 200+

      ¥0.1941
    • 600+

      ¥0.1644
    • 2000+

      ¥0.1466
    • 8000+

      ¥0.122
    • 16000+

      ¥0.1136
  • 有货
  • 这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2507
    • 200+

      ¥0.1972
    • 600+

      ¥0.1675
    • 2000+

      ¥0.1497
    • 8000+

      ¥0.125
    • 16000+

      ¥0.1167
  • 有货
  • 特性:低工作电压:5V。 超低电容:典型值0.2pF(IO到IO)。 超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电±22kV,接触放电±20kV。 -IEC 61000-4-5(闪电)3A(8/20μs)。应用:手机及配件。 个人数字助理
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1573
    • 50+

      ¥0.9244
    • 150+

      ¥0.8246
    • 500+

      ¥0.7001
    • 2500+

      ¥0.5693
    • 5000+

      ¥0.5361
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 低导通电阻(RDS(on))的N沟道开关。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1496
    • 200+

      ¥0.1172
    • 600+

      ¥0.0992
    • 2000+

      ¥0.0884
    • 8000+

      ¥0.0761
    • 16000+

      ¥0.071
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906M互补。 小封装
    数据手册
    • 20+

      ¥0.172
    • 200+

      ¥0.1405
    • 600+

      ¥0.123
    • 2000+

      ¥0.1125
    • 8000+

      ¥0.0987
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1893
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1258
    • 2000+

      ¥0.1122
    • 8000+

      ¥0.1004
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1893
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1258
    • 2000+

      ¥0.1122
  • 有货
  • 数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。
    • 20+

      ¥0.166535 ¥0.1753
    • 200+

      ¥0.130625 ¥0.1375
    • 600+

      ¥0.110675 ¥0.1165
    • 2000+

      ¥0.098705 ¥0.1039
    • 8000+

      ¥0.088255 ¥0.0929
    • 16000+

      ¥0.082745 ¥0.0871
  • 有货
  • 特性:小封装。 与MMBT3904M互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1891
    • 200+

      ¥0.1468
    • 600+

      ¥0.1233
    • 2000+

      ¥0.1092
    • 8000+

      ¥0.0897
    • 16000+

      ¥0.0831
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻 R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补 PNP 类型:DTA143Z 系列。应用:反相器。 接口
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2246
    • 100+

      ¥0.1744
    • 300+

      ¥0.1493
    • 1000+

      ¥0.1304
    • 5000+

      ¥0.1154
    • 8000+

      ¥0.1078
  • 有货
  • 此款NPN型三极管(BJT)适用于广泛的电子设备中,具备集电极电流IC为0.15A,确保了在低功率应用中的高效性能。其集电极-发射极电压VCEO高达50V,使其能够承受较高的反向电压,增强了使用的安全性与稳定性。该三极管的直流电流增益HFE范围为180至390,能够提供良好的信号放大效果。此外,其过渡频率FT达到180MHz,表明它在高频工作环境下仍能保持优秀的性能表现。这些特性使得这款三极管成为需要高灵敏度和稳定性的电路设计的理想选择。
    • 10+

      ¥0.23607 ¥0.2623
    • 100+

      ¥0.18801 ¥0.2089
    • 300+

      ¥0.16398 ¥0.1822
    • 1000+

      ¥0.14598 ¥0.1622
    • 5000+

      ¥0.13158 ¥0.1462
    • 8000+

      ¥0.12438 ¥0.1382
  • 有货
  • 耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):100@10mA,1V
    • 50+

      ¥0.09519 ¥0.1002
    • 500+

      ¥0.07467 ¥0.0786
    • 1500+

      ¥0.06327 ¥0.0666
    • 8000+

      ¥0.05643 ¥0.0594
    • 24000+

      ¥0.050445 ¥0.0531
    • 48000+

      ¥0.04731 ¥0.0498
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2363
    • 200+

      ¥0.1837
    • 600+

      ¥0.1544
    • 2000+

      ¥0.1369
    • 8000+

      ¥0.1065
    • 16000+

      ¥0.0983
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 P沟道开关,低Rₛₛₚₒₙ。 低逻辑电平栅极驱动操作。 栅极ESD保护。 与PCJ3139K Dr TPM2030互补。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2561
    • 100+

