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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
  • 1+

    ¥15.99
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    ¥6.19
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      ¥14.32
  • 订货
  • FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四路I/O(QIO)及四路外设接口(QPI)命令
    数据手册
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      ¥17.43
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      ¥16.54
  • 订货
  • 3.3V 128Mbit
    数据手册
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      ¥7.63
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      ¥7.1
  • 订货
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      ¥7.57
  • 订货
  • CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM,组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力,低功耗,支持多种供电电压范围。
    数据手册
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      ¥25.76
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      ¥25.2
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      ¥24.83
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      ¥24.46
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  • 该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存,组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA(0.8毫米间距)和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程,写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns,允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用,该设备具有独立的芯片使能(CE#)、写使能(WE#)和输出使能(OE#)控制
    • 1+

      ¥31.22
    • 10+

      ¥26.86
    • 30+

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      ¥21.64
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      ¥20.43
    • 1000+

      ¥19.89
  • 订货
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      ¥63.291106
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      ¥59.774933
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      ¥51.57053
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      ¥47.46833
    CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM,组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度,低功耗,宽工作电压范围。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.42
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      ¥35.61
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      ¥35.07
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      ¥34.53
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      ¥95.072594
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      ¥83.514751
    • 500+

      ¥76.896952
    CY14E256LA是一款高速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器的容量为32 KB。嵌入式非易失性元件采用了量子阱(QuantumTrap)技术
    • 1+

      ¥40.37
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      ¥39.36
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      ¥38.01
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      ¥31.797929
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      ¥27.433507
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      ¥25.251296
    CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM,具有嵌入式ECC功能,支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项,多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V,适用于工业环境。
    数据手册
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      ¥45.34
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      ¥39.5
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      ¥129.014252
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      ¥116.631187
    FM28V020是一款256-Kbit的F-RAM存储器,逻辑上组织为32Kx8。该存储器具有高耐久性读写能力,数据保留时间超过151年,符合RoHS标准。它支持行业标准的32Kx8 SRAM引脚布局,读写操作类似于标准SRAM。适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
    • 1+

      ¥104.34
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      ¥101.25
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      ¥167.6016
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