DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC512-I/SN 编号：C127510

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：NT5CB128M16IP-EK 编号：C2846879

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3 SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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型号：IS25LP064A-JMLE 编号：C1349157

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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型号：CY7C1399BN-12VXIT 编号：C2959513

封装：BSOJ-28

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1399BN是高性能3.3V CMOS静态RAM，组织为32,768字×8位。通过有源低电平芯片使能 (CE)、有源低电平输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低95%以上。

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型号：DS1314S+T&R 编号：C2653356

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS1314 非易失性控制器带有电池监控功能，是一种CMOS电路，可以解决将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。该电路监测输入电源是否超出容许范围。当检测到这种状况时，会禁止芯片使能以实现写保护，并切换到电池供电，为RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，可以在极低的电池消耗下实现精确的电压检测。除了支持电池备份外，DS1314还执行监测锂离子电池剩余容量的重要功能，并在电池接近寿命终点前提供警告。由于锂备份电池在其大部分使用寿命中的开路电压保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量负载下的电池电压。DS1314通过周期性地比较电池在支持内部电阻负载时的电压与精心选择的参考电压来执行这种测量。如果在这种条件下电池电压低于参考电压，则表明电池即将到达寿命终点。因此，电池警告引脚会被激活，以信号提示需要更换电池。

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型号：FEMDNN008G-08A39 编号：C601079

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

替换型号是：FEMDNN008G-A3A55；应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头；

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型号：IS43TR16512BL-107MBLI 编号：C1236815

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-107MBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：CAT25020VI-GT3 编号：C890360

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI 器件，内部组织为 256x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25020 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：IS25LP020E-JNLE 编号：C3034696

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：GX2431S 编号：C2913558

封装：SFN-2(3.5x5)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431S是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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型号：M24512-DFDW6TP 编号：C2061091

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：F35SQB004G-WWT 编号：C47994714

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。

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型号：IS43TR16512B-125KBLI 编号：C1349863

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBLI 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：M48Z08-100PC1 编号：C1348748

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z08/18 是8Kx8非易失性静态RAM，具有电池备份功能，能够在系统断电时保持数据。该芯片与DS1225兼容，支持无限次写入。工作电压为4.75至5.5V，适用于工业温度范围。

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型号：P24C64C-UNH-MIR 编号：C2977256

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：PUYA(普冉)

P24C64C是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有8K x 8位的存储阵列，每页32字节。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40℃至125℃，最大时钟频率为1MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，写保护功能，自定时写周期，高可靠性和长达100年的数据保留时间。

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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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型号：24FC64T-I/MNY 编号：C1349386

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款64 Kbit电可擦除PROM。设备被组织为一个8K x 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该产品还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。该产品有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。此外，还有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：IS25LP010E-JNLE 编号：C6969438

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25WJ032F-JNLE 编号：C7290366

封装：SOP-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Serial Flash内存提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。设备通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：MX29LV400CTTI-70G 编号：C2802721

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：字节/字模式可切换。提供扇区保护功能，防止在受保护扇区进行编程或擦除操作。提供芯片未保护功能，允许更改代码。提供临时扇区未保护功能，以便在先前受保护的扇区中更改代码。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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￥7.7
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型号：NT5CC128M16IP-DI 编号：C2904576

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：S29AL008J55TFIR20 编号：C2948805

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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型号：25LC512-I/P 编号：C1349146

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款512 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装可供选择，包括8引脚PDIP、SOIC和先进的8引脚DFN封装。所有封装均为无铅且符合RoHS标准。

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型号：MB85RS1MTPW-G-APEWE1 编号：C2061103

封装：BGA-8(2.3x3.1)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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型号：M48Z58Y-70MH1F 编号：C2062195

封装：SOP-28-8.9mm

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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