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首页 > 热门关键词 > VESM二极管
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描述
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操作
PNP 电流:1A 电压:12V
型号：NSS12100M3T5G 编号：C463395
封装：SOT-723
品牌：onsemi(安森美)
低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
数据手册

  • 1+

    ￥5.69

  • 10+

    ￥4.64

  • 30+

    ￥4.11
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:40V
    型号：MMBT2222AM3T5G-MS 编号：C7434271
    封装：SOT-723
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：100mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100-300 PNP 双极晶体管 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23 三引线器件的副产品

    • 250+

      ￥0.302588

    • 500+

      ￥0.230874
    我要订货
    P沟道,电流:200mA,耐压:20V
    型号：SL002P02K 编号：C3041285
    封装：SOT-723
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 P VDSS(V) -20 ID@TC=30?C(A) ±0.2 PD@TC=30?C(W) 0.15 VGS(V) ±10 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.10V 1200
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2856

    • 100+

      ￥0.228

    • 300+

      ￥0.1992

    • 1000+

      ￥0.1776

    • 5000+

      ￥0.1495

    • 8000+

      ￥0.1409
  • 订货
    • 我要订货
    NPN数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTC043EMT2L 编号：C510323
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3271

    • 50+

      ￥0.3201

    • 150+

      ￥0.3155
  • 有货
    • 立即购买
    TPDF3A6.8LFV
    型号：TPDF3A6.8LFV 编号：C41408065
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

    • 5+

      ￥0.4898

    • 50+

      ￥0.3842

    • 150+

      ￥0.3314

    • 500+

      ￥0.2918

    • 2500+

      ￥0.2601

    • 5000+

      ￥0.2442
  • 订货
    • 我要订货
    DTA114EMT2L
    型号：DTA114EMT2L 编号：C17624479
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)

    • 5+

      ￥0.9873

    • 50+

      ￥0.9625

    • 150+

      ￥0.946
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA
    型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C2929215
    封装：SOT-723-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.2V驱动低导通电阻: RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。 重量：1.5mg（典型值）

    • 5+

      ￥1.0128

    • 50+

      ￥0.7891

    • 150+

      ￥0.6932
  • 有货
    • 立即购买
    DTC143EM
    型号：DTC143EM 编号：C42375206
    封装：SOT-723
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

    • 20+

      ￥0.0813

    • 200+

      ￥0.0794

    • 600+

      ￥0.0782

    • 2000+

      ￥0.0769
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：YJL3134KAT 编号：C20605872
    封装：SOT-723
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力

    • 10+

      ￥0.256

    • 100+

      ￥0.207

    • 300+

      ￥0.1825

    • 1000+

      ￥0.1642

    • 5000+

      ￥0.1495

    • 8000+

      ￥0.1421
  • 订货
    • 我要订货
    NPN型，100mA、50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTC143EMT2L 编号：C2984994
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 1+

      ￥0.4178

    • 10+

      ￥0.3361

    • 30+

      ￥0.2952
  • 有货
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    NPN型，100mA、50V数字晶体管
    型号：DTC114YMT2L 编号：C3588975
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = 10kΩ，R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时仅需设置开/关条件，使电路设计更简单。 互补PNP类型：DTA114Y系列。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8896

    • 50+

      ￥0.8727

    • 150+

      ￥0.8614
  • 有货
    • 立即购买
    PNP-100mA-50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
    型号：DTA043ZMT2L 编号：C161957
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。 互补NPN类型。应用：反相器。 接口

    • 1+

      ￥1.48

    • 10+

      ￥1.44

    • 30+

      ￥1.41
  • 有货
    • 立即购买
    5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：TPE7205RX3 编号：C2844716
    封装：SOT-723
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：低工作电压：5V。超低电容：典型值 0.2pF（IO 到 IO）。超低泄漏：nA 级别。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±18kV 接触放电：±12kV。IEC61000-4-5（闪电）3A（8/20μs）。应用：手机及配件。个人数字助理
    数据手册

    • 5+

      ￥1.876

    • 50+

      ￥1.4828

    • 150+

      ￥1.3144

    • 500+

      ￥1.1041

    • 2500+

      ￥0.883

    • 5000+

      ￥0.8268
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002EM3T5G 编号：C5273369
    封装：SOT-723
    品牌：LRC(乐山无线电)
    数据手册

    • 11000+

      ￥0.12

    • 22000+

      ￥0.118

    • 44000+

      ￥0.115

    • 88000+

      ￥0.11
    我要订货
    50V 100mA
    型号：DTC115EM3T5G 编号：C232597
    封装：SOT-723
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
    数据手册

    • 48000+

      ￥0.2082

    • 96000+

      ￥0.20473

    • 192000+

      ￥0.199525

    • 384000+

      ￥0.19085
    我要订货
    DTC115EM
    型号：DTC115EM 编号：C19269153
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)

