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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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3.3V 4Gbit
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  • 1+

    ¥76.44
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    ¥65.48
  • 30+

    ¥58.8
  • 100+

    ¥53.2
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  • 3.3V 64Mbit
    数据手册
    • 1+

      ¥19.46
    • 10+

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      ¥15.19
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      ¥13.58
  • 有货
  • FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口,最高时钟频率可达40 MHz,具备高耐久性和低功耗特性,适用于需要频繁写入的应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.01
    • 10+

      ¥21
    • 30+

      ¥19.21
    • 100+

      ¥15.69
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0 伏核心,具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3,具备 DDR 选项。 扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。 多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥28.29
    • 10+

      ¥27.01
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      ¥25.68
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      ¥24.92
  • 有货
  • 是256-Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器F-RAM是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 1+

      ¥39.9
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      ¥34.61
    • 30+

      ¥31.39
    • 100+

      ¥28.68
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  • 是高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器,可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上,8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入
    数据手册
    • 1+

      ¥57.06
    • 10+

      ¥51.74
    • 30+

      ¥50.15
  • 有货
  • 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
    数据手册
    • 1+

      ¥67.31
    • 10+

      ¥63.89
    • 30+

      ¥57.97
  • 有货
  • CY7C1381KV33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM,具有ECC功能,用于减少软错误率。
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    • 1+

      ¥276.78
    • 10+

      ¥256.29
  • 有货
  • FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器,采用先进的铁电工艺,具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口(I2C),最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用,如数据记录和工业控制。
    数据手册
    • 50+

      ¥17.424066
    • 200+

      ¥15.211486
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      ¥13.310051
    • 1000+

      ¥11.201185
    FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口,具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压,写入速度更快,功耗更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.85
    • 10+

      ¥15.79
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      ¥13.87
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      ¥11.91
  • 有货
  • 采用110nm MirrorBit技术制造的3.0伏单电源闪存存储器。有64Mb和32Mb两种容量,可组织为不同的字数或字节数。有16位宽数据总线,部分可通过BYTE#输入作为8位宽数据总线。可在主机系统或标准EPROM编程器中编程
    数据手册
    • 1+

      ¥30.19
    • 10+

      ¥25.76
    • 30+

      ¥23.14
    • 100+

      ¥20.48
  • 有货
  • 是高性能CMOS静态RAM,组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当设备被取消选择(CE为高电平)时,将其置于待机模式可使功耗降低99%以上
    • 1+

      ¥35.82
    • 10+

      ¥30.66
    • 30+

      ¥27.59
  • 有货
  • CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计,可提供超低功耗。适用于便携式设备,如手机。支持自动断电功能,可显著降低功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.09
    • 10+

      ¥31.4
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      ¥25.96
    • 100+

      ¥23.57
  • 有货
  • 的S29GL01GT/512T是采用45纳米制程技术制造的MirrorBit Eclipse闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达100 ns。它们具备一个写缓冲区,一次操作最多可对256字/512字节进行编程,与标准编程算法相比,可有效缩短编程时间
    数据手册
    • 1+

      ¥40.4768 ¥44.48
    • 10+

      ¥31.1688 ¥38.48
    • 30+

      ¥24.7293 ¥34.83
    • 91+

      ¥22.5496 ¥31.76
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥44.27
    • 10+

      ¥38.79
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      ¥32.66
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      ¥52.3
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      ¥49.82
    • 30+

      ¥48.31
    • 100+

      ¥47.05
  • 有货
  • 的CY14B256LA是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织形式为32K字节,每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱(QuantumTrap)技术
    • 1+

      ¥175.45
    • 30+

      ¥166.75
  • 有货
  • FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO),以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。此外,还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令,可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区,允许在一个操作中编程多达256字节,并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下,并使用Quad命令,指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存,同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度,并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(xIP)和存储可编程数据。
    • 1+

      ¥10.77
    • 10+

      ¥9.11
    • 30+

      ¥8.07
  • 有货
    • 1+

      ¥21.18
    • 10+

      ¥18.35
    • 30+

      ¥16.04
    • 100+

      ¥14.34
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥32.79
    • 10+

      ¥28.17
    • 30+

      ¥25.36
  • 有货
  • 特性:CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。串行外设接口 (SPI),具有多I/O密度。512 Mbits (64 Mbytes) SPI。SPI时钟极性和相位模式0和3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:32位地址
    数据手册
    • 1+

      ¥45.08
    • 10+

      ¥38.66
    • 47+

      ¥34.74
  • 有货
  • CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计,提供超低功耗和高速度,适用于汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥48.9
    • 10+

      ¥46.7
    • 30+

      ¥45.36
  • 有货
  • 的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒,随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器,一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程,与标准编程算法相比,有效编程时间更短
    • 1+

      ¥122.38
    • 30+

      ¥116.05
  • 有货
  • CY7C1069G和CY7C1069GE是具有嵌入式ECC的双片选高性能CMOS快速静态随机存取存储器(SRAM)器件。CY7C1069G器件采用标准引脚配置。CY7C1069GE器件包含一个单比特错误指示引脚(ERR),在ECC错误检测和纠正事件发生时向主处理器发出信号
    数据手册
    • 1+

      ¥175.741 ¥262.3
    • 10+

      ¥149.511 ¥262.3
    • 30+

      ¥123.281 ¥262.3
  • 有货
  • CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器(SRAM)器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项,以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚,该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号
    • 1+

      ¥178.52
    • 30+

      ¥169.76
  • 有货
  • 采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。可提供121年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 1+

      ¥18.2695 ¥29.95
    • 10+

      ¥13.1427 ¥25.77
    • 30+

      ¥9.5448 ¥23.28
    • 100+

      ¥8.5116 ¥20.76
    • 500+

      ¥8.036 ¥19.6
    • 1000+

      ¥7.8228 ¥19.08
  • 有货
  • CY62128EV30是一款高性能CMOS静态RAM模块,组织为128K字节x8-Bit。该设备采用先进的电路设计,提供超低的活动电流,适用于便携式设备。具有自动断电功能,当地址未切换时显著降低功耗。在待机模式下,功耗可减少超过99%。工作温度范围为-40°C至+85°C,供电电压范围为2.2V至3.6V。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.52
    • 10+

      ¥15.81
    • 30+

      ¥14.11
  • 有货
  • S25FL512S 器件是一款闪存非易失性存储产品,采用: - MirrorBit 技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.13
    • 10+

      ¥31.47
    • 30+

      ¥28.63
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