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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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单向TVS 5.5V截止
型号：TPD2EUSB30DRTR-TP 编号：C2844720
封装：SOT-723
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
特性：支持USB 3.0数据速率（5 Gbps）。 超低电容：典型值0.4pF（I/O到GND）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5.5V。 单向TVS二极管阵列。 低钳位电压。应用：笔记本电脑。 机顶盒
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    ￥0.5605
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    单向TVS 5.5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：TPD2E009DRTR-TP 编号：C2858690
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：支持USB 3.0数据速率（5 Gbps）。 超低电容：典型值0.4pF（I/O到GND）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5.5V。 单向TVS二极管阵列。 低钳位电压。应用：笔记本电脑。 机顶盒
    数据手册

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      ￥1.1728

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      ￥1.0341

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      ￥0.7399
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    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:100mA
    型号：RZM001P02T2L 编号：C308762
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。 驱动电路简单。 内置G-S保护二极管。应用：开关
    数据手册

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      ￥0.23

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    ESD 3.5V截止
    型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4142

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      ￥0.3297

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      ￥0.2557
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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A 16A
    型号：SZESD7205DT5G 编号：C604769
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.64

    • 10+

      ￥2.09

    • 30+

      ￥1.85
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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：16A@100ns
    型号：ESD7205DT5G 编号：C896227
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.3

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      ￥4.25

    • 30+

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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：1A
    型号：ESD7M5.0DT5G 编号：C463451
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7M5.0DT5G旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容超低，仅为2 。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.96

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      ￥3.87

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    双向ESD 5V截止
    型号：ESD7L5.0DT5G 编号：C605398
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    ESD7L系列旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。该系列具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时其二极管电容低至0.5pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护，避免其受损。
    数据手册

    • 8000+

      ￥2.659005

    • 16000+

      ￥2.63505

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      ￥2.58714
    我要订货
    50V 100mA
    型号：DTC143ZM 编号：C51933948
    封装：SOT-723
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 20+

      ￥0.2343

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      ￥0.1838

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      ￥0.1389
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    HL3139KE
    型号：HL3139KE 编号：C52204690
    封装：SOT-723
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.1893

    • 200+

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    • 600+

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      ￥0.1004
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    HL3134KE
    型号：HL3134KE 编号：C52204686
    封装：SOT-723
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.0991

    • 200+

      ￥0.0969

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    单向ESD 5.5V截止 峰值浪涌电流：3A
    型号：H5V5L23UA 编号：C46867043
    封装：SOT-723
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±18 kV。IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±15 kV。IEC 61000-4-5 (雷电 8/20 μs)：3A。应用：手机及配件。个人数字助理

    • 5+

      ￥0.4914

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：2N7002EM3T5G 编号：C907843
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2363

    • 200+

      ￥0.1837

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:1.4A
    型号：RC3134KM3 编号：C5137092
    封装：SOT-723
    品牌：RealChip(正芯半导体)
    RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻 RDS(ON)，且栅极电荷较低。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1343

    • 200+

      ￥0.1046

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    • 2000+

      ￥0.0782

    • 8000+

      ￥0.0674

    • 16000+

      ￥0.0627
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    NPN 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3904M 编号：C2923360
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2232

    • 200+

      ￥0.172

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      ￥0.1004

    • 16000+

      ￥0.0924
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.85A
    型号：TPNTK3139PT1G 编号：C558623
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2307

    • 200+

      ￥0.1827

    • 600+

      ￥0.1587

    • 2000+

      ￥0.1407

    • 8000+

      ￥0.1193

    • 16000+

      ￥0.112
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:200mA
    型号：MMBT3906M 编号：C5310928
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：小封装。 与MMBT3904M互补
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1393

    • 200+

      ￥0.1217

    • 600+

      ￥0.1119

    • 2000+

      ￥0.106

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      ￥0.0937

    • 16000+

      ￥0.0909
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
    型号：CJ3139K 编号：C70022
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2073

    • 200+

      ￥0.1682

    • 600+

      ￥0.1465

    • 2000+

      ￥0.1334

    • 8000+

      ￥0.1076

    • 16000+

      ￥0.1015
  • 有货
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC143ZM 编号：C53066
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于器件设计
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1798

    • 200+

      ￥0.1441

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    • 8000+

      ￥0.1021

    • 16000+

      ￥0.0966
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:0.1A
    型号：2SK3541 编号：C2912553
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2111

    • 200+

      ￥0.1633

    • 600+

      ￥0.1367

    • 2000+

      ￥0.1207

    • 8000+

      ￥0.0968

    • 16000+

      ￥0.0894
  • 有货
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    NPN型，100mA、50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTC043ZMT2L 编号：C308683
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型：DTA043Z系列。应用：反相器。接口
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2176

    • 200+

      ￥0.174

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      ￥0.1498

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      ￥0.1353

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      ￥0.1069

    • 16000+

      ￥0.1001
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：WNM2030 编号：C3011190
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2315

    • 200+

      ￥0.1781

    • 600+

      ￥0.1484

    • 2000+

      ￥0.1306

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      ￥0.1188

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      ￥0.1105
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    ESD 3.3V截止 峰值脉冲电流：1.5A
    型号：ESD7C3.3DT5G-MS 编号：C5331072
    封装：SOT-723
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：最多保护2条线路。 峰值脉冲电流（8/20μs）：1.5A。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 低泄漏电流。 工作电压：3.3-5V。 符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：汽车应用。 CAN总线
    数据手册

    • 10+

      ￥0.326515 ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.258115 ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.223915 ￥0.2357

    • 1000+

      ￥0.198265 ￥0.2087

    • 5000+

      ￥0.177745 ￥0.1871

    • 8000+

      ￥0.167485 ￥0.1763
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    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:750mA
    型号：CJ3134K KF 编号：C62503
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1765

    • 200+

      ￥0.1415

    • 600+

      ￥0.1221

    • 2000+

      ￥0.1104

    • 8000+

      ￥0.1003

    • 16000+

      ￥0.0949
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC143ZM 编号：C5311015
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2627

    • 200+

      ￥0.2092

    • 600+

      ￥0.1795

    • 2000+

      ￥0.1617

    • 8000+

      ￥0.1371

    • 16000+

      ￥0.1287
  • 有货
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    5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：TPESD7L5.0DT5G 编号：C2844719
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：低工作电压：5V。 超低电容：0.2pF（典型值，IO 到 IO）。 超低泄漏：nA 级别。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±23kV 接触放电：±20kV。 -IEC 61000-4-5（Lightning）3A（8/20μs）。应用：手机及配件。 个人数字助理
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      ￥0.850725 ￥1.1343

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:200mA
    型号：RUM002N02T2L 编号：C250130
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
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    内置偏置电阻的逆变器电路晶体管
    型号：DTC143ZM 编号：C49274030
    封装：SOT-723
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:900mA
    型号：WNM2030-3/TR-ES 编号：C22363752
    封装：SOT-723
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：TPNTK3134NT1G 编号：C587154
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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