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25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：25C040-I/SN 编号：C615257

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：25LC040XT/ST 编号：C616661

封装：TSSOP-8

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：25LC040X/ST 编号：C619735

封装：TSSOP-8

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：25C040X-I/ST 编号：C619725

封装：TSSOP-8

Microchip Technology Inc. 的 25C040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：25AA040XT-I/ST 编号：C616630

封装：TSSOP-8

Microchip Technology Inc. 的 25AA040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的 SPI 兼容串行总线访问内存。所需总线信号包括时钟输入 (SCK) 和单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过芯片选择 (CS) 输入控制设备访问。

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型号：CAV25040YE-GT3 编号：C890493

封装：TSSOP-8

CAV25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 512x8 位。该器件具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。CAV25040 通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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单价：
￥2.03712 / 个

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型号：25LC080/SN 编号：C153269

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的25LC080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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￥4.29
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型号：NV25020DTHFT3G 编号：C894138

封装：TSSOP-8

NV25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI - 汽车级 0 (+150°C) 器件，内部组织为 256x8 位。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 NV250x0 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。字节级片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。该器件提供了一个附加标识页，可以对其进行永久性写保护。

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单价：
￥2.01252 / 个

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型号：25AA640XT-I/ST 编号：C2062640

封装：TSSOP-8

25AA640XT-I/ST 是一款64K位SPI总线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为2MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，8192x8位组织结构，32字节页写保护，数据保留时间超过200年。

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1+
￥4.39
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型号：25C080-E/SN 编号：C615259

封装：SOIC-8

Microchip Technology Inc. 的25C080是一款8 Kbit串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的SPI兼容串行总线访问，需要时钟输入(SCK)以及单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线路。访问设备通过芯片选择(CS)输入控制。

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￥5.86
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型号：IS25LP080D-JBLE 编号：C2940518

封装：SOIC-8-208mil

IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

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￥8.37
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￥7.03
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￥6.29
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￥5.45
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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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￥16.03
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￥13.67
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型号：CY7C1009D-10VXIT 编号：C1512158

封装：SOJ-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款高性能 CMOS 静态 RAM，其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。

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￥66.05
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￥56.82
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￥51.2
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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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￥3.38
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￥2.7
30+
￥2.4
100+
￥1.88
500+
￥1.72
1000+
￥1.62

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型号：N64S818HAS21I 编号：C897837

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥5.58
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￥4.5
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￥3.97
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￥3.43
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￥3.11
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￥2.95

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型号：AT25XE161D-UUN-T 编号：C1857754

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术进行操作。理想适用于将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页面擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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1+
￥5.79
200+
￥2.24
500+
￥2.16
1000+
￥2.13

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型号：IS25LP016D-JKLE-TR 编号：C5656608

封装：WSON-8(5x6)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.72
10+
￥8.52
30+
￥8.39
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￥8.27

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型号：M24512-DFCS6TP/K 编号：C2062276

封装：WLCSP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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50+
￥13.247273
200+
￥11.115933
500+
￥9.231878
1000+
￥7.771733

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型号：S25FL256LAGNFV010 编号：C2959295

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥33.64253
20+
￥32.274947
100+
￥31.454398
200+
￥30.633848
500+
￥30.086815

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型号：FEMDNN128G-A3A56 编号：C5117596

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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1+
￥133.11
10+
￥129.47
12+
￥114.68

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型号：S-24C02DI-J8T1U5 编号：C2061076

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽工作范围的2线串行EEPROM，具有2 K-bit的存储容量。该芯片支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V至5.5 V）和400 kHz（Vcc = 1.7 V至5.5 V）。写周期时间为5.0 ms，数据保留时间为100年。

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1+
￥1.2555
200+
￥0.4859
500+
￥0.4688
1000+
￥0.4604

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型号：IS25WP016D-JBLA3-TR 编号：C6577438

封装：SOIC-8-208mil

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥6.34
10+
￥5.15
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￥4.56
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￥3.97
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￥3.61
1000+
￥3.43

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型号：N64S830HAS22I 编号：C897839

封装：SOIC-8