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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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4-Mbit静态RAM，高速、宽电压范围、低功耗
型号：CY62146EV30LL-45ZSXI 编号：C466866
封装：TSOPII-44-10.2mm
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY62146EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K words by 16 bits。该设备具有超低活动电流和宽电压范围，适用于便携式应用如手机等。自动断电功能可在未选中时节省超过99%的功耗。
数据手册

  • 1+

    ￥33.54

  • 10+

    ￥28.98

  • 30+

    ￥26.28
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    CY7C1049G-10VXI
    型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765
    封装：BSOJ-36
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

    • 1+

      ￥33.6

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      ￥32.81

    • 30+

      ￥32.29
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    S25FL256LAGNFI013
    型号：S25FL256LAGNFI013 编号：C2951920
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥34.2

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      ￥29.11

    • 30+

      ￥26.01
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    CY62148ELL-55SXI
    型号：CY62148ELL-55SXI 编号：C2953576
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥34.68

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    S25FL128SAGMFI003
    型号：S25FL128SAGMFI003 编号：C2951279
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥35.91

    • 10+

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      ￥34.57
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    CY7C1041G-10ZSXI
    型号：CY7C1041G-10ZSXI 编号：C2947427
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥36.13

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      ￥35.28

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    64 Mb (8 MB) FL-L闪存
    型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885
    封装：WFDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

    • 1+

      ￥36.27

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      ￥28.19
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    S25FL128SAGNFV003
    型号：S25FL128SAGNFV003 编号：C2955827
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥42.61

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      ￥41.56

    • 30+

      ￥40.86
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    CY7C1019D-10VXI
    型号：CY7C1019D-10VXI 编号：C2955078
    封装：SOJ-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥46.21

    • 30+

      ￥43.94
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    4-Mbit静态RAM带错误纠正码
    型号：CY7C1041G30-10BVXI 编号：C2947465
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041G是一款4兆-Bit（256K字×16-Bit）高速静态随机存取存储器，带有错误检测和纠正功能（ECC）。支持单字节和双字节访问，工作电压范围为1.65V至2.2V，2.2V至3.6V，以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性，适用于工业级应用。

    • 1+

      ￥48.6

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      ￥47.4

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      ￥46.6
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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGMFIR13 编号：C2951607
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥49.66

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      ￥39.17
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    S25FL512SAGMFB013
    型号：S25FL512SAGMFB013 编号：C2951819
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥53.71

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    128-Kbit Serial (SPI) F-RAM
    型号：FM25V01A-G 编号：C1349305
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V01A 是一种128-Kbit的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，通过标准的SPI接口访问。它具有高耐久性（100万亿次读写）、快速写入速度（最高40 MHz）和低功耗特性。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。
    数据手册

    • 1+

      ￥57.76

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    • 30+

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    S25FS256SDSNFI000
    型号：S25FS256SDSNFI000 编号：C2944585
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥58.08

    • 10+

      ￥50.44

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    S25FL064LABBHB030
    型号：S25FL064LABBHB030 编号：C2944868
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥63.19

    • 10+

      ￥61.02
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    512 Mb（64 MB），3.0 V，多I/O接口，SPI接口闪存
    型号：S25FL512SAGMFAR10 编号：C2944639
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 与多 I/O 密度。 512 Mb (64 MB) SPI。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 DDR 选项。 扩展寻址：32 位地址。 串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥68.31

    • 10+

      ￥56.68

    • 30+

      ￥51.06
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    512 Mb（64 MB）闪存，SPI 多 I/O 接口，3.0 V
    型号：S25FL512SAGMFVG11 编号：C2954897
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥71.56

    • 10+

      ￥69.05
  • 有货
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    16-Mbit (1 M × 16 / 2 M × 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY62167ELL-45ZXI 编号：C2950509
    封装：TSOPI-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62167E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit/2M字×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高读写速度，适用于便携式应用。工作电压范围为4.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥78.29

    • 10+

      ￥71.64

    • 30+

      ￥65.52
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    S29GL512S11TFI010
    型号：S29GL512S11TFI010 编号：C2944775
    封装：TFSOP-56
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥80.45

    • 10+

      ￥76.68

    • 30+

      ￥70.15
  • 有货
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    512 Mb FL-S Flash SPI多I/O接口，3.0V
    型号：S25FL512SAGMFV010 编号：C2948626
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥83.05

    • 10+

      ￥79.16

    • 30+

      ￥72.41
  • 有货
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    1Mbit（128K × 8）串行（SPI）非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
    型号：CY14B101Q2A-SXI 编号：C2953859
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的CY14X101Q将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并配备串行SPI接口。该存储器组织为128K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

    • 1+

      ￥91.55

    • 10+

      ￥86.93

    • 30+

      ￥78.93
  • 有货
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    128 Mb/256 Mb/512 Mb/1 Gb GL-S MIRRORBIT Flash，并行，3.0 V
    型号：S29GL01GS11TFI010 编号：C2959388
    封装：TFSOP-56
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥102.91

    • 10+

      ￥97.75

    • 30+

      ￥88.81
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    256 Kbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
    型号：CY14B256LA-SP45XIT 编号：C2759949
    封装：SSOP-48-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY14B256LA 是一款快速静态RAM，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器内部组织为32K字节，每个字节8-Bit。嵌入的非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供无限读写和恢复周期。
    数据手册

    • 1+

      ￥103.61

    • 10+

      ￥95.53

    • 30+

      ￥86.88
  • 有货
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    2Gbit (256MBytes), 3.0V 闪存
    型号：S70GL02GS11FHI010 编号：C117896
    封装：BGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    3.3V 2Gbit
    数据手册

    • 1+

      ￥123

    • 10+

      ￥117.22

    • 30+

      ￥107.2
  • 有货
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    1-Mbit 串行 (SPI) F-RAM
    型号：FM25VN10-G 编号：C2953584
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的1 Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，FM25V10以总线速度执行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性，能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM多1亿倍的写入循环

    • 1+

      ￥126.95

    • 30+

      ￥120.66
  • 有货
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    CY14V101LA-BA45XI
    型号：CY14V101LA-BA45XI 编号：C2947553
    封装：TFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥153.64

    • 30+

      ￥146.1
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    CY15B104Q-LHXI
    型号：CY15B104Q-LHXI 编号：C2953608
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

    • 1+

      ￥197.17

    • 30+

      ￥187.49
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    CY14B256LA SZ25XIT
    型号：CY14B256LA-SZ25XIT 编号：C2063296
    封装：SOIC-32-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY14B256LA是一款256Kbit（32K x 8）的nvSRAM，具有快速访问时间和非易失性存储功能。该存储器在断电时自动将数据存储到非易失性单元中，并在上电时自动恢复数据。
    数据手册

    • 1+

      ￥270.52

    • 30+

      ￥256.29
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    CY14B104NA-BA45XIT
    型号：CY14B104NA-BA45XIT 编号：C2953438
    封装：TFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥299.36

    • 30+

      ￥284.67
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    64 Mb (8 MB) FL-L闪存
    型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232
    封装：WFDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

    • 1+

      ￥10.57

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