DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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型号：25AA512-I/SN 编号：C219767

封装：SOIC-8

25AA512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需使用这些功能

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型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

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型号：MX29LV640ETTI-70G 编号：C504703

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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型号：MB85RC512TPNF-G-JNERE1 编号：C126729

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于其他非易失性存储产品。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚，在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时，将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器，可作为独立的128K位双端口随机存取存储器，或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能（CE）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造，这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗（L）版本提供电池备份数据保留功能，2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。

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型号：24LC32AT/SM 编号：C2062059

封装：SOIJ-8-5.28mm

24LC32A是一款32Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的供电范围，具有低功耗特性，适用于个人通讯和数据采集等应用。该器件具有页写功能，可写入最多32字节的数据。支持多种封装形式，包括8引脚PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和芯片级封装。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24FC64T-I/MNY 编号：C1349386

封装：TDFN-8-EP(2x3)

该产品是一款64 Kbit电可擦除PROM。设备被组织为一个8K x 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该产品还具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。该产品有标准的8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。此外，还有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：25LC040/P 编号：C613777

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。该存储器通过简单的 SPI 兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。通过芯片选择 (CS) 输入控制对设备的访问。

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型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：25LC512-I/P 编号：C1349146

封装：PDIP-8

是一款512 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装可供选择，包括8引脚PDIP、SOIC和先进的8引脚DFN封装。所有封装均为无铅且符合RoHS标准。

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型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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型号：25CSM04-I/SN 编号：C1019737

封装：SOIC-8

提供4 Mbits的串行EEPROM，采用串行外设接口（SPI）兼容总线。设备组织为524,288个8位字节（512 Kbyte），针对需要可靠和稳定非易失性存储器存储的消费和工业应用进行了优化，能够在2.5V至5.5V的宽电压范围内工作。所需的总线信号包括时钟输入（CSK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。可通过HOLD引脚暂停与设备的通信。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断

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型号：MX25LM25645GXDI00 编号：C20099905

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

是256Mb位八进制接口串行NOR闪存，内部配置为33,554,432 x 8。具有串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。八进制闪存可在整个芯片上提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对指定内容进行编程/擦除和验证。

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型号：NT5CC128M16IP-DI 编号：C2904576

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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型号：IS46TR16256B-125KBLA2 编号：C17234670

封装：TWBGA-96(9x13)

IS46TR16256B-125KBLA2 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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型号：THGBMJG7C1LBAIL 编号：C879825

封装：FBGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMJG7C1LBAIL是一款容量为16GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG7C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：IS25LP020E-JNLE-TR 编号：C7211260

封装：SOIC-8

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：IS25LQ040B-JNLA3-TR 编号：C2940540

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