赛普拉斯存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：WSON-8-EP(6x8)

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容

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型号：CY62167EV18LL-55BVXI 编号：C2944451

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该CY62167EV18是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字x16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合为诸如蜂窝电话等便携式应用提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗降低99%。

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型号：S29GL128P11FFI010 编号：C511719

封装：FBGA-64(11x13)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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型号：CY14B256LA-SP45XIT 编号：C2759949

封装：SSOP-48-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B256LA 是一款快速静态RAM，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器内部组织为32K字节，每个字节8-Bit。嵌入的非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供无限读写和恢复周期。

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型号：S29AL008J70TFI023 编号：C2952433

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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￥17.7954 ￥31.22
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型号：CY7C1041G30-10ZSXI 编号：C2944680

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041G是一款4兆-Bit（256K字×16-Bit）高速静态随机存取存储器，带有错误检测和纠正功能（ECC）。支持单字节和双字节访问，工作电压范围为1.65V至2.2V，2.2V至3.6V，以及4.5V至5.5V。具备低功耗特性，适用于工业级应用。

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型号：S25FL128LAGNFI013 编号：C2062455

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的两比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四路I/O（QIO）及四路外设接口（QPI）命令

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型号：CY7C1041G30-10ZSXIT 编号：C2952381

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项和多种引脚配置。在CY7C1041GE设备中，ERR引脚会在读取周期中发出错误检测和纠正事件的信号。数据写入通过将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

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型号：S25FL128SAGMFI000 编号：C393875

封装：SO-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的S25FL128S和S25FL256S器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：- MirrorBit技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。

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型号：S29GL512S11TFI020 编号：C2947443

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65 nm工艺技术制造。这些设备提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，从而比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：S29GL256S10TFIV10 编号：C1019097

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：S25FL127SABMFI101 编号：C2961581

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心。密度：128 Mb (16 MB)。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容，多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S29GL512S10TFI010 编号：C393876

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：CY14V101QS-SE108XIT 编号：C2953379

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥34.7292 ￥52.62
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型号：S29GL128S10TFIV20 编号：C914941

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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型号：CY7C1019DV33-10VXI 编号：C2953587

封装：BSOJ-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1018DV33和CY7C1019DV33是高性能CMOS静态RAM，组织为131,072个字节，每个字节8-Bit。提供多种封装选项，包括Pb-free 32-pin 400-Mil宽的Molded SOJ，32-pin TSOP II和48-ball VFBGA。具有高速、低功耗和自动电源关闭功能。

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型号：FM33256B-GTR 编号：C66028

封装：SOIC-14

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

256-Kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：S25FL512SAGMFIG10 编号：C117911

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 512Mbit

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型号：S29GL256P11TFIV20 编号：C2944802

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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￥55.86
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￥43.27

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型号：S25FS512SAGMFI011 编号：C2909900

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：串行外设接口 (SPI)，具备多 I/O SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：+24 或 32 位地址选项。串行命令子集和引脚兼容 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。多 I/O 命令子集和引脚兼容 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O

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型号：S25FL512SAGMFAR10 编号：C2944639

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有多功能 I/O-SPI 与多 I/O 密度。 512 Mb (64 MB) SPI。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 DDR 选项。扩展寻址：32 位地址。串行命令集和封装与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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￥56.68
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型号：FM25V20A-DGTR 编号：C2952834

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

2-Mbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

1+
￥75.41
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￥64.79
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￥58.33

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型号：S70GL02GS11FHI010 编号：C117896

封装：BGA-64

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 2Gbit

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1+
￥123
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￥117.22
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￥107.2

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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1+
￥174.94
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￥144.9

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型号：FM25L04B-GTR 编号：C66018

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。

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320+
￥5.77808
2500+
￥5.445

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型号：S29AL008J70BFI020 编号：C511129

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 Volt-only Flash 内存，组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48-球细间距 BGA（0.8 mm 间距）和 48-引脚 TSOP 封装。字宽数据 (x16) 出现在 DQ15-DQ0；字节宽 (x8) 数据出现在 DQ7-DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源进行系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中进行编程

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1+
￥12.11
10+
￥11.83
30+
￥11.64

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型号：S25FS128SAGMFI101 编号：C466873

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)或256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。 SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24位或32位地址选项。串行命令子集和引脚布局与S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容。多I/O命令子集和引脚布局与S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容。读取: -命令：普通、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O

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1+
￥12.3
10+
￥12.02
30+
￥11.82

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型号：CY62256NLL-55ZXIT 编号：C2759940

封装：TSOPI-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62256N是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为32K字节 x 8-Bit。支持自动掉电功能，当未选中时可降低99.9%的功耗。工作电压范围为4.5V至5.5V，写入/读取操作由低电平有效的写使能信号(WE)控制。提供多种封装选项，包括28-pin PDIP、28-pin SOIC、28-pin TSOP I和28-pin reverse TSOP I。

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￥13.68
10+
￥13.39
30+
￥13.2

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型号：S25FL064LABBHI030 编号：C2944866

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

1+
￥13.728 ￥17.16
10+
￥10.241 ￥14.63
30+
￥7.824 ￥13.04
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￥6.852 ￥11.42
500+
￥6.414 ￥10.69
1000+
￥6.222 ￥10.37

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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥15.6465 ￥27.45
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