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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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GL-S闪存
型号：S29GL128S10GHIV20 编号：C2950870
封装：VFBGA-56
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
采用65nm工艺技术制造，具有快速的页面访问时间，最快可达15ns，相应的随机访问时间最快可达90ns。具备写入缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，有效编程时间比标准编程算法更快，适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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    CY62126EV30LL-55ZSXE
    型号：CY62126EV30LL-55ZSXE 编号：C2956766
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    GL-S MirrorBit EclipseM闪存非易失性存储家族
    型号：S29GL128S90DHI010 编号：C6998506
    封装：FBGA-64(9x9)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGBHI300 编号：C2950171
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    MirrorBit闪存非易失性存储器
    型号：S25FL128SAGNFV010 编号：C2947548
    封装：WSON-8(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：密度:128 Mbits (16 Mbytes)。256 Mbits (32 Mbytes)。串行外设接口 (SPI):SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGMFB000 编号：C2950746
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    CY7C1010DV33-10ZSXI
    型号：CY7C1010DV33-10ZSXI 编号：C2948646
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    32 Mb、3 V、同步读写闪存
    型号：S29JL032J70BHI310 编号：C2955759
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29JL032J是一款32 Mb、仅支持3.0 V的闪存器件，其组织形式为2,097,152个16位字，或4,194,304个8位字节。字模式数据通过DQ15 - DQ0传输；字节模式数据通过DQ7 - DQ0传输。

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    S25FL256LAGNFV013
    型号：S25FL256LAGNFV013 编号：C2951918
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    4-Mbit (512K × 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY62148ESL-55ZAXIT 编号：C2952470
    封装：TFSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。 采用先进电路设计，提供超低工作电流，非常适合在便携式应用中提供更长电池续航时间。 具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未选中（CE为高电平）时，将设备置于待机模式可使功耗降低99%以上。 当设备未选中（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），八个输入和输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻态。 适用于与具有TTL输入/输出电平的处理器接口，不适用于需要CMOS输入/输出电平的处理器。

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    4-Mbit (512K × 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY62148EV30LL-55SXI 编号：C2954023
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGNFI003 编号：C2951642
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    S25FL128SAGMFIG00
    型号：S25FL128SAGMFIG00 编号：C2944785
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    64 Mb (8 MB) FL-L闪存
    型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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    128 Mb（16 MB）、3.0V SPI闪存
    型号：S25FL127SABMFI101 编号：C2961581
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心。密度：128 Mb (16 MB)。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容，多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册

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    CY62148ELL-45ZSXI
    型号：CY62148ELL-45ZSXI 编号：C2947424
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    S25FL128SAGNFI011
    型号：S25FL128SAGNFI011 编号：C2953712
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY62146EV30LL-45BVXI
    型号：CY62146EV30LL-45BVXI 编号：C2950604
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGNFV000 编号：C2944871
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    1 Gb/512 Mb GL-T MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
    型号：S29GL512T11TFIV20 编号：C2947546
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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      ￥49.64

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    CY14V101QS-SF108XIT
    型号：CY14V101QS-SF108XIT 编号：C2953377
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

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    CY7C1041G30-10VXI
    型号：CY7C1041G30-10VXI 编号：C2955818
    封装：BSOJ-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥50.85

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    4-Mbit (256K × 16) 静态随机存取存储器
    型号：CY62147EV30LL-45BVXI 编号：C5278092
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62147EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K x 16-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和自动断电功能。适用于便携式应用，如手机。其工作电压范围为2.2V至3.6V，速度为45ns。工业温度范围为-40°C至+85°C。典型待机电流为2.5μA，最大待机电流为7μA。
    数据手册

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL256SAGMFVR00 编号：C2947438
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    CY62157EV30LL-45ZXI
    型号：CY62157EV30LL-45ZXI 编号：C2953627
    封装：TFSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

    • 1+

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    512 Mb（64 MB）闪存，SPI 多 I/O 接口，3.0 V
    型号：S25FL512SAGBHIA13 编号：C1512160
    封装：BGA-24(8x6)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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    CY62157ESL-45ZSXI
    型号：CY62157ESL-45ZSXI 编号：C2953929
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

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    S25FL256LAGMFI003
    型号：S25FL256LAGMFI003 编号：C2952946
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V 页闪存，采用 90 nm MirrorBit 工艺技术
    型号：S29GL256P90FFIR20 编号：C2949073
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多32字/64字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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    S29GL256P10FFI010
    型号：S29GL256P10FFI010 编号：C2947690
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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