您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共47055
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
数据手册
  • 1+

    ¥27.78
  • 10+

    ¥26.51
  • 30+

    ¥24.41
  • 有货
    • 1+

      ¥31.05
    • 10+

      ¥26.58
    • 30+

      ¥23.91
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥33
    • 10+

      ¥32.27
    • 30+

      ¥31.79
  • 有货
  • 特性:密度:128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令:普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O
    • 1+

      ¥37.1
    • 10+

      ¥31.99
    • 30+

      ¥28.95
  • 有货
  • 采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.37
    • 10+

      ¥32.2
    • 30+

      ¥26.51
  • 有货
  • 该设备是一款闪存非易失性存储产品,采用:MIRRORBIT™技术-在每个存储阵列晶体管中存储两位数据;Eclipse架构-显著提高编程和擦除性能;65纳米工艺光刻;该设备通过SPI连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特(四I/O或QIO)串行命令。这种多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。
    • 1+

      ¥41.63
    • 10+

      ¥35.94
    • 30+

      ¥32.48
    • 100+

      ¥29.57
  • 有货
  • 采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 1+

      ¥41.94
    • 10+

      ¥35.94
    • 30+

      ¥32.28
  • 有货
  • 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
    • 1+

      ¥55.86
    • 10+

      ¥48.04
    • 30+

      ¥43.27
  • 有货
  • 是高性能CMOS静态RAM,组织为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时可降低功耗。当器件被禁用(CE为高电平)时,将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写入操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻抗状态。要写入器件,将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平
    • 1+

      ¥66.3
    • 10+

      ¥57.04
    • 30+

      ¥51.4
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥73.16
    • 10+

      ¥69.73
    • 30+

      ¥63.79
  • 有货
  • 采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间,相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中编程最多32字/64字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    • 1+

      ¥81.38
    • 10+

      ¥70.01
    • 30+

      ¥63.08
  • 有货
  • 高性能CMOS快速静态RAM设备,带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚,在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时,将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置
    • 1+

      ¥167.92
    • 30+

      ¥159.68
  • 有货
  • CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM,具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项,支持多种封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥174.94
    • 10+

      ¥144.9
  • 有货
  • 是一种低功耗、8Mbit的非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它能可靠地保存数据达151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品能以总线速度执行写操作,无写延迟。每字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有显著的写耐久性,能够支持10¹⁵次读写循环,比EEPROM多100亿次写循环
    • 1+

      ¥242.24
    • 10+

      ¥234.07
  • 有货
  • FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品:• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术
    • 1+

      ¥9.91
    • 10+

      ¥9.66
    • 30+

      ¥9.49
  • 有货
  • 采用先进铁电工艺的4Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品能以总线速度执行写操作,无写延迟
    数据手册
    • 1+

      ¥14.92
    • 10+

      ¥14.58
    • 30+

      ¥14.35
  • 有货
  • S34ML02G200TFI000 是一款 2 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口,具有 3.3 V 供电电压,支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命,适用于需要高数据完整性的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.46
    • 10+

      ¥14.08
    • 30+

      ¥12.6
  • 有货
  • CY7C1041G是一款4兆-Bit(256K字×16-Bit)高速静态随机存取存储器,带有错误检测和纠正功能(ECC)。支持单字节和双字节访问,工作电压范围为1.65V至2.2V,2.2V至3.6V,以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性,适用于工业级应用。
    • 1+

      ¥18.81
    • 10+

      ¥16.1
    • 30+

      ¥14.48
  • 有货
  • CY15B004Q 是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口,最高频率可达16MHz,具有高耐久性和低功耗特性,适用于汽车级应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.96
    • 10+

      ¥19.52
    • 30+

      ¥19.22
  • 有货
  • 特性:密度:128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令:普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O
    • 1+

      ¥28.7
    • 10+

      ¥28.03
    • 30+

      ¥27.58
  • 有货
  • Spansion S34ML02G1系列是用于嵌入式的SLC NAND闪存,提供1Gb, 2Gb, 4Gb密度。支持1位ECC,8位和16位I/O接口,3V Vcc供电。每个平面包含1024个块,支持多平面编程和擦除。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.16
    • 10+

      ¥25.05
    • 30+

      ¥22.61
  • 有货
    • 1+

      ¥31.33
    • 10+

      ¥26.81
    • 30+

      ¥24.13
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 伏核心,具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3,具备 DDR 选项。 扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。 多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥31.9
    • 10+

      ¥27.36
    • 30+

      ¥24.66
  • 有货
  • 立创商城为您提供赛普拉斯存储器型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买赛普拉斯存储器提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content