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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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GL-S闪存
型号：S29GL128S10TFI020 编号：C2832244
封装：TSOP-56-18.5mm
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
数据手册

  • 1+

    ￥27.78

  • 10+

    ￥26.51

  • 30+

    ￥24.41
  • 有货
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    64Mbit SPI Multi-I/O, 1.8V
    型号：S25FS064SAGMFI010 编号：C2931553
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：读取命令：正常、快速、双输出、双I/O、四输出、四I/O、DDR四I/O模式；突发环绕、连续（XIP）、QPI（QPI）模式；串行闪存可发现参数（SFDP）和通用闪存接口（CFI），用于配置信息。编程：256或512字节页面编程缓冲区；编程暂停和恢复；自动ECC-内部硬件纠错码（ECC）生成，具有单比特纠错功能。擦除：混合扇区选项；地址空间顶部或底部有一组八个4 KB扇区和一个32 KB扇区，其余扇区为64 KB；统一扇区选项；统一64 KB或256 KB块，与更高密度和未来设备软件兼容；擦除暂停和恢复；擦除状态评估。循环耐久性：至少100,000次编程-擦除循环。数据保留：至少20年数据保留。安全特性：1024字节的一次性可编程（OTP）阵列；块保护：状态寄存器位控制对连续扇区范围的编程或擦除保护；硬件和软件控制选项；高级扇区保护（ASP）：由引导代码或密码控制的单个扇区保护；读访问密码控制选项
    数据手册

    • 1+

      ￥30.22

    • 10+

      ￥25.86

    • 30+

      ￥23.27
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    2-Mbit静态RAM
    型号：CY62138FV30LL-45ZAXI 编号：C2953730
    封装：TFSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62138FV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，组织为256K x 8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低功耗和非常高的速度（45 ns）。它具有自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。工作电压范围为2.20V至3.60V，适用于工业和汽车环境。

    • 1+

      ￥33.36 ￥41.7

    • 10+

      ￥25.256 ￥36.08

    • 25+

      ￥19.59 ￥32.65

    • 100+

      ￥17.868 ￥29.78
  • 有货
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    S29GL128S90TFI010
    型号：S29GL128S90TFI010 编号：C117905
    封装：TSOP-56-18.5mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    3.3V 128Mbit
    数据手册

    • 1+

      ￥35.33

    • 10+

      ￥30.23

    • 30+

      ￥27.21
  • 有货
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    256-Kbit (32 K x 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513
    封装：BSOJ-28
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

    • 1+

      ￥35.3338 ￥43.09

    • 10+

      ￥26.8416 ￥37.28

    • 30+

      ￥20.9188 ￥33.74

    • 90+

      ￥19.0774 ￥30.77
  • 有货
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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGNFI003 编号：C2951642
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥35.69

    • 10+

      ￥34.85

    • 30+

      ￥34.29
  • 有货
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    S25FS256SDSNFI000
    型号：S25FS256SDSNFI000 编号：C2944585
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥36.99

    • 10+

      ￥36.12

    • 30+

      ￥35.54
  • 有货
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    128 Mb（16 MB）闪存，SPI多1/O接口，3.0 V
    型号：S25FL127SABMFV101 编号：C2954141
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    该设备是一款闪存非易失性存储产品，采用：MIRRORBIT™技术-在每个存储阵列晶体管中存储两位数据；Eclipse架构-显著提高编程和擦除性能；65纳米工艺光刻；该设备通过SPI连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的两比特（双I/O或DIO）和四比特（四I/O或QIO）串行命令。这种多宽度接口称为SPI多I/O或MIO。

    • 1+

      ￥38.71

    • 10+

      ￥33.26

    • 30+

      ￥29.94
  • 有货
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    4-Mbit静态RAM
    型号：CY7C1049GN30-10VXI 编号：C2955761
    封装：BSOJ-36
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM，组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力，低功耗，支持多种供电电压范围。

    • 1+

      ￥40.928 ￥51.16

    • 10+

      ￥30.982 ￥44.26

    • 35+

      ￥24.036 ￥40.06

    • 105+

      ￥21.924 ￥36.54
  • 有货
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    256-Kbit宽电压字节式F-RAM存储器
    型号：FM18W08-SGTR 编号：C55945
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM18W08是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有宽电压操作范围和工业温度范围。它支持快速写入和高耐久性，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
    数据手册

    • 单价：

      ￥45.18 / 个
  • 有货
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    64Mb HYPERRAM自刷新动态随机存取存储器（PSRAM），HYPERBUS接口，1.8 V/3.0 V
    型号：S27KL0642DPBHI020 编号：C2944480
    封装：VBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    64Mb HYPERRAM器件是一款高速CMOS自刷新DRAM，具备HYPERBUS接口。该DRAM阵列采用需要定期刷新的动态存储单元。当HYPERBUS接口主控（主机）未对存储器进行主动读写操作时，器件内部的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作

    • 1+

      ￥46.54

    • 10+

      ￥40.02

    • 30+

      ￥36.05
  • 有货
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    CY7C1049G-10VXIT
    型号：CY7C1049G-10VXIT 编号：C2953024
    封装：BSOJ-36
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥52.17

    • 10+

      ￥50.86

    • 30+

      ￥50
  • 有货
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    S25FL256SAGMFM000
    型号：S25FL256SAGMFM000 编号：C1349754
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥56.74

