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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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  • 1+

    ¥26.6944 ¥27.52
  • 10+

    ¥23.403 ¥26.9
  • 30+

    ¥20.3973 ¥26.49
  • 100+

    ¥20.0816 ¥26.08
  • 有货
  • 高性能CMOS快速静态RAM设备,带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中,ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来执行,同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据,并在A₀至A₁₇引脚上提供地址
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥23.38
    • 30+

      ¥21.04
  • 有货
  • 的S25FL128S和S25FL256S器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品:- MirrorBit技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.5
    • 10+

      ¥23.66
    • 30+

      ¥21.38
  • 有货
  • 特性:读取命令:正常、快速、双输出、双I/O、四输出、四I/O、DDR四I/O模式;突发环绕、连续(XIP)、QPI(QPI)模式;串行闪存可发现参数(SFDP)和通用闪存接口(CFI),用于配置信息。编程:256或512字节页面编程缓冲区;编程暂停和恢复;自动ECC-内部硬件纠错码(ECC)生成,具有单比特纠错功能。擦除:混合扇区选项;地址空间顶部或底部有一组八个4 KB扇区和一个32 KB扇区,其余扇区为64 KB;统一扇区选项;统一64 KB或256 KB块,与更高密度和未来设备软件兼容;擦除暂停和恢复;擦除状态评估。循环耐久性:至少100,000次编程-擦除循环。数据保留:至少20年数据保留。安全特性:1024字节的一次性可编程(OTP)阵列;块保护:状态寄存器位控制对连续扇区范围的编程或擦除保护;硬件和软件控制选项;高级扇区保护(ASP):由引导代码或密码控制的单个扇区保护;读访问密码控制选项
    数据手册
    • 1+

      ¥30.22
    • 10+

      ¥25.86
    • 30+

      ¥23.27
  • 有货
  • CY62138FV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),组织为256K x 8-Bit。该设备采用先进的电路设计,提供超低功耗和非常高的速度(45 ns)。它具有自动断电功能,当未选中时可显著降低功耗。工作电压范围为2.20V至3.60V,适用于工业和汽车环境。
    • 1+

      ¥30.441 ¥41.7
    • 10+

      ¥22.7304 ¥36.08
    • 25+

      ¥17.3045 ¥32.65
    • 100+

      ¥15.7834 ¥29.78
  • 有货
  • CY7C1018DV33和CY7C1019DV33是高性能CMOS静态RAM,组织为131,072个字节,每个字节8-Bit。提供多种封装选项,包括Pb-free 32-pin 400-Mil宽的Molded SOJ,32-pin TSOP II和48-ball VFBGA。具有高速、低功耗和自动电源关闭功能。
    • 1+

      ¥33.6102 ¥54.21
    • 10+

      ¥24.3932 ¥46.91
    • 30+

      ¥17.829 ¥42.45
    • 100+

      ¥16.2624 ¥38.72
  • 有货
  • 采用65纳米工艺技术制造,提供快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.18
    • 10+

      ¥32.9
    • 30+

      ¥30.35
  • 有货
  • CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM,组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力,低功耗,支持多种供电电压范围。
    • 1+

      ¥37.3468 ¥51.16
    • 10+

      ¥27.8838 ¥44.26
    • 35+

      ¥21.2318 ¥40.06
    • 105+

      ¥19.3662 ¥36.54
  • 有货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术和65纳米光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单输入输出或SIO),以及可选的双比特(双输入输出或DIO)和四比特宽的四路输入输出(QIO)和四路外设接口(QPI)命令
    • 1+

      ¥40.22
    • 10+

      ¥34.34
    • 30+

      ¥30.76
  • 有货
  • 3.3V 512Mbit
    数据手册
    • 1+

      ¥44.49
    • 10+

      ¥38.26
    • 30+

      ¥34.46
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥50.51
    • 10+

      ¥43.44
    • 30+

      ¥39.13
    • 100+

      ¥35.52
  • 订货
  • 特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
    • 1+

      ¥50.86
    • 10+

      ¥43.75
    • 30+

      ¥39.42
  • 有货
  • 的CY14MX064Q2A将64 Kbit非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)与每个存储单元中的非易失性元件相结合,并配备串行SPI接口。该存储器组织为8K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱(QuantumTrap)技术
    • 1+

      ¥58.19
    • 10+

      ¥50
    • 30+

      ¥45.01
  • 有货
  • FM24V05是一款采用先进铁电工艺的512 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达151年,同时避免了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
    • 1+

      ¥59.59 ¥119.18
    • 10+

      ¥47.672 ¥119.18
    • 30+

      ¥35.754 ¥119.18
  • 有货
  • 2-Mbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,不会产生写延迟
    • 1+

      ¥75.79
    • 10+

      ¥65.18
    • 30+

      ¥58.71
  • 有货
  • 采用65纳米工艺技术制造,提供快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥93.89
    • 10+

      ¥89.66
    • 30+

      ¥82.34
  • 有货
  • 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
    • 1+

      ¥95.58
    • 10+

      ¥86.33
    • 30+

      ¥80.69
  • 有货
  • S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒,相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区,允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程,与标准编程算法相比,可有效缩短编程时间
    • 1+

      ¥105.0777 ¥115.47
    • 10+

      ¥90.6795 ¥111.95
    • 12+

      ¥79.4845 ¥111.95
  • 有货
  • S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件,组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件,组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节
    • 1+

      ¥105.6336 ¥179.04
    • 3+

      ¥87.7296 ¥179.04
    • 5+

      ¥69.8256 ¥179.04
    • 30+

      ¥67.6143 ¥173.37
  • 有货
    • 1+

      ¥122.88
    • 10+

      ¥116.87
    • 30+

      ¥106.46
  • 有货
  • CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)模块,组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间(MoBL@)
    • 1+

      ¥15.65
    • 10+

      ¥15.27
    • 30+

      ¥15.01
  • 有货
  • FM25C160B是一款采用先进铁电工艺的16 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F - RAM)是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它能可靠保存数据达151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
    • 1+

      ¥17.43
    • 10+

      ¥17.04
    • 30+

      ¥15.97
  • 有货
  • CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)模块,组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间(MoBL@)
    • 1+

      ¥22.38
    • 10+

      ¥19.15
    • 25+

      ¥17.23
  • 有货
  • 采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统,支持传统SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四I/O(QIO)和四外设接口(QPI)命令。此外,QIO和QPI还有双倍数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区,允许一次操作中最多编程256字节,并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能
    • 1+

      ¥22.86
    • 10+

      ¥22.35
    • 30+

      ¥20.95
  • 有货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四路I/O(QIO)及四路外设接口(QPI)命令
    数据手册
    • 1+

      ¥24.59
    • 10+

      ¥24.01
    • 30+

      ¥23.63
  • 有货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四路I/O(QIO)及四路外设接口(QPI)命令
    数据手册
    • 1+

      ¥26.6
    • 10+

      ¥22.82
    • 30+

      ¥20.57
  • 有货
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