随着电子设备向高密度、高功率方向快速演进，PCB 空间紧张、电源效率瓶颈、噪声干扰等问题，正成为制约创新设计的关键挑战。深圳市长江微电深耕功率电感领域，以技术突破回应行业需求，为开源创新注入新动能。
作为第十届立创电子设计开源大赛的协办单位，长江微电重磅推出 FXL-U 系列立脚强化版功率电感，以立脚省空间、高效低耗、低噪声、高可靠的核心优势，为参赛创作者破解空间与性能的矛盾，助力每一份创意高效落地。
一、立脚结构优化，大幅节省 PCB 面积
FXL‑U 系列采用向下折弯立脚结构，在PCB 面积有限、高度有空间的场景中优势显著。
不占用额外平面空间，可充分利用垂直高度布局
低外形尺寸设计，进一步提升空间利用率
焊点更牢固，有效降低虚焊、脱焊风险
| 商品编号 | 型号 | 电感值 | 直流电阻 | 饱和电流 | 温升电流 | 丝印(黑色) |
| (uH)±20% | DCR (mΩ) | Isat (A) | Irms (A) | |||
| 100 kHz,1.0V | MAX(TYP) | TYP | TYP | |||
| C52109303 | FXL0640U-R10-M | 0.1 | 2.00(1.70) | 55 | 25 | R10 |
| C52109304 | FXL0640U-R22-M | 0.22 | 3.00(2.60) | 34 | 21 | R22 |
| C52109305 | FXL0640U-R33-M | 0.33 | 4.10(3.50) | 24.5 | 18 | R33 |
| C52109306 | FXL0640U-R47-M | 0.47 | 5.10(4.80) | 22 | 15 | R47 |
| C52109307 | FXL0640U-R56-M | 0.56 | 6.50(5.50) | 17 | 13 | R56 |
| C52109308 | FXL0640U-R68-M | 0.68 | 7.00(5.80) | 16 | 12 | R68 |
| C52109309 | FXL0640U-1R0-M | 1 | 13.5(10.5) | 15 | 9 | 1R0 |
| C52109310 | FXL0640U-1R5-M | 1.5 | 20.0(17.0) | 14 | 9 | 1R5 |
| C52109311 | FXL0640U-2R2-M | 2.2 | 28.0(22.5) | 12 | 7 | 2R2 |
| C52109312 | FXL0640U-3R3-M | 3.3 | 39.0(35.0) | 10 | 5.5 | 3R3 |
| C52109313 | FXL0640U-4R7-M | 4.7 | 50.0(45.0) | 7.5 | 5 | 4R7 |
| C52109314 | FXL0640U-6R8-M | 6.8 | 70.0(62.0) | 6 | 4 | 6R8 |
| C52109315 | FXL0640U-100-M | 10 | 101(90.5) | 4 | 3.1 | 100 |
| C52109316 | FXL0640U-150-M | 15 | 160(135) | 3.3 | 2.5 | 150 |
二、低 DCR 与高载流，高效低耗更突出
产品具备低直流电阻（DCR）与高载流能力，搭配低磁芯损耗特性：
显著降低导通损耗与温升，提升电源转换效率
大电流工况下不易饱和，系统稳定性更强
满足服务器、笔记本 CPU 供电等高功率场景需求
三、磁屏蔽结构，低 EMI、低噪声
FXL-U采用一体化磁屏蔽结构：
有效降低电磁干扰（EMI），不干扰周边电路
最小化漏磁噪声与声学噪声
频率范围支持高达 3MHz，适配高频 DC/DC 电路
四、宽温高可靠，满足工业与商用严苛要求
产品具备出色的环境适应性与合规性：
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
无卤素设计，符合 RoHS 标准
高结构强度，抗振动、抗冲击性能优异
可稳定用于服务器、工业电源等场景
五、产品应用案例
1）服务器应用
高载流、低损耗、低 EMI，适配服务器长期稳定运行，立脚结构节省板上空间。
2）笔记本电脑 CPU DC/DC 转换器
低外形、低 DCR、低噪声，满足 CPU 核心供电高频、高效、紧凑布局需求。
3）服务器 VRM 电压调节模块
高可靠性与大电流能力，保障 VRM 输出稳定，磁屏蔽减少系统干扰。
4）直流开关电源电路
高效低耗、宽温可靠，立脚设计优化布局，提升电源整体性能。
作为第十届立创电子设计开源大赛协办单位，长江微电始终以赋能开源创新为核心，依托 FXL-U 系列功率电感的全方位优势，为参赛创作者提供高适配、高可靠的器件支持。FXL-U 系列参数公开、封装可直接调用，助力参赛项目快速落地，让每一份创意都能突破设计瓶颈，在大赛中展现硬核技术实力，彰显国产电子元器件的卓越品质。
