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71024S15YGI

型号：71024S15YGI 编号：C1349073

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥22.68
200+
￥8.78
500+
￥8.47
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￥8.32

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TC58NYG2S0HBAI6

型号：TC58NYG2S0HBAI6 编号：C17322247

封装：VFBGA-67(6.5x8)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG2S0HBAI6 是一款单1.8V 4Gbit (4,563,402,752 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织结构为(4096+256)bytes×64pages×2048blocks。擦除和编程操作自动执行。

1+
￥24.22
338+
￥9.67
676+
￥9.35
1014+
￥9.19

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71024S20YGI

型号：71024S20YGI 编号：C1349178

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8。采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。提供两个芯片选择引脚和一个输出使能引脚。双向输入和输出直接兼容TTL，工作电压为5V。完全静态异步电路，无需时钟或刷新即可运行。适用于商业（0°C至+70°C）和工业（-40°C至+85°C）温度范围。

数据手册

1+
￥24.65
207+
￥9.54
506+
￥9.21
989+
￥9.04

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CY7C1049G30-10VXI

型号：CY7C1049G30-10VXI 编号：C2954555

封装：BSOJ-36

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

1+
￥26.18
200+
￥10.14
570+
￥9.78
1140+
￥9.6

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MT46V16M16CY 5B IT:M TR

型号：MT46V16M16CY-5B IT:M TR 编号：C2063120

封装：FBGA-60(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

MT46V16M16CY-5B IT:M TR 是一个 256Mb 的 DDR SDRAM，支持 x4, x8 和 x16 数据宽度。该芯片具有多种速度等级，包括 5ns 和 6ns 的时钟周期。它的工作电压为 2.5V ± 0.2V，支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥41.55
200+
￥16.08
500+
￥15.52
1000+
￥15.24

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MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR

型号：MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR 编号：C19735637

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C）。该存储器采用SLC技术，具有4320字节的页面大小，256KB + 14KB的块大小，以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议，具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。

1+
￥57.66
200+
￥23.01
500+
￥22.24
1000+
￥21.86

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EDB8132B4PB 8D F R TR

型号：EDB8132B4PB-8D-F-R TR 编号：C2064715

封装：FBGA-168(12x12)

品牌：micron(镁光)

该嵌入式低功耗DDR2 SDRAM具有8Gb的存储容量，采用双芯片封装，支持400MHz的时钟频率。其核心电压为1.8V，I/O电压为1.2V，工作温度范围为-30°C至+85°C。

数据手册

1+
￥151.8
200+
￥58.75
500+
￥56.68
1000+
￥55.66

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AT17F16-30CU

型号：AT17F16-30CU 编号：C612421

封装：TDFN-8(6x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT17F系列在系统可编程配置PROM（Configurators）提供了一种易于使用且成本效益高的FPGA配置存储解决方案。该系列器件支持多种FPGA设备，包括Atmel AT40K、AT94K、Altera FLEx、APEx、Lucent ORCA、Xilinx XC3000、XC4000、XC5200、Spartan、Virtex和Motorola MPA1000等。AT17F系列Configurator使用简单的串行访问程序来配置一个或多个FPGA设备。

1+
￥193.94
200+
￥75.06
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￥72.42
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￥71.12

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AT17F16 30JU

型号：AT17F16-30JU 编号：C1523785

封装：PLCC-20(9x9)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT17F系列串行可编程配置PROM（Configurators）提供了一种易于使用且成本效益高的FPGA配置内存解决方案。这些设备支持多种FPGA，包括Atmel AT40K、AT94K、Altera FLEx、APEx、Lucent ORCA、Xilinx XC3000、XC4000、XC5200、Spartan、Virtex以及Motorola MPA1000。AT17F系列设备具有3.3V输出能力，5V容差I/O引脚，支持通过Atmel ATDH2200E系统或第三方编程器进行编程，支持在系统编程（ISP）模式，简单接口与SRAM FPGA兼容，支持级联读取以支持更多配置或高密度阵列，低功耗CMOS FLASH工艺，提供8引脚LAP、20引脚PLCC和44引脚TQFP封装选项，兼容Atmel AT24CXXX串行EEPROM，低功耗待机模式，单设备可存储4位流文件，快速串行下载速度最高可达33MHz，耐久性典型值为10,000次写入周期，提供绿色（无铅/卤素）封装选项。

