赛普拉斯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：S25FL064LABBHB030 编号：C2944868

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥63.19
10+
￥61.02

有货

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型号：CY62146ESL-45ZSXIT 编号：C2953196

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时可降低功耗。当器件被禁用（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。要写入器件，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平

1+
￥66.3
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￥57.04
30+
￥51.4

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型号：S25FL256SAGNFB000 编号：C2944538

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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￥76.12
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￥65.46
30+
￥58.96

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型号：S25FL512SAGMFV010 编号：C2948626

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容

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￥83.05
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￥79.16
30+
￥72.41

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型号：S29GL01GS11TFI020 编号：C511724

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

数据手册

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￥98.95
10+
￥85.71
30+
￥78.39

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型号：CY14U256LA-BA35XI 编号：C2950844

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥111.1
10+
￥107.55

有货

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型号：CY15B104QN-50SXI 编号：C2954184

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥130.62
30+
￥124.15

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型号：CY14B101LA-SZ45XIT 编号：C2953457

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

单价：
￥134.49 / 个

有货

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型号：CY15B104Q-LHXI 编号：C2953608

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

1+
￥197.17
30+
￥187.49

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型号：S25FL064LABNFV040 编号：C2948954

封装：UDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

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￥9.78
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￥9.53
30+
￥9.36

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型号：FM25L04B-DG 编号：C1348910

封装：DFN-8-EP(4x4.5)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的4Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品能以总线速度执行写操作，无写延迟

数据手册

1+
￥13.72
10+
￥13.42
30+
￥13.21

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型号：S25FL128LAGMFI003 编号：C2952017

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥14.07
10+
￥13.72
30+
￥13.48

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型号：S25FL064LABBHI020 编号：C2944867

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

1+
￥16.8
10+
￥16.41
30+
￥16.15

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型号：S34ML01G200BHI000 编号：C117901

封装：BGA-63

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S34ML01G200BHI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口，具有 3.3 V 供电电压，支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命，适用于需要高数据完整性的应用。

数据手册

1+
￥17.02
10+
￥14.63
30+
￥13.13

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型号：FM25C160B-GTR 编号：C2951871

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25C160B是一款采用先进铁电工艺的16 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它能可靠保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题

1+
￥17.43
10+
￥17.04
30+
￥15.97

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型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥22.86
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￥22.35
30+
￥20.95

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型号：S25FS128SAGMFI100 编号：C2944788

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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￥26.4
10+
￥25.72
30+
￥25.27

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型号：S25FL128SAGBHI200 编号：C2959378

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥26.78
10+
￥26.15
30+
￥25.73

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型号：CY62147EV18LL-55BVXI 编号：C2948522

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥29.51
10+
￥28.81
30+
￥28.35

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型号：S25FL064LABMFB010 编号：C1351556

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥31.05
10+
￥26.58
30+
￥23.91

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型号：S25FL128SAGMFB000 编号：C2950746

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥31.84
10+
￥31.03
30+
￥30.49

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型号：CY7C199D-10VXI 编号：C1350318

封装：SOJ-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C199D是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32,768字节 x 8-Bit。具有自动掉电功能，减少未选中时的功耗。输入和输出引脚在未选中时处于高阻抗状态。

数据手册

1+
￥32.32
10+
￥27.66
30+
￥24.89

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型号：CY62147EV30LL-45ZSXIT 编号：C2951976

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62147EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。它非常适合用于手机等便携式应用，以延长电池续航时间（More Battery Life™，即MoBL®）

1+
￥35.59
10+
￥30.6
30+
￥27.57

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型号：CY62148EV30LL-55SXI 编号：C2954023

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

1+
￥35.65
10+
￥34.82
30+
￥34.26

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型号：CY7C1041G-10ZSXI 编号：C2947427

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥36.13
10+
￥35.28
30+
￥34.72

有货

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型号：S25FS256SAGMFB000 编号：C2944592

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

1+
￥40.06
10+
￥34.45
30+
￥31.04

有货

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型号：CY7C1019D-10VXI 编号：C2955078

封装：SOJ-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥46.21
30+
￥43.94

有货

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型号：FM25V01A-G 编号：C1349305

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V01A 是一种128-Kbit的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，通过标准的SPI接口访问。它具有高耐久性（100万亿次读写）、快速写入速度（最高40 MHz）和低功耗特性。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥57.76
10+
￥49.96
30+
￥43.18

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型号：CY14V101QS-BK108XQ 编号：C2950838

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的CY14V101QS将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与快速外设互连（QPI）接口相结合。通过使用选定的操作码，QPI接口允许以单通道（每个时钟周期通过一个I/O通道传输一位数据）、双通道（每个时钟周期通过两个I/O通道传输两位数据）或四通道（每个时钟周期通过四个I/O通道传输四位数据）模式对存储器进行读写操作。该存储器组织为128 Kbytes，每个字节由静态随机存取存储器（SRAM）和非易失性硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅（SONOS）量子阱单元组成

1+
￥60.08
10+
￥58.15

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型号：FM24V02A-G 编号：C2953710

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的256-Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

数据手册

单价：
￥64.76 / 个

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