IRF3205ZPBF
- 厂商名称Infineon英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，汽车，N沟道，55 V，110 A，0.0065 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube
- 数据手册IRF3205ZPBF数据手册Datasheet PDF
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IRF3205ZPBF概述
IRF3205ZPBF是一款HEXFET®N沟道功率MOSFET，采用最新的处理技术，可实现极低的导通电阻。该设计具有175°C结温，快速开关速度，优秀的重复性雪崩额定值。这些功能使该设计成为高可靠性设备，适用于多种应用。
先进的工艺技术
重复性雪崩可达Tjmax
应用
车用，电源管理
先进的工艺技术
重复性雪崩可达Tjmax
应用
车用，电源管理
IRF3205ZPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 110 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 55 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 宽度 | 4.69mm |
| 安装类型 | 通孔 | 长度 | 10.54mm |
| 引脚数目 | 3 | 晶体管材料 | Si |
| 最大漏源电阻值 | 7 mΩ | 最低工作温度 | -55 °C |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 系列 | HEXFET |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 高度 | 8.77mm |
| 最大功率耗散 | 170 W | 典型栅极电荷@Vgs | 76 nC @ 10 V |
IRF3205ZPBF引脚图
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