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该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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型号：N01S830HAT22IT 编号：C891850

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：N01S818HAT22IT 编号：C891848

封装：TSSOP-8-3.0mm

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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型号：MB85RS64PNF-G-JNE1 编号：C1350870

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS64 是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为 8192 字×8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS64 采用串行外设接口（SPI）。

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型号：25LC1024-E/MF 编号：C1349409

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：N01S818HAT22I 编号：C223600

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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型号：N01S830BAT22I 编号：C603339

封装：TSSOP-8-175mil

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：N01S830HAT22I 编号：C223573

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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型号：CY7C1049G-10ZSXI 编号：C914896

封装：TSOPII-44-10.2mm

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：25AA1024-I/MF 编号：C1349059

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：25LC1024-I/P 编号：C185524

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：IS43TR16512BL-107MBLI 编号：C1236815

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512BL-107MBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS25LP128F-JKLE 编号：C521289

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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￥22.212907
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型号：IS25LP064A-JKLE 编号：C1349823

封装：WSON-8-EP(5x6)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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单价：
￥11.082221 / 个

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型号：IS25WP256E-JLLE 编号：C5803542

封装：WSON-8-EP(6x8)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL256LAGMFI001 编号：C2954898

封装：SOIC-16

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

单价：
￥34.04 / 个

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型号：MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 编号：C5330489

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F 是一款8Gb多芯片堆叠NAND Flash存储器，支持x8和x16数据宽度，具有300μs的页编程时间和2ms的块擦除时间，数据保留时间为10年。

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￥70.65
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￥61.89
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￥56.54
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￥52.06

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型号：MT40A2G16SKL-062E:B 编号：C712513

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

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￥472.55
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￥452.76

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型号：S27KL0641DABHA020 编号：C17296126

封装：FBGA-24(6x8)

64 Mb HyperRAM 器件是一款高速 CMOS 自刷新动态 RAM (DRAM)，配备 HyperBus 接口。赛普拉斯 128 Mb HyperRAM 器件采用单芯片堆叠，包含 64 Mb HyperRAM 器件。

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￥49.08
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￥42.83
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￥39.02
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￥35.82

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型号：THGAMRG8T13BAIL 编号：C2837691

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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￥73.57
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￥63.28
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￥57.01
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型号：FEMDME008G-A8A39 编号：C3249972

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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￥56.27

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型号：IS43TR81024BL-125KBLI 编号：C1236873

封装：TWBGA-78(10x14)

IS43TR81024BL-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3L SDRAM，支持1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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￥107.16
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￥95.19
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￥86.77
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￥79.41

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型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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￥114.25
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￥110.77

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型号：FEMKNN004G-58A42 编号：C5117594

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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￥38.23
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￥33.19
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￥27.71
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￥25.14

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型号：FEMDME004G-A8A39 编号：C3249971

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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￥85.68
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￥74.57
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￥59.61
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￥53.93

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型号：CY7C1480BV33-250BZI 编号：C914905

封装：FBGA-165