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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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64 Mb (8 MB) FL-L闪存
型号：S25FL064LABNFA010 编号：C2948885
封装：WFDFN-8-EP
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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    ￥20.6739 ￥36.27

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    CY7C1011DV33-10ZSXIT
    型号：CY7C1011DV33-10ZSXIT 编号：C2952444
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥25.6158 ￥44.94

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    嵌入式SLC NAND闪存，1Gb、2Gb、4Gb密度，1-bit ECC，x8和x16 I/O，3V Vcc
    型号：S34ML02G100BHI003 编号：C2759941
    封装：BGA-63
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    Spansion S34ML02G1系列是用于嵌入式的SLC NAND闪存，提供1Gb, 2Gb, 4Gb密度。支持1位ECC，8位和16位I/O接口，3V Vcc供电。每个平面包含1024个块，支持多平面编程和擦除。
    数据手册

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      ￥29.16

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    128 Mb（16 MB）/ 256 Mb（32 MB）FL-L闪存，SPI多输入/输出接口，3.0V
    型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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      ￥30.039 ￥52.7

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    3.0V FL-L闪存
    型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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      ￥30.3012 ￥53.16

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      ￥19.6692 ￥53.16
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    4-Mbit (256K × 16) 静态随机存取存储器
    型号：CY62146EV30LL-45ZSXI 编号：C466866
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62146EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为256K words by 16 bits。该设备具有超低活动电流和宽电压范围，适用于便携式应用如手机等。自动断电功能可在未选中时节省超过99%的功耗。
    数据手册

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      ￥31.18

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      ￥26.63

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    CY62157EV30LL-45ZSXIT
    型号：CY62157EV30LL-45ZSXIT 编号：C511140
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K x 16或1M x 8。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备如手机。它支持自动断电功能，可在不切换地址时显著降低功耗。工作电压范围为2.2V至3.6V，温度范围包括工业级（-40°C至+85°C）和汽车级（-40°C至+125°C）。
    数据手册

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      ￥31.51

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    64 Mb（8 MB）GL-S MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
    型号：S29GL064S70TFI030 编号：C2944625
    封装：TFSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL - S 中密度系列器件是采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 技术制造的 3.0V 单电源闪存。S29GL064S 是一款 64Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 字或 8,388,608 字节。根据型号不同，这些器件仅配备 16 位宽的数据总线，或者配备一条 16 位宽的数据总线，该总线也可通过使用 BYTE# 输入作为 8 位宽的数据总线

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      ￥37.24

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    S25FL256SAGBHIA13
    型号：S25FL256SAGBHIA13 编号：C2951892
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥38.4582 ￥58.27

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    128 Mb（16 MB）/ 256 Mb（32 MB）FL-L闪存，SPI多I/O接口，3.0V
    型号：S25FL256LAGNFB010 编号：C2953684
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL - L系列器件是采用浮栅技术和65纳米光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出（单输入输出或SIO），以及可选的双比特（双输入输出或DIO）和四比特宽的四路输入输出（QIO）和四路外设接口（QPI）命令

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      ￥33.61

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      ￥30.02
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    GL-S闪存
    型号：S29GL01GS10TFI010 编号：C2684783
    封装：TSOP-56-18.5mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册

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      ￥45.86

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      ￥44
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    S25FS512SDSBHV213
    型号：S25FS512SDSBHV213 编号：C2952736
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥48.6495 ￥85.35

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      ￥38.3097 ￥81.51

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      ￥25.5485 ￥69.05
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    4-Mbit静态RAM，带纠错码（ECC）
    型号：CY7C1041G30-10ZSXE 编号：C2948416
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041G是一款高性能CMOS快速静态随机存取存储器（RAM）汽车级器件，内置纠错码（ECC）功能。该器件具有一个片选（CE）输入，通过将其置为低电平来访问器件。数据写入操作通过将写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅引脚上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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      ￥55.4496 ￥97.28

