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车规级汽车级汽车级 eMMC

型号：FEMDME016G-A8A43 编号：C3249973

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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1+
￥120
10+
￥107.6
30+
￥98.77

有货

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M48Z58 70PC1

型号：M48Z58-70PC1 编号：C1348741

封装：DIP-28

品牌：ST(意法半导体)

M48Z58 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。

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1+
￥150.74
10+
￥145.92

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高速8K x 16双端口静态RAM

型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器，可作为独立的128K位双端口随机存取存储器，或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能（CE）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造，这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗（L）版本提供电池备份数据保留功能，2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。

1+
￥520.18
45+
￥495.85

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4M/2M/1M/512K/256Kb串行闪存存储器，具备104MHz多I/O SPI和QPI接口

型号：IS25LP020E-JNLE-TR 编号：C7211260

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O。支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥3.52
10+
￥3.44
30+
￥3.39

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采用多I/O SPI接口的3V四路串行闪存

型号：IS25LQ040B-JULE-TR 编号：C2976733

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器在简化引脚计数的封装中提供了灵活且高性能的存储解决方案。适用于空间、引脚和功率有限的系统。该设备通过4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，在双模式和四模式下也用作多功能I/O引脚。该系列闪存非常适合将代码映射到RAM、执行原地操作（XIP）以及存储非易失性数据

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1+
￥6.38
10+
￥5.3
30+
￥4.71

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具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的串行闪存

型号：IS25LP080D-JBLE 编号：C2940518

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

1+
￥8.37
10+
￥7.03
50+
￥6.29

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IS25LP064A JLLE

型号：IS25LP064A-JLLE 编号：C1349830

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多输入输出。该设备支持双输入输出和四输入输出以及标准、双输出和四输出SPI

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1+
￥11.08
10+
￥10.81
30+
￥10.62

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128 Mb（16 MB）/ 256 Mb（32 MB）FL-L闪存，SPI多输入/输出接口，3.0V

型号：S25FL128LAGMFI003 编号：C2952017

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥14.07
10+
￥13.72
30+
￥13.48

有货

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S25FL128LAGNFI010

型号：S25FL128LAGNFI010 编号：C2944489

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

1+
￥22.86
10+
￥22.35
30+
￥20.95

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IS62WV25616BLL 55BLI

型号：IS62WV25616BLL-55BLI 编号：C1351412

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

高速、低功耗的4M位SRAM，由256K字x16位组成。采用高性能CMOS技术制造，这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，使器件具有高性能和低功耗的特点。当CS1为高电平（未选中）或CS1为低电平且LB(overline)和UB(overline)均为高电平时，器件进入待机模式，此时采用CMOS输入电平可降低功耗。通过芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写操作。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48引脚微型BGA（6mmx8mm）封装。

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1+
￥45.07
10+
￥44.01
30+
￥43.31

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1 Mbit SPI总线串行EEPROM

型号：25LC1024-E/SM 编号：C1348755

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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1+
￥46.75
10+
￥40.45
30+
￥36.61

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16-Mbit (1M x 16) 静态随机存取存储器

型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚，在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时，将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置

1+
￥167.92
30+
￥159.68

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MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

型号：MB85RC64TAPN-G-AMEWE1 编号：C189905

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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1+
￥7.62
10+
￥6.36
30+
￥5.67
100+
￥4.89
500+
￥4.54
1500+
￥4.38

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16Mb串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP016D-JKLE-TR 编号：C5656608

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥8.72
10+
￥8.52
30+
￥8.39

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16Mb串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥10.45
10+
￥10.21
30+
￥10.06

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IS62LV256AL 20TLI

型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

品牌：ISSI(美国芯成)

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

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1+
￥15.16
10+
￥14.81
30+
￥14.57

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IS25WP064A JKLE

型号：IS25WP064A-JKLE 编号：C1349795

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成的 4 线 SPI 接口进行访问，也可以配置为多 I/O。该器件支持双 I/O 和四 I/O 以及标准、双输出和四输出 SPI。高达 133MHz 的时钟频率允许达到高达 532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于 66Mbytes/s 的数据吞吐量。IS25xR 系列闪存增加了对 DTR（双传输速率）命令的支持，该命令在时钟的两个边沿传输地址和读取数据

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1+
￥16.61
10+
￥16.24
30+
￥15.99

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IS25WP128 JKLE

型号：IS25WP128-JKLE 编号：C1349189

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能，适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率允许等效时钟速率高达532MHz（133MHz x 4），相当于66MB/s的数据吞吐量

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1+
￥26.04
10+
￥25.46
30+
￥25.07

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128Mb串行闪存存储器，支持166MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口

型号：IS25LP128F-RHLE-TR 编号：C5656631

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥27.39
10+
￥26.78
30+
￥26.37

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CY7C1049G-10VXI

型号：CY7C1049G-10VXI 编号：C2955765

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

1+
￥32.62
10+
￥31.85
30+
￥31.34

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具备166MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口的128Mb串行闪存

型号：IS25WP128F-RHLA3-TR 编号：C7211289

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥35.52
10+
￥34.77
30+
￥34.27

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64M位单电压3V闪存

型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

1+
￥35.94
10+
￥35.09
30+
￥34.53

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16-Mbit静态随机存储器，带纠错码（ECC）

型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

1+
￥204.13
30+
￥194.78

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8/16-Kb SPI 串行 EEPROM

型号：CAT25160YI-GT3 编号：C233781

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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6000+
￥1.531689
12000+
￥1.51789
18000+
￥1.490292

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256Kx8 低电压超低功耗 CMOS 静态 RAM

型号：IS62WV2568BLL-55TLI 编号：C5741532

封装：TSOPI-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是高速的 2M 位静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字 x 8 位。采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能、低功耗的器件。当 CS1 为高电平（未选中）或 CS2 为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，此时使用 CMOS 输入电平可降低功耗。通过使用芯片使能和输出使能输入，可以轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。采用 JEDEC 标准 32 引脚 TSOP（I 型）、sTSOP（I 型）和 36 引脚迷你 BGA 封装。

1+
￥24.14
10+
￥23.6
30+
￥23.24

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MB85RS256TYPNF-G-BCERE1

型号：MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061789

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口（SPI）

1+
￥53.4
10+
￥52.06
30+
￥51.16

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IS43TR16256B 107MBLI

型号：IS43TR16256B-107MBLI 编号：C1349392

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256B-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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1+
￥114.25
10+
￥110.77

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512M×8、256M×16，4Gb DDR3 SDRAM

型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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1+
￥117.77
10+
￥112.47
30+
￥103.29

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IS43TR16512B 125KBL

型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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1+
￥203.02
10+
￥196.24

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MB85RC512TPNF-G-JNERE1

型号：MB85RC512TPNF-G-JNERE1 编号：C126729

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于其他非易失性存储产品。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥37.71
10+
￥33.01
30+
￥30.22
100+
￥27.39
500+
￥26.09
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科技智能大仓储

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