BDX53C
- 厂商名称意法半导体
- 元件分类达林顿管
- 中文描述达林顿晶体管,NPN,100V,60W,8A,TO-220,3引脚
- 英文描述BDX53C,Darlington Transistor,NPN 8 A 100 V HFE:750,3-Pin,TO-220
- 数据手册BDX53C数据手册Datasheet PDF
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BDX53C概述
意法半导体的BDX53C是一款采用TO-220封装的通孔互补型功率达林顿晶体管。该器件采用单片达林顿配置的平面基岛技术制造。该晶体管具有良好的直流增益和较高的fT频率。BDX53C通常适用于线性、开关式工业设备和音频放大。
集电极至发射极电压(Vce)为100V
集电极电流(Ic)为8A
功率耗散(Pd)为60W
集电极电流为3A时，集电极至发射极饱和电压为2V
集电极电流为3A时，直流电流增益(hFE)为750
工作结温范围为150°C
集电极至发射极电压(Vce)为100V
集电极电流(Ic)为8A
功率耗散(Pd)为60W
集电极电流为3A时，集电极至发射极饱和电压为2V
集电极电流为3A时，直流电流增益(hFE)为750
工作结温范围为150°C
BDX53C中文参数
| 制造商: | STMicroelectronics | Pd-功率耗散: | 60 W |
| 产品种类: | 达林顿晶体管 | 安装风格: | Through Hole |
| 配置: | Single | 封装 / 箱体: | TO-220-3 |
| 晶体管极性: | NPN | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 100 V | 系列: | BDX53C |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V | 封装: | Tube |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 100 V | 商标: | STMicroelectronics |
| 最大直流电集电极电流: | 8 A | 集电极连续电流: | 8 A |
| 最大集电极截止电流: | 200 uA | 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 750 |
BDX53C引脚图
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