数据手册

1+
￥228.52
200+
￥88.44
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￥85.33
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￥83.79

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MT40A2G16SKL 062E:B TR

型号：MT40A2G16SKL-062E:B TR 编号：C1857502

封装：FBGA-96(10.5x13)

品牌：micron(镁光)

32Gb TwinDie 单排 DDR4 SDRAM 是使用两个 16Gb 的 DDR4 SDRAM 芯片组合而成的一个 x16 设备。它使用 96 球 FBGA 封装，工作电压为 1.2V，支持 JEDEC 标准球图，低轮廓封装。工作温度范围为 0°C 到 95°C。

数据手册

1+
￥387.7
200+
￥150.04
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￥144.77
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￥142.16

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带温度传感器的2线串行EEPROM

型号：S-585AABCCC-A8T5U4 编号：C19759944

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款带有温度传感器的2线串行EEPROM，支持SMBus和I2C协议，内置地址解析协议(ARP)功能。该芯片的工作电压范围为1.7V至3.6V，存储容量为4K位，分为2页，每页256字节，支持页面写入和顺序读取。温度传感器精度在0°C至+85°C范围内为±0.25°C，在-40°C至+125°C范围内为±1.5°C。

数据手册

1+
￥7.15
200+
￥2.86
500+
￥2.76
1000+
￥2.71

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S-25CM01A0I-J8T1U4

型号：S-25CM01A0I-J8T1U4 编号：C6289215

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

S-25CM01A是一款1 M-bit的SPI串行E2PROM，支持1.6V到5.5V的工作电压，最高操作频率为10.0 MHz，写入时间为5.0 ms，数据保留时间为100年。

1+
￥12.06
200+
￥4.82
500+
￥4.65
1000+
￥4.58

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XC17S100XLPD8I

型号：XC17S100XLPD8I 编号：C17412617

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括8-pin PDIP和8-pin SOIC。支持3.3V版本。

1+
￥17.47
200+
￥6.97
500+
￥6.74
1000+
￥6.63

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TC58BYG2S0HBAI6

型号：TC58BYG2S0HBAI6 编号：C17337418

封装：VFBGA-67(6.5x8)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BYG2S0HBAI6是一款单1.8V 4Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (E2PROM)。该设备具有4224字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在单元之间传输。它是一种串行访问存储器设备，利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行，适用于需要高密度非易失性存储器数据存储的相机和其他系统。设备内部集成了ECC逻辑，每个528字节可以纠正8位读取错误。

1+
￥26.7
338+
￥10.66
676+
￥10.3
1014+
￥10.13

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TC58BYG1S3HBAI4

型号：TC58BYG1S3HBAI4 编号：C17671495

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BYG1S3HBAI4是一款2 Gbit (256M × 8 bit) CMOS NAND E2PROM，具有2112字节的静态寄存器，支持高密度非易失性数据存储。该器件具有ECC逻辑，可纠正每个528字节中的8位读错误。

1+
￥26.85
210+
￥10.72
420+
￥10.36
1050+
￥10.18

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TC58NYG1S3HBAI4

型号：TC58NYG1S3HBAI4 编号：C17291284

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NYG1S3HBAI4 是一款2GBit (256M x 8 Bit) 的CMOS NAND E2PROM，具有串行接口，支持自动擦除和编程操作，适用于需要高密度非易失性数据存储的应用，如相机和其他系统。

1+
￥26.85
210+
￥10.72
420+
￥10.36
1050+
￥10.18

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TC58BVG2S0HTAI0

型号：TC58BVG2S0HTAI0 编号：C7599306

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG2S0HTAI0是一款4GB NAND E2PROM，采用串行接口，支持自动擦除和编程操作，适用于高密度非易失性数据存储。内置ECC逻辑，可纠正每528字节中的8位错误。

1+
￥27.08
192+
￥10.81
480+
￥10.45
960+
￥10.27

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TC58BVG2S0HTA00

型号：TC58BVG2S0HTA00 编号：C17228640

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG2S0HTA00是一款单3.3V 4Gbit NAND闪存，支持自动擦除和编程操作，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。该芯片具有内部ECC逻辑，可以纠正每个528字节的数据中的8位错误。

