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25LC512是一款512Kbit的SPI接口串行EEPROM，支持字节和页面写操作。它还具备页擦除、扇区擦除和芯片擦除功能，适用于低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20MHz。

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￥17.5068 / 个

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型号：CY7C1041G-10ZSXIT 编号：C2953045

封装：TSOPII-44

CY7C1041G和CY7C1041GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件都提供单芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1041GE器件包含一个ERR引脚，用于在读取周期中指示错误检测和纠正事件

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型号：N01S830BAT22IT 编号：C891849

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：N01S830HAT22IT 编号：C891850

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：N01S818HAT22IT 编号：C891848

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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型号：25LC1024-E/MF 编号：C1349409

封装：DFN-8-EP(5x6)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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￥32.2272 / 个

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型号：N01S818HAT22I 编号：C223600

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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型号：N01S830BAT22I 编号：C603339

封装：TSSOP-8-175mil

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：N01S830HAT22I 编号：C223573

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：CY7C1049G-10ZSXI 编号：C914896

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：25AA1024-I/MF 编号：C1349059

封装：DFN-8-EP(5x6)

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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￥31.5576 / 个

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型号：25LC1024-I/P 编号：C185524

封装：PDIP-8

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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￥31.0824 / 个

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型号：THGAMRG8T13BAIL 编号：C2837691

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：FEMDNN128G-A3A56 编号：C5117596

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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型号：IS25LP128F-JKLE 编号：C521289

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LP064A-JKLE 编号：C1349823

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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￥10.413268 / 个

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型号：IS25WP256E-JLLE 编号：C5803542

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥26.34
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￥25.45
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￥24.85
100+
￥24.26

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型号：S25FL256LAGNFV010 编号：C2959295

封装：WDFN-8-EP

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

10+
￥31.98
100+
￥29.172
1000+
￥28.5012
2000+
￥28.3716

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型号：MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 编号：C5330489

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 是一款8Gb多芯片堆叠NAND Flash存储器，支持x8和x16数据宽度，具有300μs的页编程时间和2ms的块擦除时间，数据保留时间为10年。

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1+
￥70.65
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￥61.89
30+
￥56.54
100+
￥52.06

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型号：MB85RS64PNF-G-JNE1 编号：C1350870

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS64 是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为 8192 字×8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS64 采用串行外设接口（SPI）。

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￥28.63
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￥27.9
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￥27.41
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￥26.92

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型号：S27KL0641DABHA020 编号：C17296126

封装：FBGA-24(6x8)

64 Mb HyperRAM 器件是一款高速 CMOS 自刷新动态 RAM (DRAM)，配备 HyperBus 接口。赛普拉斯 128 Mb HyperRAM 器件采用单芯片堆叠，包含 64 Mb HyperRAM 器件。

1+
￥49.08
10+
￥42.83
30+
￥39.02
100+
￥35.82

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型号：CY7C1009D-10VXIT 编号：C1512158

封装：SOJ-32