赛普拉斯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：S25FL256LAGNFI013 编号：C2951920

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥36.32
10+
￥31.23
30+
￥28.13

有货

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型号：S25FS512SDSBHB213 编号：C2951735

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥44.53
10+
￥38.19
30+
￥34.32

有货

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型号：S25FL256SAGMFNG00 编号：C2944684

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥50.86
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￥43.75
30+
￥39.42

有货

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型号：S29GL01GT11FHIV10 编号：C2947466

封装：BGA-64(11x13)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL01GT/512T 是基于45 nm 工艺技术的MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供15 ns 的快速页面读取时间，相应的随机访问时间可达100 ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中最多可编程256 字/512 字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高容量、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。

数据手册

1+
￥66.8
10+
￥54.88
30+
￥49.12

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型号：S25FL512SDSMFM010 编号：C2944622

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥79.74
10+
￥68.6
30+
￥61.81

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型号：S29GL01GT11TFIV10 编号：C2944450

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

1+
￥82.38
10+
￥79.5

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型号：FM24VN10-G 编号：C2953639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24VN10 是一种 1-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有 128K × 8 的逻辑组织结构。它采用先进的铁电工艺，支持高速写入，具有 100 万亿次读/写耐久性和 151 年的数据保留时间。该存储器支持 I2C 接口，最高频率可达 3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

1+
￥87.5004 ￥123.24
10+
￥85.2568 ￥120.08

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型号：CY15B102QN-50SXE 编号：C2953691

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的汽车级2Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品能以总线速度执行写操作，无写延迟

1+
￥110.81
10+
￥105.6
30+
￥96.58

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型号：CY14B101LA-SZ25XI 编号：C5439679

封装：-

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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单价：
￥121.16 / 个

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型号：CY14B101NA-ZS25XI 编号：C1349023

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的CY14B101LA/CY14B101NA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元中都有一个非易失性元件。该存储器的组织形式为128K×8位或64K×16位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

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￥141.14
30+
￥133.65

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型号：FM25VN10-GTR 编号：C2952325

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥145.32
30+
￥138.19

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型号：CY14V101LA-BA45XI 编号：C2947553

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥153.64
30+
￥146.1

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型号：CY15B108QN-20LPXC 编号：C2950819

封装：UQFN-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是低功耗、8 Mbit非易失性存储器，采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

1+
￥221.84
30+
￥210.84

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型号：CY14B256LA-SZ25XIT 编号：C2063296

封装：SOIC-32-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B256LA是一款256Kbit（32K x 8）的nvSRAM，具有快速访问时间和非易失性存储功能。该存储器在断电时自动将数据存储到非易失性单元中，并在上电时自动恢复数据。

数据手册

1+
￥270.52
30+
￥256.29

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型号：CY14B104NA-BA45XIT 编号：C2953438

封装：TFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥299.36
30+
￥284.67

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型号：CY62126EV30LL-45ZSXI 编号：C2944843

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62126EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这非常适合为手机等便携式应用提供更长的电池续航时间（MoBL）

1+
￥13.61
10+
￥13.28
30+
￥13.06

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型号：S29AL008J55TFIR20 编号：C2948805

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制