VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：DAN222MFHT2L 编号：C19501205

封装：SOT-723

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型号：RUM001L02T2CL 编号：C253528

封装：SOT-723

特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

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型号：TPD2EUSB30DRTR-TP 编号：C2844720

封装：SOT-723

特性：支持USB 3.0数据速率（5 Gbps）。超低电容：典型值0.4pF（I/O到GND）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5.5V。单向TVS二极管阵列。低钳位电压。应用：笔记本电脑。机顶盒

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型号：RZM001P02T2L 编号：C308762

封装：SOT-723

特性：低电压驱动（1.2V），适用于便携式设备。驱动电路简单。内置G-S保护二极管。应用：开关

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型号：TPD2E009DRTR-TP 编号：C2858690

封装：SOT-723

特性：支持USB 3.0数据速率（5 Gbps）。超低电容：典型值0.4pF（I/O到GND）。超低泄漏：nA级别。低工作电压：5.5V。单向TVS二极管阵列。低钳位电压。应用：笔记本电脑。机顶盒

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型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

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型号：ESD7L5.0DT5G 编号：C605398

封装：SOT-723

ESD7L系列旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。该系列具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时其二极管电容低至0.5pF，能为集成电路（IC）提供一流的ESD防护，避免其受损。

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型号：SZESD7205DT5G 编号：C604769

封装：SOT-723

ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能匹配走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。

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型号：ESD7M5.0DT5G 编号：C463451

封装：SOT-723

ESD7M5.0DT5G旨在保护电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）造成的损坏，适用于需要超低电容以保持信号完整性的应用场景。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，同时二极管电容超低，仅为2 。

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型号：ESD7205DT5G 编号：C896227

封装：SOT-723

ESD7205 ESD保护二极管阵列旨在保护高速数据线免受ESD影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直通式封装便于PCB布局，并能实现匹配的走线长度，这对于保持高速差分线（如汽车摄像头模块中的以太网和LVDS）之间的一致阻抗至关重要。

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型号：DTC143ZM 编号：C51933948

封装：SOT-723

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

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型号：WNM2030 编号：C3011190

封装：SOT-723

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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20+
￥0.2315
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型号：CJ3134K KF 编号：C62503

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,20V,0.75A,380mΩ@4.5V

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型号：MMBT3904M 编号：C2923360

封装：SOT-723

这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。

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型号：TPNTK3139PT1G 编号：C558623

封装：SOT-723

特性：无铅产品。表面贴装封装。低导通电阻的P沟道开关。低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口、逻辑开关

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20+
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型号：ESD7C3.3DT5G-MS 编号：C5331072

封装：SOT-723

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：最多保护2条线路。峰值脉冲电流（8/20μs）：1.5A。 IEC61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。低泄漏电流。工作电压：3.3-5V。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：汽车应用。 CAN总线

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￥0.343805 ￥0.3619
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型号：DTC043ZMT2L 编号：C308683

封装：SOT-723

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型：DTA043Z系列。应用：反相器。接口

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20+
￥0.2211
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型号：MMBT3904M 1N 编号：C70409

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与MMBT3906M互补。小封装

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￥0.1006
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型号：DTC143ZM 编号：C53066

封装：SOT-723

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于器件设计

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￥0.1723
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型号：RUM001L02-TP 编号：C2827706

封装：SOT-723

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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20+
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￥0.1747
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型号：DTC143ZM 编号：C5311015

封装：SOT-723

这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

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￥0.2518
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￥0.1983
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型号：H5V5L23UA 编号：C46867043

封装：SOT-723

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：低泄漏电流。低钳位电压。IEC 61000-4-2 (ESD 空气放电)：±18 kV。IEC 61000-4-2 (ESD 接触放电)：±15 kV。IEC 61000-4-5 (雷电 8/20 μs)：3A。应用：手机及配件。个人数字助理

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￥0.7047
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￥0.6147
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￥0.5472
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型号：TPESD7L5.0DT5G 编号：C2844719

封装：SOT-723