IRFR024NTRPBF
- 厂商名称Infineon(英飞凌)
- 元件分类MOS管
- 中文描述<span>英飞凌Infineon MOSFET,HEXFET系列,P沟道,Si,Vds=55 V,11 A,3引脚DPAK(TO-252AA)封装</span>
- 英文描述Power Field-Effect Transistor,17A I(D),55V,0.075ohm,1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,TO-252AA,LEAD FREE,PLASTIC,DPAK-3/2
- 数据手册IRFR024NTRPBF数据手册Datasheet PDF
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IRFR024NTRPBF概述
IRFR024NTRPBF是HEXFET®第五代N沟道功率MOSFET，它利用先进的处理技术来实现每硅面积的导通电阻极低。这种优势与快速的开关速度和坚固的设备设计相结合，提供了一种非常有效的设备，可广泛用于各种应用中。该封装专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，可能有1.5W的功耗水平。
先进的工艺技术
完全雪崩评级
低静态漏源导通电阻
动态dV/dt额定值
应用
电源管理
先进的工艺技术
完全雪崩评级
低静态漏源导通电阻
动态dV/dt额定值
应用
电源管理
IRFR024NTRPBF中文参数
| 制造商: | Infineon | Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
| 产品种类: | MOSFET | Qg-栅极电荷: | 20 nC |
| 技术: | Si | 最小工作温度: | - 55 C |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最大工作温度: | + 175 C |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 | Pd-功率耗散: | 45 W |
| 晶体管极性: | N-Channel | 通道模式: | Enhancement |
| 通道数量: | 1 Channel | 高度: | 2.3 mm |
| Vds-漏源极击穿电压: | 55 V | 长度: | 6.5 mm |
| Id-连续漏极电流: | 17 A | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Rds On-漏源导通电阻: | 75 mOhms | 宽度: | 6.22 mm |
IRFR024NTRPBF引脚图
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