PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

串行闪存存储器提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：S25FL064LABMFV010 编号：C2944845

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。FL-L系列通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统。支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽Quad I/O（QIO）和Quad外设接口（QPI）命令。此外，还有用于QIO和QPI的双数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。该架构具有页面编程缓冲区，允许在一个操作中编程多达256字节，并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下，并使用Quad命令，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。FL-L系列产品提供高密度，并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码（xIP）和存储可编程数据。

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型号：MX29LV640ETXEI-70G 编号：C2802731

封装：LFBGA-48,CSP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。具有工厂锁定、可识别和客户可锁定的扇区组保护/芯片解锁功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：AS4C256M16D3LC-10BIN 编号：C1012884

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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型号：CY7C1061G30-10BV1XI 编号：C2948709

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件均提供单芯片使能和双芯片使能选项，以及多种引脚配置。CY7C1061GE器件包含一个ERR引脚，该引脚在读取周期期间对单比特错误检测和纠正事件发出信号

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型号：S-34C04AB-A8T3U5 编号：C6996317

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款用于DIMM串行存在检测的2线串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至3.6V。该芯片具有4K位的存储容量，分为2页，每页256字节。支持页写和顺序读取。

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型号：IS62LV256AL-20TLI 编号：C1352060

封装：TSOPI-28-8.0mm

是一款高速、低功耗的32,768字×8位静态RAM，采用高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现最快15 ns的访问时间。当CE为高电平（未选中）时，设备进入待机模式，在CMOS输入电平下功耗降至150 μW（典型值）。通过使用低电平有效芯片使能（CE）可轻松进行内存扩展。低电平有效写使能（WE）控制存储器的读写操作。有JEDEC标准的28引脚SOJ、28引脚SOP和28引脚TSOP（I型）封装。

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型号：MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 编号：C2061789

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS256TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS256TY采用串行外设接口（SPI）

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型号：MB85RS1MTPW-G-APEWE1 编号：C2061103

封装：BGA-8(2.3x3.1)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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型号：IS43TR16256BL-107MBLI 编号：C1349393

封装：TWBGA-96(9x13)

IS43TR16256BL-107MBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1066MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：IS43TR16512B-125KBL 编号：C1350347

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512B-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：FEMDNN008G-08A39 编号：C601079

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

替换型号是：FEMDNN008G-A3A55；应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头；

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型号：IS43TR16512BL-107MBL 编号：C1236817

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512BL-107MBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达933MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：IS43TR16512BL-125KBL 编号：C1350343

封装：TWBGA-96(10x14)

IS43TR16512BL-125KBL 是一款1Gx8的DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V的工作电压。该芯片具有高速数据传输速率，最高可达1600MHz，支持部分阵列自刷新和自动预充电。

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型号：AS4C64M16D3LB-12BIN 编号：C570205

封装：FBGA-96

1Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的结构为 8Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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型号：AS4C128M16D3LC-12BIN 编号：C17296106

封装：FBGA-96(7.5x13)

2Gb Double-Data-Rate-3L (DDR3L) DRAMs 是双数据速率架构，可实现高速操作。它在内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片被组织为 16Mbit x 16 I/O 8 存储体设备。

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型号：93AA66AT-I/OT 编号：C145723

封装：SOT-23-6

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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型号：IS43TR16256B-125KBLI 编号：C1349408

封装：TWBGA-96(9x13)

IS43TR16256B-125KBLI 是一款1.5V 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持1600MHz的数据传输速率。该芯片具有低功耗模式，支持部分阵列自刷新和自动预充电功能。工作温度范围为-40°C至95°C。

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型号：AS4C256M16D3LC-12BCN 编号：C1012881

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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型号：AS4C256M16D3LC-10BCN 编号：C1012883

封装：FBGA-96(7.5x13.5)

4Gb 低电压版第三代双倍数据速率（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，可实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。4Gb 芯片组织形式为 32Mbit × 16 I/O 的八存储体器件

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型号：24LC02BT-I/OT 编号：C2655410

封装：SOT-23-5

24xx02是一个2-Kbit电可擦除PROM。该设备组织为一个256x8位内存块，具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

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型号：24LC01B-I/MS 编号：C184449

封装：MSOP-8

24LC01B是一款1Kbit的I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，具有400kHz的时钟频率。该芯片具有低功耗特性，待机电流仅为1uA，工作电流为1mA。支持多种封装，包括PDIP、SOIC、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和SC-70。

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单价：
￥2.3112 / 个

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型号：HYD2G16L3AE-B9A 编号：C19272579

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 低电压双倍数据速率 3（DDR3L）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片组织形式为 16Mbit × 16 输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

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￥18.76
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￥16.08
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型号：24LC025-I/ST 编号：C619655

封装：TSSOP-8