PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：W27C512-45Z 编号：C19311781

封装：PDIP-28

品牌：Winbond(华邦)

W27C512是一种高速、低功耗的电可擦除可编程只读存储器，提供电气芯片擦除功能。具有高速访问时间、低读取电流和编程/擦除电流，支持单5V供电。提供28针600mil DIP和32针330mil PLCC封装。

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￥15.86
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型号：24C02/P 编号：C6077478

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的 24C02A 是一个 2K 位的电可擦除 PROM。该设备采用标准两线串行接口。先进的 CMOS 技术显著降低了功耗。提供硬件写保护功能，支持扩展温度范围。

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￥16.6
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型号：93C46/J 编号：C6422963

封装：-

Microchip Technology Inc. 的 93C06/46 家族串行电可擦除PROM，采用16位组织结构。先进的CMOS技术使其适用于低功耗非易失性存储应用。提供标准8引脚DIP和表面贴装SOIC封装。支持快速（1毫秒）字节写入和扩展温度范围操作。提供100万次擦写保证和超过40年的数据保留。

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型号：24C02A-E/P 编号：C6992937

封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc.的24C02A是一款2Kbit的电可擦除PROM。该设备采用标准的两线串行接口。先进的CMOS技术显著降低了功耗。提供硬件写保护，支持页写缓冲，1ms的单字节写周期时间，保证1,000,000次擦写周期，数据保留超过200年。

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￥24.56
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￥9.8
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型号：CAT28C256NI15 编号：C7228132

封装：PLCC-32(11.4x14)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

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￥36.32
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型号：CY7C1061G18-15BV1XI 编号：C2948895

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：71024S20TYG 编号：C1348816

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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￥9.45
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型号：71024S20YG 编号：C1351795

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

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型号：BR25H128F-2LBH2 编号：C2062210

封装：SOP-8-4.4mm

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H128F-2LB是一款支持工业市场的长寿命支持的串行EEPROM，采用SPI接口方法。它具有高达10MHz的高速时钟操作，2.5V至5.5V的单电源操作，适合电池使用。该芯片支持页写模式，适用于工厂发货时的初始值写入。封装为SOP8，尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm。低功耗，待机电流仅为0.1uA。支持100年的数据保留时间和超过1百万次的写周期寿命。

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型号：N25S818HAS21I 编号：C897678

封装：SOIC-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：N25S818HAT21I 编号：C897836

封装：TSSOP-8

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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型号：DS28E07+T 编号：C2063370

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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单价：
￥4.32 / 个

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型号：W94AD6KBHX6I 编号：C17490410

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有166MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

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￥31.43
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型号：CAT28LV65H13I25T 编号：C5591180

封装：TSOP-28

CAT28LV65是一款低电压、低功耗的CMOS并行EEPROM，组织为8K x 8位。它需要一个简单的接口进行在系统编程。芯片上的地址和数据锁存器、自定时写周期、自动清除和Vcc电源上下写保护消除了额外的定时和保护硬件。数据轮询、RDY/BUSY状态位和切换状态位信号自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28LV65还具有硬件和软件写保护。

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￥39.5
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￥15.76
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￥15.24
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￥14.98

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型号：CAT28C256G-12T 编号：C19423043

封装：PLCC-32(11.4x14)

CAT28C256是一款快速、低功耗的5V CMOS并行EEPROM，组织为32K x 8位。它需要简单的在系统编程接口。芯片上带有地址和数据锁存器，自定时写周期自动清除和Vcc电源上下电写保护。数据轮询和状态位信号指示自定时写周期的开始和结束。此外，CAT28C256还具有硬件和软件写保护。

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￥41.44
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￥16.54
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￥15.99
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￥15.71

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型号：24C02A-E/J 编号：C5497940

封装：-

Microchip Technology Inc. 的 24C02A 是一个 2K 位的电可擦除 PROM。该设备采用标准两线串行接口。先进的 CMOS 技术显著降低了功耗。提供硬件写保护功能，支持扩展温度范围。

1+
￥44.89
200+
￥17.92
500+
￥17.32
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￥17.02

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型号：W94AD6KBHX6I TR 编号：C17356790

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：Winbond(华邦)

W94AD6KBHX6I TR是一款1Gb移动LPDDR SDRAM，支持低功耗模式和高性能读写操作。它具有200MHz的工作频率，工作电压范围为1.7V至1.95V，适用于工业级应用。该芯片支持多种突发长度和突发类型，以及自动预充电和部分阵列自刷新等功能。

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￥63.79
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￥25.46
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￥24.61
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￥24.18

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型号：S-25C020A0I-J8T1U 编号：C2062487

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-25C020A是一款SPI接口的串行EEPROM，具有高工作速度、低电流消耗和宽工作范围。该芯片的存储容量为2 K-bit，支持页写和顺序读取。

