STGF3NC120HD
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类IGBT
- 中文描述<span>IGBT,6A,2.8V,25W,1.2kV,TO-220FP,3引脚</span><span></span>
- 英文描述IGBT Transistor,6 A 1200 V,1MHz,3-Pin TO-220FP
- 数据手册STGF3NC120HD数据手册Datasheet PDF
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STGF3NC120HD概述
STGF3NC120HD是带有超快二极管的超快IGBT。这款高电压、超高速IGBT在低传导损耗和快速开关性能之间实现了出色的权衡。它采用PowerMESH™技术设计，并结合了高压超快二极管。
高电压能力
高速
非常软的超快恢复反并联二极管
高电压能力
高速
非常软的超快恢复反并联二极管
STGF3NC120HD中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | 在25 C的连续集电极电流: | 6 A |
| 产品种类: | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | Pd-功率耗散: | 25 W |
| 技术: | Si | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 FP | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 安装风格: | Through Hole | 系列: | STGF3NC120HD |
| 配置: | Single | 集电极连续电流: | 3 A |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1.2 kV | 集电极最大连续电流 Ic: | 6 A |
| 集电极—射极饱和电压: | 2.8 V | 栅极—射极漏泄电流: | +/- 100 nA |
| 栅极/发射极最大电压: | - 20 V, 20 V |
STGF3NC120HD引脚图
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