LM258DR
- 厂商名称TI德州仪器
- 元件分类运算放大器
- 中文描述运算放大器，SOIC封装双通道，表面贴装安装，双，单电源，精确，8引脚
- 英文描述Dual standard，industrial-grade，operational amplifier
- 数据手册LM258DR数据手册Datasheet PDF
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LM258DR概述
LM258DR是工业级双路标准运算放大器，该器件为成本敏感型应用带来了出色的价值，该器件的特性包括低失调电压（300?V，典型值）、接地共模输入范围以及高差分输入电压能力。
LM258DR运算放大器具有增强的功能，例如单位增益稳定性、较低的3mV（室温下的最大值）失调电压和每个放大器300?A（典型值）的静态电流，从而简化了电路设计。高ESD（2kV，HBM）和集成EMI以及射频滤波器可支持将LM358B和LM2904B器件用于最严苛、最具环境挑战性的应用。
LM258DR放大器采用行业通用封装SOC，8引脚。
特性
3V至36V宽电源范围（B版本）
静态电流：每个放大器300?A（B版本，典型值）
单位增益带宽为1.2MHz（B版本）
共模输入电压范围包括接地，支持近地直接检测
3mV（25°C时）的低输入失调电压（A和B版本，最大值）
内部射频和EMI滤波器（B版本）
对于符合MIL-PRF-38535标准的产品，所有参数均经过测试，除非另外注明。对于所有其他产品，生产流程不一定包含对所有参数的测试。
LM258DR运算放大器具有增强的功能，例如单位增益稳定性、较低的3mV（室温下的最大值）失调电压和每个放大器300?A（典型值）的静态电流，从而简化了电路设计。高ESD（2kV，HBM）和集成EMI以及射频滤波器可支持将LM358B和LM2904B器件用于最严苛、最具环境挑战性的应用。
LM258DR放大器采用行业通用封装SOC，8引脚。
特性
3V至36V宽电源范围（B版本）
静态电流：每个放大器300?A（B版本，典型值）
单位增益带宽为1.2MHz（B版本）
共模输入电压范围包括接地，支持近地直接检测
3mV（25°C时）的低输入失调电压（A和B版本，最大值）
内部射频和EMI滤波器（B版本）
对于符合MIL-PRF-38535标准的产品，所有参数均经过测试，除非另外注明。对于所有其他产品，生产流程不一定包含对所有参数的测试。
LM258DR中文参数
| 放大器类型 | 精确 | 最低工作温度 | -25 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +85 °C |
| 封装类型 | SOIC | 高度 | 1.58mm |
| 电源类型 | 双，单 | 尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 每片芯片通道数目 | 2 | 长度 | 4.9mm |
| 引脚数目 | 8 | 宽度 | 3.91mm |
| 典型单电源电压 | 5 → 28 V | 轨对轨 | 无 |
| 典型增加带宽产品 | 700kHz | 典型输入电压噪声密度 | 40nV/√Hz |
| 典型双电源电压 | ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V | 典型电压增益 | 100 dB |
| 典型转换速率 | 0.3V/?s |
LM258DR引脚图
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