STM32WB55CGU6

STM32WB55xx和STM32WB35xx多协议无线和超低功耗器件内嵌功能强大的超低功耗无线电模块（符合蓝牙®低功耗SIG规范5.0和IEEE 802.15.4-2011标准）。该器件内含专用的Arm®Cortex®-M0+，用于执行所有的底层实时操作。

这些器件基于高性能Arm®Cortex®-M4 32位RISC内核（工作频率可达64 MHz），旨在实现超低功耗。该内核带有单精度浮点运算单元（FPU），支持所有ARM®单精度数据处理指令和数据类型。它还具备DSP指令集和增强应用安全的内存保护单元（MPU）。

IPCC提供有六个双向通道的增强型处理器间通信。HSEM提供硬件信号量，用于在两个处理器之间共享公共资源。

这些器件内嵌高速存储器（最高1 MB Flash存储器用于STM32WB55xx、最高512 KB用于STM32WB35xx、最高256 KB的SRAM用于STM32WB55xx、96 KB用于STM32WB35xx）、一个Quad-SPI Flash存储器接口（可采用所有封装），以及广泛的增强型I/O和外设。

内存和外设之间（以及内存到内存）的直接数据传输由14个DMA通道支持，DMAMUX外设有完全灵活的通道映射。

这些器件为嵌入式Flash存储器和SRAM提供多种机制：读出保护、写入保护、专有代码读出保护。内存部分只能由Cortex®-M0+独占访问，确保安全。

两个AES加密引擎（PKA和RNG）支持底层MAC和上层加密。客户密钥存储特性可以用来隐藏密钥。

这些器件提供一个快速12位ADC和两个超低功耗比较器（带一个高精度参考电压发生器）。

这些器件内嵌一个低功耗RTC、一个高级16位定时器、一个通用32位定时器、两个通用16位定时器，以及两个16位低功耗定时器。

此外，多达18个电容式感应通道可用于STM32WB55xx（UFQFPN48封装上没有）。STM32WB55xx还内嵌一个集成式LCD驱动（可达8x40或4x44，带内部升压转换器）。

STM32WB55xx和STM32WB35xx还配有标准和高级通信接口，即：1个USART接口（ISO 7816、IrDA、Modbus和智能卡模式）、1个低功耗UART（LPUART）接口、2个I2C（SMBus/PMBus）接口、2个频率可达32 MHz的SPI接口（1个用于STM32WB35xx）、1个有双通道和3个PDM的串行音频接口（SAI）、1个USB 2.0 FS器件接口（内嵌无石英振荡器，支持BCD和LPM），以及1个Quad-SPI接口（具有本地执行（XIP）功能）。

STM32WB55xx和STM32WB35xx的工作温度范围是-40~+105°C（+125°C结温）和-40~+85°C（+105°C结温），工作电压范围是1.71~3.6 V。适合低功耗应用设计的一组完整的节电模式。

这些器件包括独立电源，用于ADC的模拟输入。

STM32WB55xx和STM32WB35xx集成了高效率SMPS降压转换器，当VDD低于VBORx（x=1,2,3,4）电压水平（默认2.0 V）时，进入自动旁路模式。它包含独立电源（用于ADC和比较器的模拟输入）和一个3.3 V专用电源输入（用于USB）。

VBAT专用电源允许器件备份LSE 32.768 kHz振荡器、RTC和备份寄存器，从而使STM32WB55xx和STM32WB35xx能够在没有主VDD时通过类似CR2032的电池、一个超级电容器或一个小型可充电电池为这些功能供电。

STM32WB55xx提供4种封装（从48到129引脚）。STM32WB35xx提供1种封装（48引脚）。

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