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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统,支持传统SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四I/O(QIO)和四外设接口(QPI)命令。此外,QIO和QPI还有双倍数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区,允许一次操作中最多编程256字节,并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能
  • 1+

    ¥14.07
  • 10+

    ¥13.72
  • 30+

    ¥13.48
  • 有货
  • 采用先进铁电工艺的4K位非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    数据手册
    • 1+

      ¥14.99
    • 10+

      ¥14.64
    • 30+

      ¥14.4
  • 有货
  • 该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存,组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA(0.8毫米间距)和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程,写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns,允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用,该设备具有独立的芯片使能(CE#)、写使能(WE#)和输出使能(OE#)控制
    • 1+

      ¥16.67
    • 10+

      ¥16.28
    • 30+

      ¥16.02
  • 有货
  • FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品:• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术
    • 1+

      ¥16.8
    • 10+

      ¥16.41
    • 30+

      ¥16.15
  • 有货
  • CY62128E是一款高性能CMOS静态RAM,组织为128K字节×8-Bit。该设备采用先进的电路设计,提供超低活动电流,适用于便携式应用。具有自动断电功能,可显著降低未切换地址时的功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.14
    • 10+

      ¥21.62
    • 30+

      ¥21.27
  • 有货
  • CY7C199D是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为32,768字节 x 8-Bit。具有自动掉电功能,减少未选中时的功耗。输入和输出引脚在未选中时处于高阻抗状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.32
    • 10+

      ¥27.66
    • 30+

      ¥24.89
  • 有货
  • 采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,不会产生写延迟
    • 1+

      ¥33.91
    • 10+

      ¥29.18
    • 30+

      ¥26.29
  • 有货
  • CY62147EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。它非常适合用于手机等便携式应用,以延长电池续航时间(More Battery Life™,即MoBL®)
    • 1+

      ¥34.85
    • 10+

      ¥29.87
    • 30+

      ¥26.83
  • 有货
  • 该设备是一款闪存非易失性存储产品,采用:MIRRORBIT™技术-在每个存储阵列晶体管中存储两位数据;Eclipse架构-显著提高编程和擦除性能;65纳米工艺光刻;该设备通过SPI连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特(四I/O或QIO)串行命令。这种多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。
    • 1+

      ¥38.9
    • 10+

      ¥33.46
    • 30+

      ¥30.14
  • 有货
  • 3.3V 2Gbit
    数据手册
    • 1+

      ¥48.84
    • 10+

      ¥42.82
    • 30+

      ¥39.15
    • 100+

      ¥32.63
  • 订货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥51.46
    • 10+

      ¥44.68
    • 30+

      ¥40.55
  • 有货
  • 的CY14B101LA/CY14B101NA是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器的组织形式为128K×8位或64K×16位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱(QuantumTrap)技术
    • 1+

      ¥141.14
    • 30+

      ¥133.65
  • 有货
  • CY7C1381KVE33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM,具有ECC功能,用于减少软错误率。
    • 1+

      ¥270.96
    • 30+

      ¥257.67
  • 有货
    • 1+

      ¥1890.15
    • 210+

      ¥731.47
    • 420+

      ¥705.76
    • 1050+

      ¥693.06
  • 订货
  • FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口(I2C),最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用,如数据记录和工业控制。
    数据手册
    • 50+

      ¥17.485044
    • 200+

      ¥15.26472
    • 500+

      ¥13.35663
    • 1000+

      ¥11.240384
    • 1+

      ¥18.47
    • 10+

      ¥15.66
    • 30+

      ¥13.9
    • 100+

      ¥12.1
  • 有货
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