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￥3.91
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￥1.52
500+
￥1.46
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￥1.44

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型号：S-34TS04A0B-A8T5U5 编号：C7069712

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ABLIC(艾普凌科)

该IC是一款用于DIMM串行存在检测的2线串行E2PROM，带有温度传感器。它支持2.2V至3.6V的工作电压范围，最大时钟频率为1.0MHz。E2PROM部分具有4K位的存储容量，支持页写操作和顺序读取。温度传感器部分具有0.25°C的分辨率和100年的数据保留时间。

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￥6.38
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￥2.55
500+
￥2.46
1000+
￥2.42

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型号：TC58BYG0S3HBAI6 编号：C17659935

封装：VFBGA-67(6.5x8)

TC58BYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1GBit NAND E2PROM，组织结构为(2048 + 64)字节×64页×1024块，适用于固态文件存储、语音记录、图像文件存储等需要高密度非易失性存储的应用。该设备具有片上ECC逻辑，每个528字节可纠正8位错误。

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￥11.71
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￥4.67
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￥4.52
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￥4.44

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型号：TC58BYG0S3HBAI4 编号：C17415149

封装：TFBGA-63(9x11)

TC58BYG0S3HBAI4是一款1 Gbit (128M×8bit) CMOS NAND E2PROM，采用串行访问方式，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景，如相机和其他系统。

1+
￥11.71
210+
￥4.67
420+
￥4.52
1050+
￥4.44

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型号：TC58BVG0S3HBAI4 编号：C17270768

封装：TFBGA-63(9x11)

TC58BVG0S3HBAI4是一款1GBIT (128M×8BIT) CMOS NAND E2PROM，支持高密度非易失性数据存储。该器件具有内部ECC逻辑，能够纠正每个528字节的8位读错误。适用于需要高密度非易失性存储的应用，如相机和其他系统。

105+
￥16.406009
1000+
￥15.100986

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型号：TC58NVG0S3HBAI4 编号：C5182738

封装：TFBGA-63(9x11)

TC58NVG0S3HBAI4是一款单3.3V 1Gbit (1,140,850,688bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (E2PROM)。它支持串行输入/输出，适用于需要高密度非易失性存储器数据存储的系统，如相机和其他系统。

1+
￥16.39
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￥6.35
420+
￥6.12
1050+
￥6.01

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型号：TC58BVG0S3HTAI0 编号：C17577158

封装：TFSOP-48-18.4mm

TC58BVG0S3HTAI0 是一款1GBit (128M x 8Bit) 的CMOS NAND E2PROM，组织为 (2048 + 64) bytes × 64 pages × 1024 blocks。该设备具有2112字节的静态寄存器，支持自动擦除和编程操作，并集成了ECC逻辑，可纠正每个528字节中的8位错误。

130+
￥13.49511
1000+
￥12.421636

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型号：TC58BYG1S3HBAI6 编号：C17474468

封装：VFBGA-67(6.5x8)

TC58BYG1S3HBAI6是一款1.8V 2Gbit (2,214,592,512 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。它组织为 (2048+64) bytes x 64 pages x 2048 blocks。设备具有2112字节的静态寄存器，允许数据在寄存器和内存单元阵列之间以2112字节增量传输。擦除操作以单个块单位 (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes x 64 pages) 实现。该设备是一种串行访问存储器，利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，适用于需要高密度非易失性内存数据存储的相机和其他系统。

1+
￥16.58
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￥6.62
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￥6.4
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￥6.29

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型号：TC58BVG1S3HBAI6 编号：C17468804

封装：VFBGA-67(6.5x8)

TC58BVG1S3HBAI6 是一款3.3V 2Gbit (2,214,592,512 bits) NAND 电可擦除可编程只读存储器 (NAND E2PROM)，组织为 (2048+64) 字节 x 64 页 x 2048 块。设备具有2112字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在寄存器和存储单元阵列之间以2112字节增量传输。擦除操作以单个块单位 (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 bytes × 64 页) 实现。

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￥16.58
338+
￥6.62
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型号：71024S15YG 编号：C1348958

封装：SOJ-32

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥18.49
200+
￥7.16
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￥6.91
1000+
￥6.78

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型号：TC58NVG1S3HBAI4 编号：C879827

封装：TFBGA-63

TC58NVG1S3HBAI4是一款2GBIT的NAND E2PROM，支持多页编程、多块擦除、多页复制和多页读取等多种操作模式。该器件具有2176字节的页面大小和2048个块，每个块包含128K + 8K字节的数据。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40℃至85℃。

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￥16.25
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￥15.6
100+
￥14.95
200+
￥14.56
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￥14.3

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型号：71024S12YG 编号：C1348944

封装：SOJ-32