PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：XC18V02VQG44C 编号：C1523766

封装：QFP-44(10x10)

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

Xilinx XC18V00系列在系统可编程配置PROM，适用于低功耗高级CMOS闪存工艺，支持Xilinx FPGA配置，具有20,000次编程/擦除周期，支持串行慢速/快速配置（最高33MHz），并提供多种封装选项。

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型号：FEMKNN004G-58A42 编号：C5117594

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C524518

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：THGBMNG5D1LBAIL 编号：C391255

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMNG5D1LBAIL 是一款容量为 4GB 的 e - MMC 模块产品，采用 153 球 BGA 封装。该产品采用先进的东芝 NAND 闪存器件和控制器芯片，组装为多芯片模块。THGBMNG5D1LBAIL 遵循行业标准的 MMC 协议，使用方便

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型号：THGBMHG6C1LBAIL 编号：C391257

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMHG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装为多芯片模块。THGBMHG6C1LBAIL具备行业标准的MMC协议，使用方便

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￥144.753
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型号：THGBMJG6C1LBAIL 编号：C41428411

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议，使用便捷

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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C2931002

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和芯片选择 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对该设备的串行访问。当处于双输出读取模式时，SI 和 SO 引脚会发生变化。

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型号：MB85RC256VPF-G-JNERE2 编号：C126728

封装：SOP-8-208mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为32,768字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同，MB85RC256V无需使用数据备份电池即可保留数据。

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型号：FEMDRM008G-58A39 编号：C719499

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：耐用性消费类电子、车载后装、商显、TV、黑白家电。EMMC,工业EMMC，FORESEE, LONGSYS,工规EMMC，工规存储芯片，工业存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规EMMC、国产工业EMMC、江波龙、耐用性消费类电子、车载后装、商显、TV、黑白家电、工业级

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型号：IS61C1024AL-12JLI 编号：C412832

封装：SOJ-32

品牌：ISSI(美国芯成)

是非常高速、低功耗的131,072字×8位CMOS静态RAM。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CE1为高电平或CE2为低电平（未选中）时，器件进入待机模式，通过使用CMOS输入电平可降低功耗。通过使用两个芯片使能输入CE1和CE2，可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。有32引脚300密耳SOJ、32引脚400密耳SOJ、32引脚TSOP（I型，8x20）和32引脚sTSOP（I型，8x13.4）封装。

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型号：IS42S32400F-6TL 编号：C413752

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S32400F 是一款128Mb Synchronous DRAM，支持高速数据传输。该芯片采用3.3V电源，具有全同步特性，所有信号均参考时钟输入的上升沿。内部配置为四bankDRAM，每个bank为33,554,432位，组织为4,096行 x 256列 x 32位。支持可编程突发长度和自动刷新模式。

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型号：IS42S16160G-7TL-TR 编号：C17569592

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16160G-7TL-TR 是一款256Mb同步动态随机存取内存（SDRAM），支持多种时钟频率（143 MHz）。该芯片采用54-Pin TSOP II封装，支持3.3V供电，工作温度范围为-40°C到+85°C。具备自动刷新和自刷新模式，适用于各种高速数据传输应用。

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型号：THGBMJG8C2LBAIL 编号：C879826

封装：FBGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGBMJG8C2LBAIL 是一款容量为 32GB 的 e-MMC 模块产品，采用 153 球 BGA 封装。该产品采用先进的东芝 NAND 闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGBMJG8C2LBAIL 遵循行业标准 MMC 协议，使用方便

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