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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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4-Mbit静态RAM
型号：CY7C1041GN30-10ZSXI 编号：C511134
封装：TSOPII-44-10.2mm
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作
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  • 1+

    ￥25.75

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    ￥22.78

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    ￥20.92
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    SPI闪存
    型号：S25FL256SAGNFI001 编号：C466862
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
    数据手册

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    64 Mbit、32 Mbit，3 V页模式MirrorBit闪存
    型号：S29GL064N90TFI030 编号：C2759936
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件，组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节
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      ￥41.17

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    S26KL512SDABHB020
    型号：S26KL512SDABHB020 编号：C2944536
    封装：VBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥42.41

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    CY62167DV30LL-55BVXIT
    型号：CY62167DV30LL-55BVXIT 编号：C2953121
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    具备扩展温度范围的64 Kbit SPI非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）
    型号：CY14MB064Q2A-SXQ 编号：C2956703
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的CY14MX064Q2A将64 Kbit非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）与每个存储单元中的非易失性元件相结合，并配备串行SPI接口。该存储器组织为8K个8位字。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

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      ￥58.19

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    16-Mbit静态随机存储器，带纠错码（ECC）
    型号：CY7C1061G30-10BVJXI 编号：C2950207
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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      ￥178.52

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      ￥169.76
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    16-Mbit静态RAM带纠错码
    型号：CY7C1069G30-10ZSXI 编号：C2759942
    封装：TSOPII-54-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1069G和CY7C1069GE是具有嵌入式ECC的双片选高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。CY7C1069G器件采用标准引脚配置。CY7C1069GE器件包含一个单比特错误指示引脚（ERR），在ECC错误检测和纠正事件发生时向主处理器发出信号
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      ￥194.102 ￥262.3

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    CY62128EV30LL-45SXIT
    型号：CY62128EV30LL-45SXIT 编号：C2840304
    封装：SOIC-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62128EV30是一款高性能CMOS静态RAM模块，组织为128K字节x8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低的活动电流，适用于便携式设备。具有自动断电功能，当地址未切换时显著降低功耗。在待机模式下，功耗可减少超过99%。工作温度范围为-40°C至+85°C，供电电压范围为2.2V至3.6V。
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    64 Mbit、32 Mbit，3 V页模式MirrorBit闪存
    型号：S29GL064N90TFI010 编号：C466861
    封装：TFSOP-56-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用110nm MirrorBit技术制造的3.0伏单电源闪存存储器。有64Mb和32Mb两种容量，可组织为不同的字数或字节数。有16位宽数据总线，部分可通过BYTE#输入作为8位宽数据总线。可在主机系统或标准EPROM编程器中编程
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    SPI闪存
    型号：S25FL256SAGMFI001 编号：C117914
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    3.3V 256Mbit
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    SPI闪存
    型号：S25FL256SAGMFIR01 编号：C914932
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。 扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。 多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
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    CY7C13451G-100BZXE
    型号：CY7C13451G-100BZXE 编号：C2955574
    封装：FBGA-165(13x15)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY7C1480BV33-250BZI
    型号：CY7C1480BV33-250BZI 编号：C914905
    封装：FBGA-165
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1480BV33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持250MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。
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    • 单价：

      ￥693.27 / 个
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    FM25040B-GTR
    型号：FM25040B-GTR 编号：C55327
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25040B是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，逻辑上组织为512×8。它采用先进的铁电工艺，提供高耐久性和快速写入能力，支持高达20 MHz的时钟频率。
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    SPI闪存
    型号：S25FL128SAGMFI001 编号：C466853
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
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    2Gbit I/O NAND 3V
    型号：S34ML01G200TFI000 编号：C83656
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S34ML01G200TFI000 是一款 1 Gb 3 V 4-bit ECC SLC NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统。它支持 x8 和 x16 接口，具有 3.3 V 供电电压，支持 4-bit ECC。该存储器具有高可靠性和长寿命，适用于需要高数据完整性的应用。
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    • 1+

      ￥14.88

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    64 Mb (8 MB) FL-L闪存
    型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

    • 1+

      ￥14.93

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      ￥14.58

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    CY62128ELL-45ZAXI
    型号：CY62128ELL-45ZAXI 编号：C2950636
    封装：TFSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62128E是一款高性能CMOS静态RAM，组织为128K字节×8-Bit。该设备采用先进的电路设计，提供超低活动电流，适用于便携式应用。具有自动断电功能，可显著降低未切换地址时的功耗。

    • 1+

      ￥20.41

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      ￥19.89

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    S29AL016J70TFI020
    型号：S29AL016J70TFI020 编号：C914935
    封装：TSOP-48-12.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程
    数据手册

    • 1+

      ￥20.66

    • 10+

      ￥17.71

    • 30+

      ￥15.86
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    3.0V SPI Flash Memory
    型号：S25FL256SAGMFIR03 编号：C2951924
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。 扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。 多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥30.47

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      ￥25.93

    • 30+

      ￥23.23
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    FM25W256-G
    型号：FM25W256-G 编号：C2951286
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是256-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器F-RAM是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

    • 1+

      ￥31.3

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      ￥26.73

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      ￥24.02
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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL256SAGNFI003 编号：C2060936
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥33.61

    • 10+

      ￥28.77

    • 30+

      ￥25.89
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    GL-S闪存
    型号：S29GL256S90TFI010 编号：C466848
    封装：TSOP-56-18.5mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米工艺技术制造，提供快速的页面访问时间，最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达90 ns。具有一个写缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字/512字节，比标准编程算法具有更快的有效编程时间。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥33.96

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    4-Mbit (512K × 8) 静态随机存取存储器
    型号：CY62148ELL-45ZSXIT 编号：C2952831
    封装：TSOP-32
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62148E 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 512K 字 × 8 -Bit。该设备具有超低待机电流，非常适合便携式应用。它还具有自动断电功能，当地址未切换时显著降低功耗。将设备置于待机模式（CE 高电平）可使功耗降低超过 99%。
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    64 Mb、3 V、同步读写闪存
    型号：S29JL064J70TFI000 编号：C393877
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29JL064J是一款64 Mb、仅支持3.0伏的闪存器件，其组织形式为4,194,304个16位字或8,388,608个8位字节。字模式数据出现在DQ15 - DQ0；字节模式数据出现在DQ7 - DQ0。
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    512 Mbit（64 Mbyte），3.0V SPI闪存存储器
    型号：S25FL512SAGMFI011 编号：C914934
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。串行外设接口 (SPI),具有多I/O密度。512 Mbits (64 Mbytes) SPI。SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:32位地址
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
    型号：S29GL128P10TFI010 编号：C915960
    封装：TSOP-56-18.5mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短
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    S70KL1282GABHV020
    型号：S70KL1282GABHV020 编号：C7428856
    封装：BGA-24(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    SPI闪存
    型号：S25FL128SAGNFI000 编号：C466872
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
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