2N7002LT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述ON安森美,2N7002LT1G,晶体管,MOSFET,N沟道,115 mA,60 V,7.5 ohm,10 V,2.5 V
- 英文描述N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5Ω,SOT-23(TO-236)3 LEAD,3000-REEL
- 数据手册2N7002LT1G数据手册Datasheet PDF
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2N7002LT1G概述
2N7002LT1G是一款60V N沟道小信号MOSFET,功耗为300mW,连续漏极电流为115mA.
产品特性：
无卤素/无BFR
±20VDC栅-源电压
60VDC漏极至栅极电压
417°C/W热阻,结至环境
2N7002LT1G中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 高度 | 0.94mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 长度 | 2.9mm |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 1.3mm |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 Ω | 晶体管材料 | Si |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
2N7002LT1G引脚图
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