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首页 > 热门关键词 > 赛普拉斯存储器
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      ¥11.87
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  • CY62128EV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)模块,组织形式为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可实现超低工作电流。这使其非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间(MoBL@)
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    特性:CMOS 3.0 V 核心,具有通用 I/O。SPI 支持多 I/O。SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。DDR 选项。扩展寻址:24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
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      ¥47.80978
    FL - L系列器件是采用浮栅技术、≡65 nm制程光刻工艺的闪存非易失性存储产品。FL - L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。该系列支持传统的SPI单比特串行输入输出(单I/O或SIO),以及可选的两比特(双I/O或DIO)和四比特宽的四路I/O(QIO)及四路外设接口(QPI)命令
    数据手册
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  • 3.3V 128Mbit
    数据手册
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  • CY7C1041G和CY7C1041GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器(SRAM)器件。这两款器件都提供单芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1041GE器件包含一个ERR引脚,用于在读取周期中指示错误检测和纠正事件
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      ¥22.02
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  • CY7C1049GN是一款高性能CMOS快速静态RAM,组织为512K字节×8-Bit。具有高速读写能力,低功耗,支持多种供电电压范围。
    数据手册
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      ¥25.76
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      ¥51.352357
    CY7C1041GN 是高性能CMOS快速静态RAM,组织为256K字×16-Bit。支持高写入速度,低功耗,宽工作电压范围。
    数据手册
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      ¥57.509408
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      ¥71.870555
    • 500+

      ¥66.175456
    CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM,具有嵌入式ECC功能,支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项,多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V,适用于工业环境。
    数据手册
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  • 512 Mb HYPERRAM™ 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,具备 HYPERBUS™ 接口。该 DRAM 阵列采用动态单元,需要定期刷新。当 HYPERBUS™ 接口主控(主机)未对存储器进行主动读写操作时,器件内部的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列的刷新操作
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  • CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM,组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计,提供超低功耗和高速度,适用于汽车应用。
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    FM28V020是一款256-Kbit的F-RAM存储器,逻辑上组织为32Kx8。该存储器具有高耐久性读写能力,数据保留时间超过151年,符合RoHS标准。它支持行业标准的32Kx8 SRAM引脚布局,读写操作类似于标准SRAM。适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
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