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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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256k×16非易失性存储器,读写方式与标准SRAM相似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,这意味着断电后数据仍可保留。它可提供超过151年的数据保留时间,同时消除了电池备用SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使F-RAM优于其他类型的存储器
  • 1+

    ¥319.28
  • 30+

    ¥302.34
  • 有货
  • CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时,需将片选信号(CE)和写使能信号(WE)置为低电平
    数据手册
    • 1+

      ¥49.15
    • 10+

      ¥43.04
    • 30+

      ¥39.32
    • 100+

      ¥34.61
  • 订货
  • FM24VN10 是一种 1-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM),具有 128K × 8 的逻辑组织结构。它采用先进的铁电工艺,支持高速写入,具有 100 万亿次读/写耐久性和 151 年的数据保留时间。该存储器支持 I2C 接口,最高频率可达 3.4 MHz,适用于需要频繁写入的应用场景。
    • 1+

      ¥123.24
    • 10+

      ¥120.08
  • 有货
  • S34ML01G200TFI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口,具有 3.3 V 供电电压,支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命,适用于需要高数据完整性的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.625
    • 20+

      ¥21.72
    • 100+

      ¥20.996
    • 200+

      ¥20.634
    • 500+

      ¥20.272
    采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥48.6465
    • 20+

      ¥46.669
    • 100+

      ¥45.4825
    • 200+

      ¥44.296
    • 500+

      ¥43.505
    S29GL - S 中密度系列器件是采用 65 纳米 MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064S 是一款 64 Mb 的器件,组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。根据型号不同,这些器件仅配备 16 位宽的数据总线,或者配备 16 位宽的数据总线,该总线还可通过使用 BYTE# 输入作为 8 位宽的数据总线
    数据手册
    • 5+

      ¥63.947398
    • 10+

      ¥60.394765
    • 100+

      ¥52.105287
    • 1000+

      ¥47.960548
    3.3V 1Gbit
    数据手册
    • 1+

      ¥17.04
    • 10+

      ¥14.63
    • 30+

      ¥13.12
    • 96+

      ¥11.57
    • 480+

      ¥10.88
    • 960+

      ¥10.57
  • 订货
  • S29JL032J是一款32 Mb、仅支持3.0 V的闪存器件,其组织形式为2,097,152个16位字,或4,194,304个8位字节。字模式数据通过DQ15 - DQ0传输;字节模式数据通过DQ7 - DQ0传输。
    • 1+

      ¥34.11
    • 10+

      ¥29.16
    • 30+

      ¥26.22
    • 100+

      ¥23.24
    • 500+

      ¥21.87
    • 960+

      ¥21.25
  • 订货
  • FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
    数据手册
    • 1+

      ¥46.93
    • 10+

      ¥40.37
    • 30+

      ¥36.38
    • 100+

      ¥33.03
  • 订货
    • 1+

      ¥48.56
    • 10+

      ¥47.58
    • 30+

      ¥46.93
    • 100+

      ¥46.28
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的汽车级2Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品能以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 1+

      ¥110.81
    • 10+

      ¥105.6
    • 30+

      ¥96.58
    • 100+

      ¥88.71
  • 订货
  • CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为32K字节 x 8-Bit。支持自动掉电功能,当未选中时可降低99.9%的功耗。工作电压范围为4.5V至5.5V,写入/读取操作由低电平有效的写使能信号(WE)控制。提供多种封装选项,包括28-pin PDIP、28-pin SOIC、28-pin TSOP I和28-pin reverse TSOP I。
    数据手册
    • 15+

      ¥25.868832
    • 100+

      ¥22.318208
    • 1000+

      ¥20.542896
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      ¥54.395669
    • 10+

      ¥51.373687
    • 100+

      ¥44.322397
    • 1000+

      ¥40.796752
    特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥33.61
    • 10+

      ¥28.77
    • 30+

      ¥25.89
    • 100+

      ¥22.98
    • 500+

      ¥21.63
    • 1000+

      ¥21.03
  • 订货
  • CY62148E 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,组织为 512K 字 × 8 -Bit。该设备具有超低待机电流,非常适合便携式应用。它还具有自动断电功能,当地址未切换时显著降低功耗。将设备置于待机模式(CE 高电平)可使功耗降低超过 99%。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.9
    • 10+

      ¥30.05
    • 30+

      ¥25.9
    • 100+

      ¥22.99
    • 500+

      ¥21.64
    • 1000+

      ¥21.04
  • 订货
  • 64Mb HYPERRAM器件是一款高速CMOS自刷新DRAM,具备HYPERBUS接口。该DRAM阵列采用需要定期刷新的动态存储单元。当HYPERBUS接口主控(主机)未对存储器进行主动读写操作时,器件内部的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作
    • 1+

      ¥35.055
    • 20+

      ¥33.63
    • 100+

      ¥32.775
    • 200+

      ¥31.92
    • 500+

      ¥31.35
    • 1+

      ¥1.8566
    • 10+

      ¥1.4629
    • 30+

      ¥1.2941
    • 100+

      ¥1.0836
    • 500+

      ¥0.9898
    • 1200+

      ¥0.9336
  • 订货
    • 1+

      ¥1.8566
    • 10+

      ¥1.4629
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      ¥0.9336
  • 订货
    • 1+

      ¥5.63
    • 200+

      ¥2.18
    • 500+

      ¥2.11
    • 970+

      ¥2.07
  • 订货
  • CY62126EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。这非常适合为手机等便携式应用提供更长的电池续航时间(MoBL)
    • 1+

      ¥20.61
    • 10+

      ¥17.58
    • 30+

      ¥15.78
    • 100+

      ¥13.96
    • 500+

      ¥13.12
    • 1350+

      ¥12.74
  • 订货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥36.71
    • 10+

      ¥35.85
    • 30+

      ¥35.28
    • 100+

      ¥34.7
  • 订货
  • FM18W08是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),具有宽电压操作范围和工业温度范围。它支持快速写入和高耐久性,适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
    数据手册
    • 单价:

      ¥69.96 / 个
    • 1+

      ¥59.36
    • 10+

      ¥51.07
    • 30+

      ¥46.01
    • 100+

      ¥41.77
  • 订货
  • 特性:CMOS 3.0 V Core。 串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 双倍数据速率 (DDR) 选项。 扩展寻址:32 位地址。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥84.06
    • 10+

      ¥72.99
    • 30+

      ¥66.24
    • 100+

      ¥60.58
  • 订货
    • 1+

      ¥112.94
    • 10+

      ¥107.35
    • 30+

      ¥97.67
    • 100+

      ¥89.22
  • 订货
    • 1+

      ¥1.596
    • 200+

      ¥0.6177
    • 480+

      ¥0.596
    • 960+

      ¥0.5852
  • 订货
    • 1+

      ¥18.125
    • 20+

      ¥17.4
    • 100+

      ¥16.82
    • 200+

      ¥16.53
    • 500+

      ¥16.24
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