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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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1 Gb/512 Mb GL-T MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
型号：S29GL512T11TFIV20 编号：C2947546
封装：TFSOP-56-18.4mm
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

  • 1+

    ￥48.49

  • 10+

    ￥47.33

  • 30+

    ￥46.55
  • 有货
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    CY14V101QS-SF108XIT
    型号：CY14V101QS-SF108XIT 编号：C2953377
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥49.89

    • 10+

      ￥48.71

    • 30+

      ￥47.93
  • 有货
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    CY7C1041G30-10VXI
    型号：CY7C1041G30-10VXI 编号：C2955818
    封装：BSOJ-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥50.85

    • 10+

      ￥49.55

    • 30+

      ￥48.68
  • 有货
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    CY62137EV30LL-45ZSXIT
    型号：CY62137EV30LL-45ZSXIT 编号：C2953208
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥51.96

    • 10+

      ￥44.68

    • 30+

      ￥40.25
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    4-Mbit静态RAM带错误纠正码
    型号：CY7C1041G30-10BVXI 编号：C2947465
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041G是一款4兆-Bit（256K字×16-Bit）高速静态随机存取存储器，带有错误检测和纠正功能（ECC）。支持单字节和双字节访问，工作电压范围为1.65V至2.2V，2.2V至3.6V，以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性，适用于工业级应用。

    • 1+

      ￥53.72

    • 10+

      ￥52.52

    • 30+

      ￥51.72
  • 有货
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    CY62147EV30LL-45BVXI
    型号：CY62147EV30LL-45BVXI 编号：C5278092
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62147EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K x 16-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和自动断电功能。适用于便携式应用，如手机。其工作电压范围为2.2V至3.6V，速度为45ns。工业温度范围为-40°C至+85°C。典型待机电流为2.5μA，最大待机电流为7μA。
    数据手册

    • 1+

      ￥54.39

    • 30+

      ￥52.2
  • 有货
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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL256SAGMFVR00 编号：C2947438
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥54.44

    • 30+

      ￥52.16
  • 有货
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    CY62157EV30LL-45ZXI
    型号：CY62157EV30LL-45ZXI 编号：C2953627
    封装：TFSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

    • 1+

      ￥55.49

    • 10+

      ￥54.19

    • 25+

      ￥53.32
  • 有货
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    CY62157ESL-45ZSXI
    型号：CY62157ESL-45ZSXI 编号：C2953929
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥57.77

    • 10+

      ￥56.41

    • 30+

      ￥55.51
  • 有货
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    512 Mb（64 MB）闪存，SPI 多 I/O 接口，3.0 V
    型号：S25FL512SAGBHIA13 编号：C1512160
    封装：BGA-24(8x6)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥59.32

    • 10+

      ￥51.01

    • 30+

      ￥45.95
  • 有货
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    S25FL256LAGMFI003
    型号：S25FL256LAGMFI003 编号：C2952946
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥61.55

    • 10+

      ￥53.25

    • 30+

      ￥48.2
  • 有货
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    CY15B256J-SXE 停产
    型号：CY15B256J-SXE 编号：C2957981
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

    • 1+

      ￥71.94

    • 10+

      ￥69.43
  • 有货
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V 页闪存，采用 90 nm MirrorBit 工艺技术
    型号：S29GL256P90FFIR20 编号：C2949073
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多32字/64字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥72.86

    • 10+

      ￥70.32
  • 有货
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
    型号：S29GL256P11TFI020 编号：C1350069
    封装：TSOP-56-14.0mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短
    数据手册

    • 1+

      ￥74.32

    • 10+

      ￥70.61

    • 30+

      ￥64.17
  • 有货
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    S25FL512SAGBHIC10
    型号：S25FL512SAGBHIC10 编号：C1349312
    封装：BGA-24(8x6)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥78.59

    • 10+

      ￥76.1
  • 有货
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    512 Mb（64 MB）闪存，SPI 多 I/O 接口，3.0 V
    型号：S25FL512SAGMFVG11 编号：C2954897
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 多 I/O 密度。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥82.98

    • 10+

      ￥80.48
  • 有货
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    1 Gbit FL-S闪存SPI多输入/输出
    型号：S70FL01GSAGMFI010 编号：C2944437
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V Core。 串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 双倍数据速率 (DDR) 选项。 扩展寻址：32 位地址。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥84.06