    • 20+

      ￥0.1833

    • 200+

      ￥0.1428

    • 600+

      ￥0.1203

    • 2000+

      ￥0.1068

    • 8000+

      ￥0.0951

    • 16000+

      ￥0.0888
  • 订货
    • 我要订货
    NPN 电流:500mA 电压:12V
    型号：2SC5663GT2L 编号：C525560
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：高电流。低集电极 发射极饱和电压(在集电极电流为 200mA、基极电流为 10mA 时,集电极 发射极饱和电压为 250mV)。应用：低频放大器。驱动器
    数据手册

    • 15+

      ￥0.504304

    • 30+

      ￥0.4863

    • 100+

      ￥0.468282

    • 500+

      ￥0.39901

    • 1000+

      ￥0.382378
    我要订货
    NTK3134NT1G-VB
    型号：NTK3134NT1G-VB 编号：C45662543
    封装：SOT-723
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；0.9A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~0.9V；是一款采用Trench技术低电压单N沟道MOSFET，适用于传感器接口、医疗电子、智能家居等应用领域。

    • 100+

      ￥0.2025

    • 1000+

      ￥0.195

    • 3000+

      ￥0.1875

    • 6000+

      ￥0.1725

    • 10000+

      ￥0.168
    我要订货
    P沟道 耐压:20V 电流:0.66A
    型号：CJ3139KA 编号：C2910278
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2478

    • 200+

      ￥0.1944

    • 600+

      ￥0.1647

    • 2000+

      ￥0.1469

    • 8000+

      ￥0.1314

    • 16000+

      ￥0.1231
  • 订货
    • 我要订货
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTA143XM 编号：C2975663
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，可对输入进行正偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2548

    • 100+

      ￥0.203

    • 300+

      ￥0.1771

    • 1000+

      ￥0.1576

    • 5000+

      ￥0.1421

    • 8000+

      ￥0.1343
  • 订货
    • 我要订货
    N沟道 MOSFET,电流:0.56A,耐压:30V
    型号：LNTK4003M3T5G 编号：C2912038
    封装：SOT-723
    品牌：LRC(乐山无线电)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3656

    • 100+

      ￥0.2947

    • 300+

      ￥0.2593

    • 1000+

      ￥0.2327

    • 5000+

      ￥0.2115

    • 8000+

      ￥0.2008
  • 订货
    • 我要订货
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTA114EM 编号：C2975666
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1342

    • 100+

      ￥0.1311

    • 300+

      ￥0.129

    • 1000+

      ￥0.1269
  • 订货
    • 我要订货
    AD-DTA113ZM
    型号：AD-DTA113ZM 编号：C2975812
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1415

    • 100+

      ￥0.1384

    • 300+

      ￥0.1364

    • 1000+

      ￥0.1343
  • 订货
    • 我要订货
    AD-DTC124EM
    型号：AD-DTC124EM 编号：C2975827
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.142

    • 100+

      ￥0.1389

    • 300+

      ￥0.1368

    • 1000+

      ￥0.1347
  • 订货
    • 我要订货
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTA123YM 编号：C2975814
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2548

    • 100+

      ￥0.203

    • 300+

      ￥0.1771

    • 1000+

      ￥0.1576

    • 5000+

      ￥0.1421

    • 8000+

      ￥0.1343
  • 订货
    • 我要订货
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTC114TM 编号：C2975824
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2548

    • 100+

      ￥0.203

    • 300+

      ￥0.1771

    • 1000+

      ￥0.1576

    • 5000+

      ￥0.1421

    • 8000+

      ￥0.1343
  • 订货
    • 我要订货
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：AD-DTA144EM 编号：C2975817
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，可实现输入的正偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2548

    • 100+

      ￥0.203

    • 300+

      ￥0.1771

    • 1000+

      ￥0.1576

    • 5000+

      ￥0.1421

    • 8000+

      ￥0.1343

    • 16000+

      ￥0.1327

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    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：RUM002N05MGT2L 编号：C250128
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    N沟道 50V 200mA
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
    型号：SSM3K36MFV,L3F 编号：C6685633
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻：Rₒₙ = 1.52Ω (最大值) (VGS = 1.5V)。Rₒₙ = 1.14Ω (最大值) (VGS = 1.8V)。Rₒₙ = 0.85Ω (最大值) (VGS = 2.5V)。Rₒₙ = 0.66Ω (最大值) (VGS = 4.5V)。Rₒₙ = 0.63Ω (最大值) (VGS = 5.0V)

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:100mA
    型号：SSM3J35MFV,L3F 编号：C146349
    封装：SOT-723
    品牌：TOSHIBA(东芝)
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