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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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  • 900+

    ¥1.0372
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    • 1+

      ¥5.82
    • 10+

      ¥5.7
    • 30+

      ¥5.62
    • 97+

      ¥4.87
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    数据手册
    • 1+

      ¥9.74
    • 10+

      ¥8.12
    • 30+

      ¥7.23
    • 100+

      ¥6.23
    • 500+

      ¥5.78
    • 1000+

      ¥5.58
  • 订货
    • 5+

      ¥92.483129
    • 50+

      ¥81.240083
    • 500+

      ¥74.80253
    • 5+

      ¥55.371175
    • 10+

      ¥52.294998
    • 100+

      ¥45.117255
    • 1000+

      ¥41.528381
    • 1+

      ¥24.732875
    • 20+

      ¥23.74356
    • 100+

      ¥22.952108
    • 200+

      ¥22.556382
    • 500+

      ¥22.160656
    FL - L 系列器件是采用 65 纳米制程光刻浮栅技术的闪存非易失性存储产品。FL - L 系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的 SPI 单比特串行输入输出(单输入输出,即 SIO),以及可选的双比特(双输入输出,即 DIO)和四比特宽的四输入输出(QIO)和四外设接口(QPI)命令
    数据手册
    • 20+

      ¥15.291745
    • 100+

      ¥13.192876
    • 1000+

      ¥12.143443
    3V 32Mbit
    数据手册
    • 1+

      ¥16.98
    • 10+

      ¥16.61
    • 30+

      ¥16.37
    • 96+

      ¥16.13
  • 订货
  • CY15E004Q 是一款4-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM),采用512×8的组织方式。它使用先进的铁电工艺,提供高耐久性和低功耗。支持高达20 MHz的SPI接口,适用于汽车级应用。
    • 10+

      ¥38.125278
    • 100+

      ¥32.892396
    • 1000+

      ¥30.275955
    • 1+

      ¥24.39
    • 10+

      ¥20.77
    • 30+

      ¥18.62
    • 100+

      ¥16.44
    • 500+

      ¥15.44
    • 1000+

      ¥14.99
  • 订货
    • 1+

      ¥26.47
    • 10+

      ¥20.7
    • 30+

      ¥17.19
    • 100+

      ¥14.24
  • 订货
    • 1+

      ¥26.77
    • 10+

      ¥23.02
    • 30+

      ¥20.13
    • 100+

      ¥17.87
    • 338+

      ¥16.83
    • 1014+

      ¥16.36
  • 订货
  • 特性:CMOS 3.0 伏核心,具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3,具备 DDR 选项。 扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。 串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。 多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容
    数据手册
    • 5+

      ¥58.837213
    • 10+

      ¥55.568478
    • 100+

      ¥47.941433
    • 1000+

      ¥44.12791
    • 1+

      ¥82.96
    • 10+

      ¥81.6
    • 50+

      ¥78.2
    • 100+

      ¥76.16
    • 200+

      ¥74.8
    是一款高性能 CMOS 静态 RAM,其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。
    • 1+

      ¥66.05
    • 10+

      ¥56.82
    • 30+

      ¥51.2
    • 100+

      ¥46.48
  • 订货
    • 1+

      ¥20.3
    • 20+

      ¥19.488
    • 100+

      ¥18.8384
    • 200+

      ¥18.5136
    • 500+

      ¥18.1888
    采用65纳米制程技术制造。这些设备提供了快速的页面访问时间,最快可达15 ns,相应的随机访问时间最快可达90 ns。它们具有一个写缓冲区,允许在一次操作中最多编程256个字/512字节,比标准编程算法具有更快的有效编程时间。这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥129.09
    • 10+

      ¥123.02
    • 30+

      ¥112.52
    • 100+

      ¥103.35
  • 订货
    • 1+

      ¥7.02
    • 10+

      ¥5.82
    • 30+

      ¥5.16
    • 180+

      ¥4.41
    • 540+

      ¥4.08
    • 1080+

      ¥3.93
  • 订货
  • CY7C1021DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器 (SRAM),组织为 65,536 字节 x 16 -Bit。该设备具有自动掉电功能,可在未选中时显著降低功耗。适用于工业和汽车级温度范围。
    数据手册
    • 单价:

      ¥14.84 / 个
    CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM,组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度,低功耗,宽工作电压范围。
    • 1+

      ¥11.52
    • 10+

      ¥11.26
    • 56+

      ¥11.09
    • 112+

      ¥10.92
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,不会产生写延迟
    • 1+

      ¥12.18
    • 10+

      ¥10.33
    • 30+

      ¥9.17
    • 100+

      ¥7.98
    • 500+

      ¥7.44
    • 1000+

      ¥7.21
  • 订货
    • 1+

      ¥15.31
    • 10+

      ¥14.71
    • 30+

      ¥14.31
    • 100+

      ¥12.87
  • 订货
    • 1+

      ¥21.77
    • 10+

      ¥21.3
    • 30+

      ¥20.99
    • 100+

      ¥20.67
  • 订货
    • 1+

      ¥18.85
    • 20+

      ¥18.096
    • 100+

      ¥17.4928
    • 200+

      ¥17.1912
    • 500+

      ¥16.8896
    • 1+

      ¥27.85
    • 10+

      ¥27.27
    • 30+

      ¥26.88
    • 100+

      ¥26.49
  • 订货
  • 3.3V 256Mbit
    数据手册
    • 1+

      ¥31.59
    • 10+

      ¥25.27
    • 30+

      ¥21.41
    • 100+

      ¥18.19
  • 订货
  • FM24W256是一款256-Kbit的铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性(100万亿次读写)和151年的数据保留时间。支持I2C接口,最高频率可达1 MHz,低功耗设计,工作电流100 μA(100 kHz),待机电流15 μA。工作电压范围为2.7 V至5.5 V,工业温度范围为-40℃至+85℃。采用8引脚小外形集成电路(SOIC)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.51
    • 10+

      ¥29.09
    • 30+

      ¥26.46
    • 97+

      ¥21.84
    • 485+

      ¥20.62
    • 970+

      ¥20.06
  • 订货
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