赛普拉斯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：S25HL512TFAMHB010 编号：C5880863

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥130.58
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￥124.7
30+
￥114.52

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型号：CY7C1061GE30-10ZSXI 编号：C2953949

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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￥187.55
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￥178.25

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型号：FM25040B-GTR 编号：C55327

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25040B是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，逻辑上组织为512×8。它采用先进的铁电工艺，提供高耐久性和快速写入能力，支持高达20 MHz的时钟频率。

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￥9.77
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￥8.24
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￥7.4

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型号：S29AL008J70BFI020 编号：C511129

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 Volt-only Flash 内存，组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48-球细间距 BGA（0.8 mm 间距）和 48-引脚 TSOP 封装。字宽数据 (x16) 出现在 DQ15-DQ0；字节宽 (x8) 数据出现在 DQ7-DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源进行系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中进行编程

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1+
￥12.11
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￥11.83
30+
￥11.64

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型号：S25FL064LABBHI030 编号：C2944866

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L 系列器件是采用以下技术的闪存非易失性存储产品：• 浮栅技术 • 65 纳米制程光刻技术

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￥12.5268 ￥17.16
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￥9.2169 ￥14.63
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￥6.9112 ￥13.04
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￥6.0526 ￥11.42
500+
￥5.6657 ￥10.69
1000+
￥5.4961 ￥10.37

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型号：S25FS128SAGMFI101 编号：C466873

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)或256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。 SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24位或32位地址选项。串行命令子集和引脚布局与S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容。多I/O命令子集和引脚布局与S25FL-P和S25FL-S SPI系列兼容。读取: -命令：普通、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O

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1+
￥12.63
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￥12.35
30+
￥12.15

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型号：S25FL064LABMFA013 编号：C2952924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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￥13.725 ￥27.45
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￥10.98 ￥27.45
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￥8.235 ￥27.45

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型号：CY62128EV30LL-45ZXI 编号：C2944850

封装：TFSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）模块，组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL@）

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￥16.655 ￥33.31
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￥13.324 ￥33.31
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￥9.993 ￥33.31

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型号：FM24V02A-G 编号：C2953710

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的256-Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

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1+
￥19.428 ￥64.76
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￥12.952 ￥64.76
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￥6.476 ￥64.76

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型号：CY62128ELL-45ZAXI 编号：C2950636

封装：TFSOP-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62128E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字节×8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低活动电流，适用于便携式应用。具有自动断电功能，可显著降低未切换地址时的功耗。

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￥20.41
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￥19.89
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￥19.55

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXIT 编号：C2952444

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥22.47 ￥44.94
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￥17.976 ￥44.94
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￥13.482 ￥44.94

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型号：S25FL127SABMFI103 编号：C511143

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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1+
￥24.36
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￥23.79
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￥23.41

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型号：S25FL256LAGBHV020 编号：C2949988

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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￥26.35 ￥52.7
10+
￥21.08 ￥52.7
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￥15.81 ￥52.7

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型号：S25FL256LAGBHI020 编号：C2947906

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Flash非易失性存储产品采用浮栅技术和65nm工艺光刻。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SIO），以及可选的双比特（DIO）和四比特宽的Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中编程最多256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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￥26.58 ￥53.16
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￥21.264 ￥53.16
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￥15.948 ￥53.16

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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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￥32.3175 ￥43.09
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￥24.232 ￥37.28
30+
￥18.557 ￥33.74
90+
￥16.9235 ￥30.77

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型号：S29GL512S11TFI020 编号：C2947443

封装：TFSOP-56

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65 nm工艺技术制造。这些设备提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，从而比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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1+
￥32.52
10+
￥31.81
30+
￥29.87

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型号：S29GL256S10TFIV10 编号：C1019097

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

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1+
￥33.57
10+
￥31.86

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型号：S25FL256SAGBHIA13 编号：C2951892

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥34.3793 ￥58.27
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￥24.7009 ￥50.41
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￥17.7957 ￥45.63
100+
￥16.2279 ￥41.61

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型号：S29GL128S90TFI010 编号：C117905

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 128Mbit

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1+
￥35.33
10+
￥30.23
30+
￥27.21

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型号：S29JL064J70TFI000 编号：C393877

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S29JL064J是一款64 Mb、仅支持3.0伏的闪存器件，其组织形式为4,194,304个16位字或8,388,608个8位字节。字模式数据出现在DQ15 - DQ0；字节模式数据出现在DQ7 - DQ0。

数据手册

1+
￥36.59
10+
￥28.6
30+
￥25.65

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型号：CY62147EV30LL-45ZSXI 编号：C2950583

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥36.63
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￥31.35
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￥28.21

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型号：S25FS256SAGMFB000 编号：C2944592

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：密度：128 Mbits (16 MB)、256 Mbits (32 MB)。串行外设接口 (SPI)。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址：24 或 32 位地址选项。串行命令子集和封装尺寸与 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。多 I/O 命令子集和封装尺寸与 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容。读取命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O