VESM二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2SA2029M3T5G 编号：C896169

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

这款PNP晶体管专为通用放大器应用而设计。该器件采用SOT−723封装，这种封装专为低功耗表面贴装应用而设计，适用于电路板空间有限的场景。

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5+
￥1.9796
50+
￥1.5652
150+
￥1.3876

有货

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型号：DTC044EMT2L 编号：C3589127

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得容易。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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20+
￥0.1721
200+
￥0.1333
600+
￥0.1117

有货

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型号：2SC5658T2LQ 编号：C308649

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

通用小信号放大器（50V，150mA）

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10+
￥0.1862
100+
￥0.1822
300+
￥0.1795

有货

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型号：DTC143EMT2L 编号：C3000090

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 4.7kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

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10+
￥0.2273
100+
￥0.1774
300+
￥0.1524

有货

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型号：RN1107MFV,L3F(CT 编号：C17532991

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

10+
￥0.2344
100+
￥0.2294
300+
￥0.2261

有货

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型号：WM02P06H 编号：C3030960

封装：SOT-723

品牌：Wayon(上海维安)

特性：VDS = -20V，ID = -0.66A。 RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5V。 RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5V。支持高密度PCB制造。低电压驱动，适用于便携式设备。先进的沟槽工艺技术。 ESD保护

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10+
￥0.2765
100+
￥0.2189
300+
￥0.1901
1000+
￥0.1685
5000+
￥0.1441
8000+
￥0.1354

有货

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型号：DTC114EMGT2L 编号：C559317

封装：VMT-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补PNP类型。复杂晶体管。应用：开关电路。反相器电路

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10+
￥0.3016
100+
￥0.2415
300+
￥0.2115

有货

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型号：DTC114YM3T5G 编号：C463692

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

NPN 双极数字晶体管 (BRT)

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5+
￥0.4792
50+
￥0.469
150+
￥0.4621

有货

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型号：NSVBC856BM3T5G 编号：C896455

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

该晶体管专为通用放大器应用而设计。它采用 SOT-723 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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5+
￥0.674
50+
￥0.5447
150+
￥0.4801

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型号：NSVBC846BM3T5G 编号：C896454

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

特性：湿度敏感度等级：1级。 ESD 等级：人体模型：>4000V；机器模型：>400V。 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这是无铅器件

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5+
￥0.793
50+
￥0.6345
150+
￥0.5553

有货

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型号：DTC123JM3T5G 编号：C232548

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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5+
￥0.9014
50+
￥0.8788
150+
￥0.8637

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型号：2SC5658RM3T5G 编号：C232476

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-723 封装，适用于电路板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

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1+
￥1.0491
10+
￥0.8234
30+
￥0.7266

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型号：MMBT3904M 编号：C962756

封装：SOT-723

品牌：SHIKUES(时科)

50+
￥0.0899
500+
￥0.0712
1500+
￥0.0607
8000+
￥0.0496
24000+
￥0.0441
48000+
￥0.0412

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型号：DTA143ZMT2L 编号：C308680

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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10+
￥0.1673
100+
￥0.1642
300+
￥0.1621
1000+
￥0.16

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型号：NTK3134NT5G 编号：C896490

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，890 mA，单 N 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

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单价：
￥0.22704 / 个

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型号：NTK3139PT5G 编号：C415718

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，20 V，780 mA，单 P 沟道，带 ESD 防护，SOT-723

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单价：
￥0.23088 / 个

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型号：DTA143EM3T5G 编号：C896195

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，一个是串联基极电阻，另一个是基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件的使用。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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单价：
￥0.2082 / 个

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型号：SSM3K16FV,L3F 编号：C6497279

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：适合高密度安装，采用紧凑型封装。低导通电阻：Ron = 3.0Ω max (VGS = 4V)；Ron = 4.0Ω max (VGS = 2.5V)；Ron = 15Ω max (VGS = 1.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.712
50+
￥0.6945
150+
￥0.6828

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型号：SSM3K44MFV,L3F 编号：C5761409

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。适合高密度安装的紧凑型封装。低导通电阻：RDS(ON) = 4.0Ω（最大值） (VGS = 4V)；RDS(ON) = 7.0Ω（最大值） (VGS = 2.5V)。应用：高速开关应用。模拟开关应用

5+
￥0.7406
50+
￥0.7219
150+
￥0.7094

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型号：NTK3043NT5G 编号：C896489

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

特性：支持高密度PCB制造。比SC-89占位面积小44%，比SC-89薄38%。低电压驱动，适用于便携式设备。低阈值电平，VGS(TH) < 1.3V。低外形（< 0.5mm），可轻松适配超薄环境，如便携式电子产品。可在标准逻辑电平栅极驱动下工作，便于使用相同基本拓扑向更低电平迁移。应用：接口、开关。高速开关

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