PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：XC1702LPC44I 编号：C17209601

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括44-pin PLCC和44-pin VQFP。支持3.3V版本。

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￥99.76
198+
￥39.81
495+
￥38.48
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￥37.82

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型号：TH58NVG4S0HTAK0 编号：C17686573

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NVG4S0HTAK0 是一款单3.3V 16Gbit (18,253,611,008 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织为 (4096 + 256) bytes x 64 pages x 8192 blocks。该设备是一个串行访问存储器，利用I/O引脚进行地址和数据的输入。

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￥102.84
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￥41.03
480+
￥39.66
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￥38.99

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型号：IS43TR16256BL-125KBL-TR 编号：C17216882

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-125KBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥104.64
200+
￥41.75
500+
￥40.36
1500+
￥39.67

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型号：IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 编号：C17295876

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256BL-125KBLA1-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥107.69
200+
￥42.97
500+
￥41.53
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￥40.83

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型号：IS46TR16256B-125KBLA2-TR 编号：C17204660

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-125KBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1066 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥116.04
200+
￥46.3
500+
￥44.75
1500+
￥43.99

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型号：IS46TR16256B-107MBLA2-TR 编号：C17296165

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-107MBLA2-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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￥120.99
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￥48.28
500+
￥46.67
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￥45.87

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型号：IS42S16160D-75ETLI 编号：C20491009

封装：TSOPII-54

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160D 是一款 256Mb 的 SDRAM，支持高速数据传输。该芯片具有全同步接口，所有信号都参考时钟的上升沿。内部配置为 4 个bank，每个bank为 4M x 16 x 4 bank。工作电压为 3.3V ± 0.3V，支持多种突发长度和可编程的 CAS 延迟。

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￥134.33
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￥53.6
540+
￥51.81
972+
￥50.93

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型号：MT49H8M36SJ-25:B TR 编号：C2062137

封装：FBGA-144(11x18.5)

品牌：micron(镁光)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

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￥157.08
200+
￥60.79
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￥58.66
1000+
￥57.6

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型号：IS43TR16512BL-125KBL 编号：C1350343

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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单价：
￥138.156224 / 个

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型号：IS43TR16512BL-107MBL 编号：C1236817

封装：TWBGA-96(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16512BL-107MBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

数据手册

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￥255.35
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￥98.82
500+
￥95.35
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￥93.63

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型号：MT49H8M36SJ-25E:B 编号：C2065622

封装：FBGA-144(11x18.5)

品牌：micron(镁光)

Micron 的 RLDRAM 2 是一种高速存储器设备，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片的 8 银行架构经过优化，可实现持续的高速运行。

1+
￥290.83
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￥112.55
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￥108.6
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￥106.64

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型号：IS43TR81024B-125KBLI 编号：C1236872

封装：TWBGA-78(10x14)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR81024B-125KBLI 是一款512Mx16的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

数据手册

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￥294.26
200+
￥113.88
500+
￥109.88
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￥107.9

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型号：NAND32GW3F4AN6E 编号：C19529408

封装：TSOP-48

品牌：micron(镁光)

NAND32GW3F4A是一款32Gbit（4 x 8Gbit）的单级单元（SLC）NAND闪存存储器，支持4224字节页面，双芯片使能，3V供电，多平面架构。适用于高密度存储应用。

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￥903.86
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￥360.65
480+
￥348.6
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￥342.64

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型号：XC1704LPC44I 编号：C17335148

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括44-pin PLCC和44-pin VQFP。支持3.3V版本。

1+
￥137.08
200+
￥54.7
496+
￥52.87
1000+
￥51.97

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型号：XC18V512VQ44C 编号：C1523761

封装：QFP-44(10x10)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

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1+
￥225.29
200+
￥87.19
500+
￥84.12
1000+
￥82.61

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型号：XC18V512VQG44C 编号：C1523786

封装：QFP-44(10x10)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC18V512系列FPGA配置PROM是Xilinx推出的系统内可编程配置PROM，支持低功耗高级CMOS闪存工艺，提供多种配置模式，具有20,000次擦写周期的耐久性和20年的数据保持时间。

数据手册

1+
￥225.29
200+
￥87.19
500+
￥84.12
1000+
￥82.61

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型号：XC18V512PCG20C 编号：C1523774