      ¥0.2035
    • 300+

      ¥0.1772
    • 1000+

      ¥0.1574
    • 5000+

      ¥0.1242
    • 8000+

      ¥0.1163
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。互补PNP类型。应用:反相器。接口
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2756
    • 100+

      ¥0.225
    • 300+

      ¥0.1997
    • 1000+

      ¥0.1807
    • 5000+

      ¥0.1448
    • 8000+

      ¥0.1372
  • 有货
  • 5.0V低容,两路单向,4.5A,20kV,0.6pF;HDMI/USB2.0/MDDI/HBT等高速接口防护。
    • 5+

      ¥0.798
    • 50+

      ¥0.5964
    • 150+

      ¥0.4956
    • 500+

      ¥0.42
  • 有货
  • 特性:每条线100瓦峰值脉冲功率(脉冲时间tp = 8/20 μs)。 保护两条线路。 低钳位电压。 工作电压:5V。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±17kV,接触放电:±10kV。应用:手机及配件。 天线
    数据手册
    • 5+

      ¥1.15387 ¥1.2146
    • 50+

      ¥0.90003 ¥0.9474
    • 150+

      ¥0.79135 ¥0.833
    • 500+

      ¥0.655595 ¥0.6901
    • 2500+

      ¥0.564965 ¥0.5947
    • 5000+

      ¥0.528675 ¥0.5565
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1814
    • 200+

      ¥0.1409
    • 600+

      ¥0.1184
    • 2000+

      ¥0.1049
    • 8000+

      ¥0.0932
    • 16000+

      ¥0.0869
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2282
    • 200+

      ¥0.1824
    • 600+

      ¥0.157
    • 2000+

      ¥0.1418
    • 8000+

      ¥0.1173
    • 16000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 超小型封装,适合高密度安装。 集成偏置电阻,减少外部部件数量,可减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供多种电阻值选择,以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.3159
    • 100+

      ¥0.2462
    • 300+

      ¥0.2114
    • 1000+

      ¥0.1853
    • 5000+

      ¥0.1644
    • 8000+

      ¥0.154
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格(请参阅可订购的零件编号列表)。 超小型封装,适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4069
    • 100+

      ¥0.3205
    • 300+

      ¥0.2773
    • 1000+

      ¥0.2449
    • 5000+

      ¥0.219
    • 8000+

      ¥0.206
  • 有货
  • 这款低容2线静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GPIO等高速协议的数据端口.
    • 5+

      ¥0.674025 ¥0.7095
    • 50+

      ¥0.586245 ¥0.6171
    • 150+

      ¥0.548625 ¥0.5775
    • 500+

      ¥0.5016 ¥0.528
    • 2500+

      ¥0.4807 ¥0.506
    • 5000+

      ¥0.46816 ¥0.4928
  • 有货
  • 特性:56W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:空气放电 ±25kV,接触放电 ±20kV。应用:数字电视。 机顶盒和数字电视
    • 5+

      ¥0.74169 ¥0.8241
    • 50+

      ¥0.65664 ¥0.7296
    • 150+

      ¥0.62019 ¥0.6891
    • 500+

      ¥0.57465 ¥0.6385
    • 2500+

      ¥0.44154 ¥0.4906
    • 5000+

      ¥0.42939 ¥0.4771
  • 有货
  • 小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR
    • 50+

      ¥0.0834
    • 500+

      ¥0.0645
    • 1500+

      ¥0.054
    • 8000+

      ¥0.0487
  • 有货
  • 小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.7A, Rdson:400mR,印字:KD
    • 50+

      ¥0.08417 ¥0.0886
    • 500+

      ¥0.065075 ¥0.0685
    • 1500+

      ¥0.054435 ¥0.0573
    • 8000+

      ¥0.04921 ¥0.0518
    • 24000+

      ¥0.0437 ¥0.046
    • 48000+

      ¥0.04066 ¥0.0428
  • 有货
  • 立创商城为您提供VESM二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买VESM二极管提供详细信息
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