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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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高性能CMOS快速静态RAM设备,带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚,在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时,将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置
  • 1+

    ¥167.92
  • 30+

    ¥159.68
  • 有货
  • CY14E256LA是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器的容量为32 KB。嵌入式非易失性元件采用了量子阱(QuantumTrap)技术
    • 1+

      ¥176.94
    • 10+

      ¥170.87
  • 有货
  • CY7C1381KVE33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM,具有ECC功能,用于减少软错误率。
    • 1+

      ¥270.96
    • 30+

      ¥257.67
  • 有货
  • CY7C1062G和CY7C1062GE是高性能CMOS快速静态随机存取存储器(SRAM)器件,内置纠错码(ECC)功能。两者均具备三个片选信号,便于进行内存扩展。CY7C1062GE器件设有一个错误指示引脚,在检测到单比特错误并完成纠错时,该引脚会向主处理器发出信号
    • 1+

      ¥435.41
    • 30+

      ¥413.83
  • 有货
  • 采用65nm工艺技术制造,具有快速的页面访问时间,最快可达15ns,相应的随机访问时间最快可达90ns。具备写入缓冲区,允许在一次操作中最多编程256字/512字节,有效编程时间比标准编程算法更快,适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥26.72
    • 10+

      ¥26.1
    • 30+

      ¥25.68
  • 有货
  • MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥29.88
    • 10+

      ¥29.21
    • 30+

      ¥28.76
  • 有货
  • CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM,组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度,低功耗,宽工作电压范围。
    • 1+

      ¥29.92
    • 10+

      ¥29.22
    • 30+

      ¥28.76
  • 有货
  • 特性:密度:128 Mbits (16 Mbytes)。256 Mbits (32 Mbytes)。串行外设接口 (SPI):SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥30.46
    • 10+

      ¥29.74
    • 30+

      ¥29.27
  • 有货
  • CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM,具有嵌入式ECC功能,支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项,多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V,适用于工业环境。
    • 1+

      ¥32.62
    • 10+

      ¥31.85
    • 30+

      ¥31.34
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥33.38
    • 10+

      ¥32.64
    • 30+

      ¥32.14
  • 有货
  • FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。此外,还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区,允许在一个操作中编程多达256字节,并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下,并使用Quad命令,指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存,同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度,并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(xIP)和存储可编程数据。
    • 1+

      ¥36.27
    • 10+

      ¥31.2
    • 30+

      ¥28.19
  • 有货
  • 是高性能CMOS静态RAM,组织为512K字×8位。 采用先进电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用中提供更长电池续航时间。 具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未选中(CE为高电平)时,将设备置于待机模式可使功耗降低99%以上。 当设备未选中(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)或在写入操作期间(CE为低电平且WE为低电平),八个输入和输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。 适用于与具有TTL输入/输出电平的处理器接口,不适用于需要CMOS输入/输出电平的处理器。
    • 1+

      ¥36.71
    • 10+

      ¥31.86
    • 30+

      ¥28.91
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥48.06
    • 10+

      ¥47.08
    • 30+

      ¥46.43
  • 有货
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