赛普拉斯存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：WDFN-8-EP

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥76.12
10+
￥65.46
30+
￥58.96

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型号：S25FL512SAGBHIC10 编号：C1349312

封装：BGA-24(8x6)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥78.59
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￥76.1

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型号：S29GL256P11TFI020 编号：C1350069

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

数据手册

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￥79.01
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￥75.3
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￥68.86

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型号：S25FL512SDSMFM010 编号：C2944622

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥79.74
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￥68.6
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￥61.81

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型号：S25FL512SAGBHBA10 编号：C2944653

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S25FL512S 器件是一款闪存非易失性存储产品，采用： - MirrorBit 技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。

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￥80.32
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型号：S29GL01GT11TFIV10 编号：C2944450

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

5+
￥128.44656
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￥112.831488
500+
￥103.8906

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型号：S29GL01GS10DHI020 编号：C2949565

封装：LBGA-64

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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￥89.74
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￥86.6

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型号：S70FL01GSDPMFV010 编号：C2958884

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V Core。串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

1+
￥101.95
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￥96.88
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￥88.1

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型号：S79FL512SDSMFVG01 编号：C2956502

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥112.06
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型号：S29GL01GT10DHI010 编号：C1349802

封装：FBGA-64(9x9)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的S29GL01GT/512T是采用45纳米制程技术制造的MirrorBit Eclipse闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达100 ns。它们具备一个写缓冲区，一次操作最多可对256字/512字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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单价：
￥116.54 / 个

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型号：S25HS01GTFAMHI010 编号：C6670688

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：Infineon 45-nm MIRRORBIT™技术，可在每个存储阵列单元中存储两位数据。扇区架构选项: -统一架构：地址空间由所有256 KB扇区组成。混合配置1：地址空间由32个4 KB扇区组成，这些扇区位于顶部或底部，其余扇区均为256 KB。混合配置2：地址空间由32个4 KB扇区组成，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256 KB。 256或512字节的页面编程缓冲区。 1024字节（32 × 32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列。支持Quad SPI，支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议，SDR选项最高运行速度为83-MBps（166 MHz时钟速度），DDR选项最高运行速度为102-MBps（102 MHz时钟速度）。支持Dual SPI，支持1S-2S-2S协议，SDR选项最高运行速度为41.5-MBps（166 MHz时钟速度）

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￥121.04
10+
￥117.35

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型号：CY14B101LA-SZ25XI 编号：C5439679

封装：-

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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单价：
￥121.16 / 个

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型号：S25FL512SAGMFMG10 编号：C2944487

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥127.81
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￥121.77
30+
￥111.31

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型号：CY14B101LA-SP25XIT 编号：C2684806

封装：SSOP-48-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B101LA是一款1-Mbit nvSRAM，具有自动存储（AutoStore）和量子陷阱（QuantumTrap）技术。它支持无限次读写和召回操作，最多可进行1百万次存储操作。工作电压为3.0V ± 10%，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥131.48
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￥122.04

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型号：S28HL512TFPBHI010 编号：C2944466

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥133.94
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￥129.98

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型号：FM25VN10-GTR 编号：C2952325

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥145.32
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￥138.19

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型号：CY62167ELL-45ZXIT 编号：C2953119

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥171.88
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￥166.8

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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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￥180.75
30+
￥171.41

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型号：CY7C1370KVE33-167AXI 编号：C2949876

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

单价：
￥207 / 个

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型号：CY15B108QN-40LPXI 编号：C2948854

封装：UQFN-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥446.02
30+
￥424.13

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型号：CY7C1021DV33-10ZSXIT 编号：C2759921

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1021DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。该器件具备自动掉电功能，在未被选中时可显著降低功耗。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE）置为低电平

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50+
￥18.178875
200+
￥15.254096
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￥12.668656
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￥10.66494

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型号：S29CD016J0MFAM113 编号：C2951667

封装：LBGA-80

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Spansion S29CD-J和S29CL-J器件是采用110纳米制程技术制造的浮栅产品。这些突发模式闪存器件能够利用独立的数据和地址引脚，在两个独立的存储体上同时执行读写操作，且无延迟。这些产品的工作频率最高可达75 MHz（32 Mb）或66 MHz（16 Mb），并使用单一的2 V $\mathsf{V}_{\mathsf{C C}}$电源

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￥38.55
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￥33.47
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￥30.38

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型号：CY14V101QS-BK108XQ 编号：C2950838

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的CY14V101QS将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与快速外设互连（QPI）接口相结合。通过使用选定的操作码，QPI接口允许以单通道（每个时钟周期通过一个I/O通道传输一位数据）、双通道（每个时钟周期通过两个I/O通道传输两位数据）或四通道（每个时钟周期通过四个I/O通道传输四位数据）模式对存储器进行读写操作。该存储器组织为128 Kbytes，每个字节由静态随机存取存储器（SRAM）和非易失性硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅（SONOS）量子阱单元组成

1+
￥60.08
10+
￥58.15

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型号：S80KS2562GABHI020 编号：C17430708

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥71.41
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￥69.23

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C2950646

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

1+
￥102.94
10+
￥101.51
30+
￥99.05

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型号：S80KS5122GABHM020 编号：C17430709

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

512-Mb设备是高速CMOS、自刷新DRAM，带有HYPERBUS接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。设备内的刷新控制逻辑在HYPERBUS接口主设备（主机）未主动读写内存时管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，对主机而言，DRAM阵列就像使用无需刷新即可保留数据的静态单元的内存

1+
￥116.84
10+
￥113.28

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型号：CY15B104QN-50SXI 编号：C2954184

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥130.62
30+
￥124.15

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型号：FM28V202A-TG 编号：C2949074

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是 128 × 16 的非易失性存储器，读写方式与标准 SRAM 类似。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，断电后数据可保留超 151 年，消除了电池备用 SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使其优于其他类型的存储器。操作与其他 RAM 设备类似，可作为系统中标准 SRAM 的直接替代品

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￥206.57
10+
￥199.35

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型号：CY15V104QSN-108LPXI 编号：C2950810

封装：UQFN-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥208.19
30+
￥197.97

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型号：CY15V108QI-20LPXI 编号：C2950278

封装：UQFN-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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