2N7002KT1G
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，380 mA，1.19 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册2N7002KT1G数据手册Datasheet PDF
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2N7002KT1G概述
2N7002KT1G是一个N沟道小信号MOSFET，提供60V的漏极源极电压和320mA的稳态漏极电流。它适用于低压侧负载开关，电平转换电路，DC-DC转换器，便携式DSC和PDA应用。
低RDS（开启）
表面贴装
无卤素
ESD保护
-55至150°C的工作结温范围
应用
便携式器材，消费电子产品，电源管理，工业
低RDS（开启）
表面贴装
无卤素
ESD保护
-55至150°C的工作结温范围
应用
便携式器材，消费电子产品，电源管理，工业
2N7002KT1G中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 380 mA | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 60 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | 长度 | 3.04mm |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 1.01mm |
| 最大栅阈值电压 | 2.3V | 宽度 | 1.4mm |
| 最大功率耗散 | 420 mW | 晶体管材料 | Si |
2N7002KT1G引脚图
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