DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：USON-8-EP(2x3)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LP010E-JNLE 编号：C6969438

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25WJ032F-JNLE 编号：C7290366

封装：SOP-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25WJ032F-JTLE-TR 编号：C7290368

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL128LAGMFI003 编号：C2952017

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：S29AL008J55TFIR20 编号：C2948805

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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型号：IS25LP064A-JLLE 编号：C1349830

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多输入输出。该设备支持双输入输出和四输入输出以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：CH424Q 编号：C2840470

封装：QFP-44(10x10)

品牌：WCH(南京沁恒)

CH424是一款容量为4000字节的FIFO存储芯片。CH424有两个8位无源并行端口：输入端口W和输出端口R。CH424通过8位数据线以及读写和片选控制线连接到DSP/MCU/MPU等控制器的系统总线

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型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

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型号：IS25LP256E-JLLE 编号：C5119923

封装：WSON-8(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256E和IS25WP256E串行闪存为简化引脚封装提供了一种灵活且高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：S-34C04AB-A8T3U5 编号：C6996317

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款用于DIMM串行存在检测的2线串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至3.6V。该芯片具有4K位的存储容量，分为2页，每页256字节。支持页写和顺序读取。

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型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

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型号：MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061789

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口（SPI）

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型号：MB85RS1MTPW-G-APEWE1 编号：C2061103

封装：BGA-8(2.3x3.1)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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型号：MB85RS4MTPF-G-JNERE2 编号：C669469

封装：SOP-8-208mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³ 次读写操作，比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提高。写入数据不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，且无需等待时间。

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型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：FEMDNN008G-08A39 编号：C601079

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

替换型号是：FEMDNN008G-A3A55；应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头；

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