赛普拉斯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：CY14B104LA-ZS45XIT 编号：C2759929

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Cypress CY14B104LA-ZS45XIT 是一款 4Mbit nvSRAM，具有非易失性存储单元，支持无限次读写操作，数据保持时间为 20 年，支持 1 百万次 STORE 操作。

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型号：CY14E256LA-SZ25XIT 编号：C2952990

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。

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型号：FM24C64B-GTR 编号：C914923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口（I2C），最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用，如数据记录和工业控制。

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型号：S29AL008J70TFI010 编号：C2759923

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 伏的闪存,组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48 球细间距 BGA(0.8 mm 间距)和 48 引脚 TSOP 封装。字宽数据(x16)出现在 DQ15 DQ0;字节宽(x8)数据出现在 DQ7 DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源在系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中编程

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型号：S25FL256SAGMFIG03 编号：C914931

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S34ML04G100TFI000 编号：C98940

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 4Gbit

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型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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型号：CY15B104Q-SXI 编号：C2759922

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：S70FL01GSAGMFI011 编号：C476475

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0V 内核。具有多 I/O 的串行外设接口 (SPI):SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL P SPI 系列兼容

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型号：CY7C1061GN30-10ZSXI 编号：C1353032

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns，工作电压范围为2.2V至3.6V。

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型号：S25FL064LABMFI013 编号：C2951282

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：FM25V02A-G 编号：C2953568

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：S29GL064N90TFI040 编号：C117907

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 64Mbit

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型号：CY62157EV30LL-45BVXI 编号：C2944603

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

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型号：S25FL256SAGBHI200 编号：C2959268

封装：TBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 V 核心，具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：CY62148EV30LL-45ZSXI 编号：C2959462

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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型号：S25FL512SAGMFI010 编号：C269283

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

S25FL512S 器件是一款闪存非易失性存储产品，采用： - MirrorBit 技术 - 该技术可在每个存储阵列晶体管中存储两位数据。

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型号：CY62167EV30LL-45ZXI 编号：C115715

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1M字×16位或2M字×8位。该器件采用先进的电路设计，可实现超低工作电流。超低工作电流非常适合在手机等便携式应用中延长电池续航时间（MoBL）

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型号：S29GL512T10TFI010 编号：C2832246

封装：TSOP-56-18.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的S29GL01GT/512T是采用45纳米制程技术制造的MirrorBit Eclipse闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达15 ns，相应的随机访问时间最快可达100 ns。它们具备一个写缓冲区，一次操作最多可对256字/512字节进行编程，与标准编程算法相比，可有效缩短编程时间

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型号：S34ML02G100TFI000 编号：C112425

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 2Gbit

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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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￥50.15

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型号：S70KS1283GABHB023 编号：C17211269

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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￥59.56
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型号：S25FL064LABMFI010 编号：C2909898

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL - L 系列器件是采用 65 纳米制程光刻浮栅技术的闪存非易失性存储产品。FL - L 系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。该系列支持传统的 SPI 单比特串行输入输出（单输入输出，即 SIO），以及可选的双比特（双输入输出，即 DIO）和四比特宽的四输入输出（QIO）和四外设接口（QPI）命令

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￥11.41
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型号：CY7C1021DV33-10ZSXIT 编号：C2759921

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1021DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。该器件具备自动掉电功能，在未被选中时可显著降低功耗。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE）置为低电平

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型号：S29AL008J70TFI020 编号：C5123276

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款8 Mbit、3.0 V的闪存，组织为1,048,576字节或524,288字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）和48引脚TSOP封装。字宽数据（x16）出现在DQ15-DQ0；字节宽（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该器件设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。该器件也可以在标准EPROM编程器中进行编程。该器件的访问时间高达55 ns，允许高速微处理器在无等待状态下运行

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1+
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￥14.35

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型号：CY15B064J-SXET 编号：C2953071

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。可提供121年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

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￥20.366 ￥29.95
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￥14.9466 ￥25.77
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￥11.1744 ￥23.28
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型号：S29AL016J70TFI010 编号：C2832248

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是16 Mbit、仅3.0 V的闪存，组织为2,097,152字节或1,048,576字。提供48球细间距BGA（0.8 mm间距）、64球加固BGA（1.0 mm间距）和48引脚TSOP封装。宽字数据（x16）出现在DQ15-DQ0；宽字节（x8）数据出现在DQ7-DQ0。该设备设计为可在系统中使用标准系统3.0 V VCC电源进行编程。写入或擦除操作不需要12.0 V VPP或5.0 V VCC。也可以在标准EPROM编程器中编程

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