    • 10+

      ￥48.45

    • 30+

      ￥43.39
  • 有货
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    S25FL128SAGBHBA00
    型号：S25FL128SAGBHBA00 编号：C2950747
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥57.95

    • 10+

      ￥50.27

    • 30+

      ￥45.58
  • 有货
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    FM24V05-G
    型号：FM24V05-G 编号：C2953685
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24V05是一款采用先进铁电工艺的512 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达151年，同时避免了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题

    • 1+

      ￥67.9326 ￥119.18

    • 10+

      ￥56.0146 ￥119.18

    • 30+

      ￥44.0966 ￥119.18
  • 有货
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    16-Mbit (1 M × 16 / 2 M × 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY62167ELL-45ZXI 编号：C2950509
    封装：TSOPI-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62167E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit/2M字×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高读写速度，适用于便携式应用。工作电压范围为4.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥78.29

    • 10+

      ￥71.64

    • 30+

      ￥65.52
  • 有货
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    S29GL512S11TFI010
    型号：S29GL512S11TFI010 编号：C2944775
    封装：TFSOP-56
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥80.45

    • 10+

      ￥76.68

    • 30+

      ￥70.15
  • 有货
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V 页闪存，采用 90 nm MirrorBit 工艺技术
    型号：S29GL256P11FFI020 编号：C2947464
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用90nm工艺技术制造。这些器件提供25ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间最快可达90ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多32字/64字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥81.38

    • 10+

      ￥70.01

    • 30+

      ￥63.08
  • 有货
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    1Mbit（128K × 8）串行（SPI）非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
    型号：CY14B101Q2A-SXI 编号：C2953859
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的CY14X101Q将1 Mbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并配备串行SPI接口。该存储器组织为128K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

    • 1+

      ￥91.55

    • 10+

      ￥86.93

    • 30+

      ￥78.93
  • 有货
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    1 Gbit FL-S闪存SPI多输入/输出
    型号：S70FL01GSDPMFV010 编号：C2958884
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V Core。 串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 双倍数据速率 (DDR) 选项。 扩展寻址：32 位地址。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥102.75

    • 10+

      ￥97.68

    • 30+

      ￥88.9
  • 有货
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    FM25V20A-DGQ
    型号：FM25V20A-DGQ 编号：C2953941
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，组织为256K×8。它采用先进的铁电工艺，提供高达10万亿次读写操作的高耐久性和121年的数据保留时间。该器件支持最高33 MHz的SPI接口，具有低功耗特性，支持扩展温度范围（-40°C至+105°C）。

    • 1+

      ￥110.8992 ￥145.92

    • 10+

      ￥93.3702 ￥141.47

    • 12+

      ￥79.2232 ￥141.47
  • 有货
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    1 Gb/512 Mb GL-T MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
    型号：S29GL01GT10FHI010 编号：C2944875
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒，相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区，允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

    • 1+

      ￥113.1606 ￥115.47

    • 10+

      ￥98.516 ￥111.95

    • 12+

      ￥87.321 ￥111.95
  • 有货
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    64 Mbit、32 Mbit，3 V页模式MirrorBit闪存
    型号：S29GL064N90BFI040 编号：C2944771
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件，组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节

    • 1+

      ￥118.1664 ￥179.04

    • 3+

      ￥100.2624 ￥179.04

    • 5+

      ￥82.3584 ￥179.04

    • 30+

      ￥79.7502 ￥173.37
  • 有货
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    GL-S闪存
    型号：S29GL01GS11DHIV10 编号：C1349852
    封装：FBGA-64(9x9)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥129.09

    • 10+

      ￥123.02

    • 30+

      ￥112.52
  • 有货
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    CY14B101LA-SP25XIT
    型号：CY14B101LA-SP25XIT 编号：C2684806
    封装：SSOP-48-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY14B101LA是一款1-Mbit nvSRAM，具有自动存储（AutoStore）和量子陷阱（QuantumTrap）技术。它支持无限次读写和召回操作，最多可进行1百万次存储操作。工作电压为3.0V ± 10%，工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册

    • 1+

      ￥131.48

    • 10+

      ￥122.04
  • 有货
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    FM24C04B-G
    型号：FM24C04B-G 编号：C2953577
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的4K位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟
    数据手册

    • 1+

      ￥14.99

    • 10+

      ￥14.64

    • 30+

      ￥14.4
  • 有货
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    CY62128EV30LL-45SXI
    型号：CY62128EV30LL-45SXI 编号：C2953883
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）模块，组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL@）

    • 1+

      ￥22.38

    • 10+

      ￥19.15

    • 25+

      ￥17.23
  • 有货
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    64 Mb（8 MB）GL-S MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
    型号：S29GL064S70TFI060 编号：C2959450
    封装：TFSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL - S 中密度系列器件是采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术制造的 3.0V 单电源闪存。S29GL064S 是一款 64Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 字或 8,388,608 字节。根据型号不同，这些器件仅配备 16 位宽的数据总线，或者配备一条 16 位宽的数据总线，该总线也可通过使用 BYTE# 输入作为 8 位宽的数据总线

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL128SAGBHVB00 编号：C2949641
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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    FM25CL64B-DGTR
    型号：FM25CL64B-DGTR 编号：C2952967
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

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