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      ￥43.663 ￥92.9

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      ￥31.5684 ￥85.32

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      ￥29.119 ￥78.7
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
    型号：S29GL128P11TFIV20 编号：C2944456
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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      ￥58.8456 ￥89.16

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      ￥47.6784 ￥85.14

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      ￥35.9674 ￥78.19

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      ￥33.1752 ￥72.12
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
    型号：S29GL128P11TFI010 编号：C2953861
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

    • 1+

      ￥66.06

    • 10+

      ￥56.81

    • 30+

      ￥51.17
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    S25FL512SAGMFIR11
    型号：S25FL512SAGMFIR11 编号：C2953563
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心,具有多功能 I/O SPI 与多 I/O 密度。512 Mb (64 MB) SPI。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥73.16

    • 10+

      ￥69.73

    • 30+

      ￥63.79
  • 有货
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    CY14V101QS-SE108XI
    型号：CY14V101QS-SE108XI 编号：C2954042
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥79.79

    • 10+

      ￥76.05

    • 30+

      ￥69.57
  • 有货
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    S29GL01GS11TFI010
    型号：S29GL01GS11TFI010 编号：C2959388
    封装：TFSOP-56
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

    • 1+

      ￥102.91

    • 10+

      ￥97.75

    • 30+

      ￥88.81
  • 有货
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    1 Gbit FL-S闪存SPI多输入/输出
    型号：S70FL01GSAGBHIC10 编号：C2953677
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V Core。 串行外设接口 (SPI) 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 双倍数据速率 (DDR) 选项。 扩展寻址：32 位地址。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥117.1844 ￥154.19

    • 10+

      ￥99.1518 ￥150.23

    • 30+

      ￥84.1288 ￥150.23
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    S25FL512SAGMFMG10
    型号：S25FL512SAGMFMG10 编号：C2944487
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥127.81

    • 10+

      ￥121.77

    • 30+

      ￥111.31
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    S70GL02GS12FHIV10
    型号：S70GL02GS12FHIV10 编号：C2953579
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米MIRRORBIT™工艺技术制造。该设备提供25 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间为110 ns。它具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多256字/512字节，比标准单字节/字编程算法具有更快的有效编程时间。这使其成为当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用的理想产品。

    • 1+

      ￥187.22

    • 30+

      ￥177.94
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    16-Mbit静态RAM带纠错码
    型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949
    封装：TSOPII-54
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

    • 1+

      ￥187.55

    • 25+

      ￥178.25
  • 有货
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    64 Mb (8 MB) FL-L闪存
    型号：S25FL064LABNFV010 编号：C2949232
    封装：WFDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（XIP）和存储可重新编程的数据。

    • 1+

      ￥9.81

    • 10+

      ￥9.57

    • 30+

      ￥9.4
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    64Mb 3.0V FL-L SPI闪存存储器
    型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.63

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      ￥11.59

    • 30+

      ￥9.48
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    3.0V FL-L闪存
    型号：S25FL128LAGMFV013 编号：C1512157
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的两比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四路I/O（QIO）及四路外设接口（QPI）命令
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    CY15E004Q-SXET
    型号：CY15E004Q-SXET 编号：C2953348
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15E004Q 是一款4-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，采用512×8的组织方式。它使用先进的铁电工艺，提供高耐久性和低功耗。支持高达20 MHz的SPI接口，适用于汽车级应用。

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    CY62128ELL-45ZXIT
    型号：CY62128ELL-45ZXIT 编号：C2953218
    封装：TFSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    S29GL128S10TFIV10
    型号：S29GL128S10TFIV10 编号：C2959297
    封装：TFSOP-56
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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    CY15B064Q SXET
    型号：CY15B064Q-SXET 编号：C2062862
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B064Q是一款采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
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    CY7C1021D-10VXIT
    型号：CY7C1021D-10VXIT 编号：C2952328
    封装：BSOJ-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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