PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC512-E/SN 编号：C1523859

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512Kbit的SPI接口串行EEPROM，支持字节和页面写操作。它还具备页擦除、扇区擦除和芯片擦除功能，适用于低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20MHz。

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单价：
￥17.5068 / 个

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型号：HYD1G16L3AE-B9A 编号：C19272577

封装：FBGA-96

品牌：HeYangTek(扬贺扬)

2Gb 双倍数据速率 3（DDR3）动态随机存取存储器（DRAM）采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。2Gb 芯片的结构为 16Mbit × 16 个输入/输出（I/O）× 8 存储体器件

1+
￥19.4
10+
￥16.58
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￥14.91
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￥13.22
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￥12.44
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￥12.09

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型号：CY7C1041G-10ZSXIT 编号：C2953045

封装：TSOPII-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041G和CY7C1041GE是带有嵌入式ECC的高性能CMOS快速静态随机存取存储器（SRAM）器件。这两款器件都提供单芯片使能选项和多种引脚配置。CY7C1041GE器件包含一个ERR引脚，用于在读取周期中指示错误检测和纠正事件

1+
￥23.22
10+
￥22.71
30+
￥22.36
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￥22.02

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型号：25AA256T-I/SN 编号：C49826

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

256 Kbit Serial Electrically Erasable PROM，通过简单的SPI兼容串行总线访问。支持32,768 x 8-bit 组织结构，64字节页写入，自定时擦除和写入周期（最大5毫秒）。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP和SOIC，以及先进的8引脚DFN和8引脚TSSOP。

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500+
￥9.54148
500+
￥9.05632
1000+
￥8.8946
2000+
￥8.73288

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型号：N01S830BAT22IT 编号：C891849

封装：TSSOP-8-3.0mm

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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1+
￥28.42
10+
￥24.32
30+
￥21.89
100+
￥19.42
500+
￥18.29
1000+
￥17.78

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型号：N01S830HAT22IT 编号：C891850

封装：TSSOP-8-3.0mm

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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1+
￥33.1
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￥28.33
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￥25.49
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￥22.62
500+
￥21.3
1000+
￥20.7

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型号：N01S818HAT22IT 编号：C891848

封装：TSSOP-8-3.0mm

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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1+
￥33.21
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￥28.42
30+
￥25.58
100+
￥22.7
500+
￥21.37
1000+
￥20.77

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型号：25LC1024-E/MF 编号：C1349409

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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单价：
￥32.2272 / 个

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型号：N01S818HAT22I 编号：C223600

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。

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1+
￥35.03
10+
￥30.3
30+
￥27.43
100+
￥25.01

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型号：N01S830BAT22I 编号：C603339

封装：TSSOP-8-175mil

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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1+
￥35.18
10+
￥30.1
30+
￥27.09
100+
￥24.04
500+
￥22.63
1000+
￥22

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型号：N01S830HAT22I 编号：C223573

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

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1+
￥36.31
10+
￥31.24
30+
￥28.22
100+
￥25.17
500+
￥23.77
1000+
￥23.13

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型号：24LC1025-I/SN 编号：C1348777

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 128K x 8（1024K 位）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备具备字节写入和高达 128 字节数据的页面写入能力，能够进行随机和顺序读取，读取可以在地址边界 0000h 至 FFFFh 和 10000h 至 1FFFh 内顺序进行。功能地址线允许在同一数据总线上连接多达四个设备，可实现多达 4 Mbits 的系统 EEPROM 总内存。该设备采用标准 8 引脚 PDIP、SOIC 和 SOIJ 封装。

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单价：
￥28.566 / 个

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型号：CY7C1049G-10ZSXI 编号：C914896

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1049G是一款高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式ECC功能，支持单比特错误检测和纠正。提供单个和双芯片使能选项，多种引脚配置。工作电压范围为1.65V到5.5V，适用于工业环境。

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1+
￥45.34
10+
￥39.5
30+
￥35.94
135+
￥32.96

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型号：25AA1024-I/MF 编号：C1349059

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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单价：
￥31.5576 / 个

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型号：25LC1024-I/P 编号：C185524

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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单价：
￥31.0824 / 个

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型号：THGAMRG8T13BAIL 编号：C2837691

封装：BGA-153

品牌：KIOXIA(铠侠)

THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品，采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片，组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议，使用便捷

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1+
￥73.57
10+
￥63.28
30+
￥57.01
100+
￥51.75

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型号：TH58NVG4S0HTA20 编号：C2943111

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：KIOXIA(铠侠)

TH58NVG4S0HTA20是一款16 Gbit CMOS NAND E2PROM，支持I2C接口，具有8位数据宽度，每个页面大小为4352字节，每个块大小为(256K + 16K)字节。该设备支持自动页面编程和块擦除功能。

1+
￥76.63
10+
￥72.82
30+
￥66.23
96+
￥60.47

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型号：FEMDNN128G-A3A56 编号：C5117596

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头。EMMC,商规EMMC，FORESEE, LONGSYS,商规芯片、国产EMMC、国产商规EMMC、国产消费类EMMC、消费类EMMC、江波龙、手机闪存，平板闪存、智能手机、平板电脑、智能电视、播放盒、智能音箱、智能摄像头

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1+
￥133.11
10+
￥129.47
12+
￥114.68

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型号：IS25LP128F-JKLE 编号：C521289

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件通过一个4线SPI接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该器件支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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105+
￥16.2538
1000+
￥14.960884

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型号：IS25LP064A-JKLE 编号：C1349823

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中，提供了具有高度灵活性和高性能的通用存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为用作多 I/O（参见引脚说明）

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单价：
￥10.413268 / 个

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型号：IS25WP256E-JLLE 编号：C5803542

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

1+
￥26.34
10+
￥25.45
30+
￥24.85
100+
￥24.26

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型号：S25FL256LAGNFV010 编号：C2959295

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能