STW42N65M5
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类MOS管
- 中文描述N沟道650V、0.070 Ohm典型值、33A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装
- 英文描述D44H11,NPN Bipolar Transistor,20A 80V HFE:40 Power,3-Pin TO-220
- 数据手册STW42N65M5数据手册Datasheet PDF
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STW42N65M5概述
MDmesh V是一种革命性的功率MOSFET技术，它基于创新的专有垂直工艺，并与意法半导体著名的PowerMESH水平布局结构相结合。该产品具有极低的导通电阻，在硅基功率MOSFET中无与伦比，因此特别适用于需要超高功率密度和出色效率的应用。
所有功能
100%经过雪崩测试
TO-220全球最佳RDS(on)
高dv/dt能力
更高的VDSS额定值
易于驱动
出色的开关性能
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TO-220全球最佳RDS(on)
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出色的开关性能
STW42N65M5中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | Qg-栅极电荷: | 98 nC |
| 产品种类: | MOSFET | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 技术: | Si | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 安装风格: | Through Hole | Pd-功率耗散: | 190 W |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 | 通道模式: | Enhancement |
| 晶体管极性: | N-Channel | 配置: | Single |
| 通道数量: | 1 Channel | 下降时间: | 13 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V | 上升时间: | 24 ns |
| Id-连续漏极电流: | 33 A | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Rds On-漏源导通电阻: | 70 mOhms | 典型关闭延迟时间: | 65 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 25 V, + 25 V | 典型接通延迟时间: | 61 ns |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
STW42N65M5引脚图
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