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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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64 Mbit、32 Mbit，3 V页模式MirrorBit闪存
型号：S29GL064N90TFI030 编号：C2759936
封装：TSOP-48-18.4mm
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
S29GL - N 系列器件是采用 110 nm MirrorBit 技术制造的 3.0 伏单电源闪存。S29GL064N 是一款 64 Mb 的器件，组织形式为 4,194,304 个字或 8,388,608 个字节。S29GL032N 是一款 32 Mb 的器件，组织形式为 2,097,152 个字或 4,194,304 个字节
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  • 1+

    ￥43.27

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    SPI闪存
    型号：S25FL256SAGMFIR01 编号：C914932
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。 扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。 多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥45.1

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      ￥33.67
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    S70KL1282GABHV020
    型号：S70KL1282GABHV020 编号：C7428856
    封装：BGA-24(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    4-Mbit静态RAM，带纠错码（ECC）
    型号：CY7C1041G30-10ZSXE 编号：C2948416
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041G是一款高性能CMOS快速静态随机存取存储器（RAM）汽车级器件，内置纠错码（ECC）功能。该器件具有一个片选（CE）输入，通过将其置为低电平来访问器件。数据写入操作通过将写使能（WE）输入置为低电平来执行，同时在I/O₀至I/O₁₅引脚上提供数据，并在A₀至A₁₇引脚上提供地址

    • 1+

      ￥48.64 ￥97.28

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    CY62137EV30LL-45ZSXIT
    型号：CY62137EV30LL-45ZSXIT 编号：C2953208
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥51.96

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      ￥41.5524 ￥44.68

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      ￥30.3199 ￥36.53
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    S29GL256P10TFI010
    型号：S29GL256P10TFI010 编号：C466847
    封装：TSOP-56-18.5mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    数据手册

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      ￥58.87

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    4-Mbit nvSRAM
    型号：CY14B104LA-ZS45XIT 编号：C2759929
    封装：TSOP-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    Cypress CY14B104LA-ZS45XIT 是一款 4Mbit nvSRAM，具有非易失性存储单元，支持无限次读写操作，数据保持时间为 20 年，支持 1 百万次 STORE 操作。
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      ￥210.02

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    8Mbit 、3V、引导扇区闪存
    型号：S29AL008J70TFI020 编号：C5123276
    封装：TSOP-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是一款8 Mbit、3.0 V的闪存，组织为1,048,576字节或524,288字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）和48引脚TSOP封装。字宽数据（x16）出现在DQ15-DQ0；字节宽（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该器件设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。该器件也可以在标准EPROM编程器中进行编程。该器件的访问时间高达55 ns，允许高速微处理器在无等待状态下运行
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    • 1+

      ￥18.09

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    64 Mb (8 MB) FL-L闪存
    型号：S25FL064LABMFM013 编号：C2952053
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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      ￥23.77

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    4-Mbit (256K words × 16 bit) 静态 RAM
    型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作
    数据手册

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      ￥24.78

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    4-Mbit静态RAM带错误纠正码
    型号：CY7C1041G-10ZSXIT 编号：C2953045
    封装：TSOPII-44
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041G和CY7C1041GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件都提供单芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1041GE器件包含一个ERR引脚，用于在读取周期中指示错误检测和纠正事件

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    128 Mb（16 MB）/256 Mb（32 MB），3.0V FL-S闪存SPI多1/O接口
    型号：S25FL256SAGBHI200 编号：C2959268
    封装：TBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

    • 1+

      ￥34.95

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    S26KL512SDABHB020
    型号：S26KL512SDABHB020 编号：C2944536
    封装：VBGA-24
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    • 1+

      ￥40.73

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      ￥38.82

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      ￥37.66
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    S70KS1283GABHB023
    型号：S70KS1283GABHB023 编号：C17211269
    封装：FBGA-24(6x8)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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      ￥59.56

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      ￥51.53

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      ￥46.64
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    16-Mbit (1 M x 16) 静态 RAM
    型号：CY62167EV18LL-55BVXI 编号：C2944451
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    该CY62167EV18是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字x16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合为诸如蜂窝电话等便携式应用提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗降低99%。

    • 1+

      ￥64.995 ￥129.99

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    • 30+

      ￥38.997 ￥129.99
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    Gbit、512、256、128 Mbit、3V、采用 90nm MirrorBit 工艺技术的页闪存
    型号：S29GL128P11FFI010 编号：C511719
    封装：FBGA-64(11x13)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短
    数据手册

    • 1+

      ￥71.91 ￥119.85

    • 10+

      ￥57.47 ￥114.94

    • 30+

      ￥42.568 ￥106.42

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      ￥39.592 ￥98.98
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    2 Gbit (256 MB) GL-T MIRRORBIT 闪存 并行 3.0 V
    型号：S70GL02GS12FHIV10 编号：C2953579
    封装：LBGA-64
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用65纳米MIRRORBIT™工艺技术制造。该设备提供25 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间为110 ns。它具有一个写缓冲区，允许在一次操作中编程最多256字/512字节，比标准单字节/字编程算法具有更快的有效编程时间。这使其成为当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用的理想产品。

