PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

CY7C1482BV33是一款72-Mbit (4M x 18)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持200MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为165-ball FBGA(15 × 17 × 1.4 mm)。

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￥73.68
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型号：CY7C1480V33-167AXC 编号：C2949528

封装：LQFP-100(14x20)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1480V33是一款72-Mbit (2M x 36)的同步动态随机存取内存(SDRAM)，支持167MHz的操作频率。它集成了先进的同步外围电路和2-Bit计数器，支持内部突发操作。所有同步输入由寄存器控制，受正边沿触发的时钟输入(CLK)控制。该芯片支持字节写操作和高速时钟到输出时间。工作电压为3.3V，支持2.5V/3.3V/I操作。封装为100-pin TQFP(14 × 20 × 1.4 mm)。

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￥35.1
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型号：XC17256EL-VO8C0100 编号：C17234833

封装：-

品牌：AMD(超微)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括8-pin PDIP和8-pin SOIC。支持3.3V版本。

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型号：NDL16PFJ-8KIT 编号：C20193941

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MET TR 编号：C17691313

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MET 编号：C17684394

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥24.05
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型号：NDL16PFJ-8KET 编号：C20193940

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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型号：NDL16PFJ-9MIT TR 编号：C17535321

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥66.85
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￥25.79
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￥25.35

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型号：NDL16PFJ-9MIT 编号：C17616211

封装：FBGA-96(8x13)

品牌：Insignis

1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器，支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性，包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步，输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式，包括扩展测试和工业温度范围。

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￥66.85
200+
￥26.68
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￥25.79
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型号：N64S818HAT21I 编号：C897838

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

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￥8.29
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型号：93C46X/SN 编号：C6109063

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 93C06/46 家族串行电可擦除PROM，采用1Kbit组织结构，适用于低功耗非易失性存储应用。支持商业级、工业级和汽车级温度范围。

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