封装：PLCC-20(9x9)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V512系列是3.3V的In-System可编程PROM，用于低功耗高级CMOS FLASH工艺的FPGA配置。支持双配置模式，耐久度为20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供5V容差I/O引脚。

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￥247.64
200+
￥95.84
500+
￥92.47
1000+
￥90.8

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型号：XC18V01SOG20C 编号：C1519127

封装：SOIC-20-300mil

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

数据手册

1+
￥275.35
200+
￥106.56
500+
￥102.82
1000+
￥100.97

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型号：XC18V01VQ44C 编号：C1523758

封装：QFP-44(10x10)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

数据手册

1+
￥275.35
200+
￥106.56
500+
￥102.82
1000+
￥100.97

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型号：XC18V01VQG44C 编号：C1523773

封装：QFP-44(10x10)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V01系列是3.3V的In-System可编程PROM，用于低功耗高级CMOS FLASH工艺的FPGA配置。支持双配置模式，耐久度为20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供5V容差I/O引脚。

数据手册

1+
￥275.35
200+
￥106.56
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￥102.82
1000+
￥100.97

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型号：XC18V01SO20C 编号：C1523780

封装：SOIC-20-300mil

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V01系列是3.3V的In-System可编程PROM，用于低功耗高级CMOS FLASH工艺的FPGA配置。支持双配置模式，耐久度为20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供5V容差I/O引脚。

数据手册

1+
￥303.07
200+
￥117.29
500+
￥113.16
1000+
￥111.13

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型号：XC18V01PC20C 编号：C1523770

封装：PLCC-20(9x9)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V01系列是3.3V的In-System可编程PROM，用于低功耗高级CMOS FLASH工艺的FPGA配置。支持双配置模式，耐久度为20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供5V容差I/O引脚。

数据手册

1+
￥303.07
200+
￥117.29
500+
￥113.16
1000+
￥111.13

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型号：XC18V01PCG20C 编号：C1523769

封装：PLCC-20(9x9)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

数据手册

1+
￥303.07
200+
￥117.29
500+
￥113.16
1000+
￥111.13

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型号：XC18V02VQ44C 编号：C1523767

封装：QFP-44(10x10)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

数据手册

1+
￥375.48
200+
￥145.31
500+
￥140.2
1000+
￥137.68

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型号：XC18V02PC44C 编号：C1523765

封装：PLCC-44(16.6x16.6)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

数据手册

1+
￥383.52
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￥148.42
500+
￥143.21
1000+
￥140.63

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型号：XC18V02PCG44C 编号：C1523782

封装：PLCC-44(16.6x16.6)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V02系列是3.3V的In-System可编程PROM，用于低功耗高级CMOS FLASH工艺的FPGA配置。支持双配置模式，耐久度为20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供5V容差I/O引脚。

数据手册

1+
￥383.52
200+
￥148.42
500+
￥143.21
1000+
￥140.63

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型号：IS49RL36160-125EBL 编号：C1353414

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL36160-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥442.74
200+
￥171.34
500+
￥165.32
1000+
￥162.34

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型号：IS49RL18320-125EBL 编号：C1353440

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL18320-125EBL 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 0°C 至 +95°C。

数据手册

1+
￥442.74
200+
￥171.34
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￥165.32
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￥162.34

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型号：IS49RL18320-107BL 编号：C1353410

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

576Mb RLDRAM 3 是一款高速存储设备，设计用于高带宽数据存储。该芯片具有16个存储库架构，优化了持续高速操作。支持DDR操作，最高频率可达933MHz。具有64ms刷新周期和168球FBGA封装。

数据手册

1+
￥443.72
200+
￥171.72
500+
￥165.68
1000+
￥162.7

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型号：IS49RL36160-107BLI 编号：C1353418

封装：FBGA-168

品牌：ISSI(美国芯成)

IS49RL36160-107BLI 是一款高速 RLDRAM 3 存储器，设计用于高带宽数据存储，适用于电信、网络和缓存应用。该芯片具有 16 银行架构，优化了持续高速操作。支持 DDR 操作，峰值带宽为 76.8 Gb/s。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

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1+
￥474.08
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￥183.47
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