    • 10+

      ￥72.99

    • 30+

      ￥66.24
  • 有货
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    128 Mb/256 Mb/512 Mb/1 Gb GL-S MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
    型号：S29GL01GS10DHI020 编号：C2949565
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥89.74

    • 10+

      ￥86.6
  • 有货
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    512 Mbit（64 Mbyte），3.0V SPI闪存存储器
    型号：S25FL512SAGBHBA10 编号：C2944653
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S25FL512S 器件是一款闪存非易失性存储产品，采用： - MirrorBit 技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。

    • 1+

      ￥95.1

    • 10+

      ￥92.29
  • 有货
    • 立即购买
    GL-S MirrorBit EclipseM闪存非易失性存储器系列
    型号：S29GL512S11TFIV10 编号：C2944816
    封装：TFSOP-56
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥107.59

    • 10+

      ￥98.45

    • 30+

      ￥90.04
  • 有货
    • 立即购买
    128 Mb/256 Mb/512 Mb/1 Gb GL-S MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
    型号：S29GL01GS10FHI010 编号：C2947419
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥109.21

    • 10+

      ￥105.98
  • 有货
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    S79FL512SDSMFVG01
    型号：S79FL512SDSMFVG01 编号：C2956502
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥112.06

    • 10+

      ￥106.81

    • 30+

      ￥97.71
  • 有货
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    GL-T MirrorBit Eclipse闪存
    型号：S29GL01GT10DHI010 编号：C1349802
    封装：FBGA-64(9x9)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的S29GL01GT/512T是采用45纳米制程技术制造的MirrorBit Eclipse闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达100 ns。它们具备一个写缓冲区，一次操作最多可对256字/512字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间
    数据手册

    • 单价：

      ￥116.54 / 个
  • 有货
    • 立即购买
    512Mb HYPER-RAM自刷新动态随机存取存储器（DRAM），带HYPER-BUS接口，1.8V
    型号：S80KS5122GABHM020 编号：C17430709
    封装：FBGA-24(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    512-Mb设备是高速CMOS、自刷新DRAM，带有HYPERBUS接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。设备内的刷新控制逻辑在HYPERBUS接口主设备（主机）未主动读写内存时管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作，对主机而言，DRAM阵列就像使用无需刷新即可保留数据的静态单元的内存

    • 1+

      ￥116.84

    • 10+

      ￥113.28
  • 有货
    • 立即购买
    Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
    型号：S29GL256P11FFIV10 编号：C2944840
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

    • 1+

      ￥119.63

    • 30+

      ￥113.31
  • 有货
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    512 Mb/1 Gb SEMPER闪存，四路SPI接口，1.8 V/3.0 V
    型号：S25HS01GTFAMHI010 编号：C6670688
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：Infineon 45-nm MIRRORBIT™技术，可在每个存储阵列单元中存储两位数据。 扇区架构选项: -统一架构：地址空间由所有256 KB扇区组成。混合配置1：地址空间由32个4 KB扇区组成，这些扇区位于顶部或底部，其余扇区均为256 KB。混合配置2：地址空间由32个4 KB扇区组成，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256 KB。 256或512字节的页面编程缓冲区。 1024字节（32 × 32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列。 支持Quad SPI，支持1S-1S-4S、1S-4S-4S、1S-4D-4D、4S-4S-4S、4S-4D-4D协议，SDR选项最高运行速度为83-MBps（166 MHz时钟速度），DDR选项最高运行速度为102-MBps（102 MHz时钟速度）。 支持Dual SPI，支持1S-2S-2S协议，SDR选项最高运行速度为41.5-MBps（166 MHz时钟速度）

    • 1+

      ￥121.04

    • 10+

      ￥117.35
  • 有货
    • 立即购买
    S25FL512SAGMFMR10
    型号：S25FL512SAGMFMR10 编号：C2948958
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥127.17

    • 10+

      ￥121.16

    • 30+

      ￥110.74
  • 有货
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    S25FL-P(32Mb/64Mb)封装布线指南
    型号：S28HL512TFPBHI010 编号：C2944466
    封装：VBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥133.94

    • 10+

      ￥129.98
  • 有货
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    CY62167ELL-45ZXIT
    型号：CY62167ELL-45ZXIT 编号：C2953119
    封装：TFSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥171.88

    • 10+

      ￥166.8
  • 有货
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    16-Mbit静态随机存储器，带纠错码（ECC）
    型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

    • 1+

      ￥204.13

    • 30+

      ￥194.78
  • 有货
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