1+
￥27.88
192+
￥11.13
480+
￥10.76
960+
￥10.57

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TC58NVG2S0HBAI6

型号：TC58NVG2S0HBAI6 编号：C17636305

封装：VFBGA-67(6.5x8)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58NVG2S0HBAI6是一款4Gbit NAND E2PROM，支持3.3V供电，组织结构为(4096 + 256)字节×64页×2048块，具有2.7V到3.6V的工作电压范围和-40到85℃的工作温度范围。

1+
￥28.8
338+
￥11.49
676+
￥11.11
1014+
￥10.92

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IS42S32400F 7TLI TR

型号：IS42S32400F-7TLI-TR 编号：C2064046

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

数据手册

1+
￥35.36
200+
￥13.69
500+
￥13.2
1500+
￥12.97

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TH58NVG3S0HBAI4

型号：TH58NVG3S0HBAI4 编号：C17432649

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NVG3S0HBAI4 是一款单3.3V 8Gbit (9,126,805,504 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织为 (4096 + 256)字节× 64 页 × 4096 块。

1+
￥45.21
210+
￥18.04
420+
￥17.44
1050+
￥17.14

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TH58NYG3S0HBAI6

型号：TH58NYG3S0HBAI6 编号：C17248350

封装：VFBGA-67(6.5x8)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NYG3S0HBAI6 是一款单1.8V 8Gbit (9,126,805,504 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)。组织结构为 (4096 + 256) 字节 × 64 页 × 4096 块。

1+
￥50.46
338+
￥20.14
676+
￥19.47
1014+
￥19.13

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TH58NVG3S0HBAI6

型号：TH58NVG3S0HBAI6 编号：C17270105

封装：VFBGA-67(6.5x8)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NVG3S0HBAI6是一款单3.3V 8Gbit (9,126,805,504 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织为(4096+256)字节×64页×4096块。支持高速编程和擦除，适用于高可靠性应用。

1+
￥50.87
210+
￥20.3
420+
￥19.62
1050+
￥19.29

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TH58NYG3S0HBAI4

型号：TH58NYG3S0HBAI4 编号：C17235551

封装：TFBGA-63(9x11)

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NYG3S0HBAI4是一款单1.8V 8Gbit (9,126,805,504位) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织为(4096+256)字节×64页×4096块。具有8位ECC，支持串行输入/输出，命令控制等功能。

1+
￥51.8
210+
￥20.67
420+
￥19.98
1050+
￥19.64

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TH58NVG3S0HTAI0

型号：TH58NVG3S0HTAI0 编号：C5370039

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NVG3S0HTAI0 是一个8 Gbit (9,126,805,504 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM)，组织为 (4096+256) bytes × 64 pages × 4096 blocks。该设备是一个串行访问存储器，利用I/O引脚进行地址和数据的输入。

1+
￥54.43
192+
￥21.72
480+
￥20.99
960+
￥20.63

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XC17S150XLPD8C

型号：XC17S150XLPD8C 编号：C17416667

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括8-pin PDIP和8-pin SOIC。支持3.3V版本。

1+
￥79.67
196+
￥31.79
504+
￥30.73
994+
￥30.2

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XC17S150XLSO20C

型号：XC17S150XLSO20C 编号：C17520971

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括20-pin SOIC。支持3.3V版本。

1+
￥79.67
196+
￥31.79
504+
￥30.73
994+
￥30.2

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XC1702LPC44C

型号：XC1702LPC44C 编号：C17362982

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括44-pin PLCC和44-pin VQFP。支持3.3V版本。

1+
￥84.54
195+
￥33.73
494+
￥32.61
1001+
￥32.05

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XC1702LVQ44C

型号：XC1702LVQ44C 编号：C17276620

封装：-

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

XC1700系列配置PROM提供了一种易于使用、成本效益高的方法来存储大型Xilinx FPGA配置位流。支持多种封装，包括44-pin PLCC和44-pin VQFP。支持3.3V版本。

1+
￥84.54
195+
￥33.73
494+
￥32.61
1001+
￥32.05

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IS43TR16256BL-107MBL-TR

型号：IS43TR16256BL-107MBL-TR 编号：C17204661

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16256BL-107MBL-TR 是一款高性能的 256Mx16 DDR3L SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1866 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥92.65
200+
￥36.97
500+
￥35.74
1500+
￥35.13

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