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  • 3.3V 256Mbit
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      ¥18.19
  • 订货
  • FM24W256是一款256-Kbit的铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性(100万亿次读写)和151年的数据保留时间。支持I2C接口,最高频率可达1 MHz,低功耗设计,工作电流100 μA(100 kHz),待机电流15 μA。工作电压范围为2.7 V至5.5 V,工业温度范围为-40℃至+85℃。采用8引脚小外形集成电路(SOIC)封装。
    数据手册
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      ¥27.74
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  • 3.3V 512Mbit
    数据手册
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      ¥24.894
    FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
    数据手册
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      ¥46.93
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      ¥29.5608
    • 1500+

      ¥29.2896
    采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 30+

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      ¥57.343568
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      ¥58.66
  • 订货
  • Cypress S34ML08G2 是一款 8 Gb 的 NAND Flash 存储器,支持 4-bit ECC 和 x8 I/O 接口。该设备适用于嵌入式应用,具有高可靠性和长数据保留时间。
    数据手册
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      ¥96.1215
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      ¥84.43614
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      ¥62.0568
    S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米制程技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的页面访问时间最快可达 15 纳秒,相应的随机访问时间最快可达 100 纳秒。它们具备一个写缓冲区,允许在一次操作中最多对 256 字/512 字节进行编程,与标准编程算法相比,可有效缩短编程时间
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      ¥48.924
    高性能、4Mbit非易失性存储器,采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可实现151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有出色的写耐久性,能够支持10¹⁴次读写循环,比EEPROM多1亿次写循环
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    数据手册
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  • 订货
  • FM25C160B是一款采用先进铁电工艺的16 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F - RAM)是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它能可靠保存数据达151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
    • 1+

      ¥9.11
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  • 3.3V 128Mbit
    数据手册
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