    • 1+

      ￥187.22

    • 30+

      ￥177.94
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    64 Mb（8 MB）、3.0V FL-L SPI 闪存
    型号：S25FL064LABMFI010 编号：C2909898
    封装：SOIC-8-208mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FL - L 系列器件是采用 65 纳米制程光刻浮栅技术的闪存非易失性存储产品。FL - L 系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的 SPI 单比特串行输入输出（单输入输出，即 SIO），以及可选的双比特（双输入输出，即 DIO）和四比特宽的四输入输出（QIO）和四外设接口（QPI）命令
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    • 1+

      ￥6.92

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      ￥6.76

    • 30+

      ￥6.65
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    64Mb 3.0V FL-L SPI闪存存储器
    型号：S25FL064LABMFI003 编号：C5123273
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    赛普拉斯FL-L 器件系列是非易失性闪存存储器产品，采用浮栅技术、±65 nm光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI的一比特串行输入和输出（即单线I/O 或SIO）、可选的双比特（即双线I/O 或DIO）、四比特宽（四线I/O 或QIO）以及四线外设接口（QPI）命令，还为QIO 和QPI 提供了双倍的数据速率（DDR）读取命令，在时钟的双边沿上传送地址和读取数据。具有页编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256 个字节，并提供单独的4 KB 大小的扇区、32 KB 半块扇区、64 KB 块扇区或整个芯片擦除功能。
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    • 1+

      ￥13.63

    • 10+

      ￥11.59

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      ￥9.48
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    16-Mbit 3V 引导区闪存
    型号：S29AL016J70TFI020 编号：C914935
    封装：TSOP-48-12.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程
    数据手册

    • 1+

      ￥18.01

    • 10+

      ￥15.06

    • 30+

      ￥13.22
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    16 Mbit、3 V、启动扇区闪存
    型号：S29AL016J70TFI010 编号：C2832248
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程
    数据手册

    • 1+

      ￥19.94

    • 10+

      ￥17.05

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      ￥13.59
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    8Mbit 、3V、引导扇区闪存
    型号：S29AL008J70TFI010 编号：C2759923
    封装：TSOPI-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    8 Mbit、3.0 伏的闪存,组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48 球细间距 BGA(0.8 mm 间距)和 48 引脚 TSOP 封装。字宽数据(x16)出现在 DQ15 DQ0;字节宽(x8)数据出现在 DQ7 DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源在系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中编程
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    • 1+

      ￥20.18

    • 10+

      ￥17.18

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      ￥15.31
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    4-Mbit (256K words × 16 bit) 静态 RAM
    型号：CY7C1041GN30-10ZSXI 编号：C511134
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作
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    • 1+

      ￥25.06

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    • 30+

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    CY15B064Q SXET
    型号：CY15B064Q-SXET 编号：C2062862
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B064Q是一款采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
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    • 1+

      ￥26.03

    • 10+

      ￥22.28

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      ￥20.05
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    CY62157EV30LL-45ZSXIT
    型号：CY62157EV30LL-45ZSXIT 编号：C511140
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K x 16或1M x 8。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备如手机。它支持自动断电功能，可在不切换地址时显著降低功耗。工作电压范围为2.2V至3.6V，温度范围包括工业级（-40°C至+85°C）和汽车级（-40°C至+125°C）。
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    16-Mbit静态RAM
    型号：CY62167EV30LL-45ZXI 编号：C115715
    封装：TSOP-48-12.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。超低工作电流非常适合在手机等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL）
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    512 Mb、1.8 V、具备多I/O功能的串行外设接口闪存
    型号：S25FS512SAGMFI011 编号：C2909900
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    特性：串行外设接口 (SPI)，具备多 I/O SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。 双倍数据速率 (DDR) 选项。 扩展寻址：+24 或 32 位地址选项。 串行命令子集和引脚兼容 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。 多 I/O 命令子集和引脚兼容 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列。 命令：普通、快速、双 I/O、四 I/O、DDR 四 I/O
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    1 Gbit/512 Mbit GL-T MirrorBit Eclipse闪存非易失性存储器
    型号：S29GL01GT11FHIV10 编号：C2947466
    封装：BGA-64(11x13)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    S29GL01GT/512T 是基于45 nm 工艺技术的MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供15 ns 的快速页面读取时间，相应的随机访问时间可达100 ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中最多可编程256 字/512 字节，与标准编程算法相比，有效编程时间更短。因此，对于当今需要更高容量、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。
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    CY62157EV18LL-55BVXI
    型号：CY62157EV18LL-55BVXI 编号：C2947425
    封装：VFBGA-48
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    CY7C13451G-100BZXE
    型号：CY7C13451G-100BZXE 编号：C2955574
    封装：FBGA-165(13x15)
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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