PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC512T-E/SN 编号：C615816

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作无需这些功能

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型号：24FC1025T-I/SM 编号：C616153

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：CY7C10612G30-10ZSXI 编号：C2949442

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

高性能CMOS快速静态RAM设备，带有嵌入式ECC。提供单芯片使能选项。CY7C10612GE设备包括一个错误指示引脚，在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。写入设备时，将芯片使能(CE(overline))和写使能(WE)输入置为低电平。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置

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型号：CY7C1061G30-10ZSXI 编号：C2959389

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061G和CY7C1061GE是高性能CMOS静态RAM，具有嵌入式错误校正码(ECC)。这些设备提供单芯片使能和双芯片使能选项，支持多种封装。

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型号：7025L20PFGI 编号：C5912462

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速8K x 16双端口静态随机存取存储器，可作为独立的128K位双端口随机存取存储器，或作为组合主/从双端口随机存取存储器用于32位或更多字长的系统。该设备提供两个独立端口，具有独立的控制、地址和输入/输出引脚，允许对内存中的任何位置进行独立、异步的读写访问。芯片使能（CE）控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。采用CMOS高性能技术制造，这些设备通常仅消耗750mW的功率。低功耗（L）版本提供电池备份数据保留功能，2V电池的典型功耗为500μW。采用陶瓷84引脚PGA、84引脚扁平封装、PLCC和100引脚TQFP封装。

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型号：24AA014H-I/SN 编号：C1350352

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA014H/24LC014H是一款1 Kbit串行电可擦除PROM，可在低至1.7V的电压下工作。该器件采用2线串行接口，组织为一个128×8位的单块存储器。

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型号：11AA160T-I/TT 编号：C2060983

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：24FC64FT-I/OT 编号：C616224

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的24FC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，支持1.7V至5.5V的工作电压，适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。该设备具有页写功能，最多可写入32字节的数据。

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型号：24C02C-E/ST 编号：C619620

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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型号：25AA010A-I/SN 编号：C615231

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1-Kbit低功耗CMOS技术串行电可擦除PROM (EEPROM)，通过简单的SPI兼容串行总线访问。

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型号：24LC32AT-E/MNY 编号：C2062869

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A (24x32A*) 是 32 Kbit 电可擦除 PROM。该器件组织为具有 2 线串行接口的 4Kx8 位单块存储器。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。

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型号：24LC32AT-E/ST 编号：C2062995

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32A是一款32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线I2C接口，支持1.7V至5.5V的工作电压，适用于低功耗应用。该器件支持高达400kHz的时钟频率，具有32字节的页写缓冲区，支持超过1百万次的擦写周期，数据保持时间超过200年。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24LC32AT/SM 编号：C2062059

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32A是一款32Kbit I2C串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的供电范围，具有低功耗特性，适用于个人通讯和数据采集等应用。该器件具有页写功能，可写入最多32字节的数据。支持多种封装形式，包括8引脚PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN、MSOP、SOT-23和芯片级封装。工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24AA32AFT-I/SN 编号：C2065490

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32AF/24LC32AF是一款32Kbit的Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，适用于低功耗应用。支持页写功能，最多可写入32字节数据。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP、SOIC、TSSOP、TDFN和5引脚SOT-23。

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型号：24LC024H-I/ST 编号：C619651

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA024H/24LC024H是一款2Kbit串行电可擦除PROM，可在低至1.7V的电压下工作。该器件采用2线串行接口，组织为一个256×8位的单块存储器。

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型号：24AA024T-I/MNY 编号：C2061346

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一个2 kbit的串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个256 × 8位的单块内存，具有两线串行接口。低电流设计允许其典型待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。该设备具有高达16字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达16K位的连续EEPROM内存。该设备有标准的8引脚PDIP、8引脚SOIC (3.90 mm)、TSSOP、2x3 DFN、TDFN和MSOP封装。24AA025/24LC025也有6引脚SOT-23封装。

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型号：24LC64FT-I/MNY 编号：C2061829

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是64Kbit电可擦除PROM。该器件组织为具有2线串行接口的8Kx8位单块存储器。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和读取电流分别仅为1μA和400μA。

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型号：24AA025T-I/MC 编号：C2061199

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 kbit串行电可擦除PROM，电压范围为1.7V至5.5V。该设备被组织为一个由256×8位存储器组成的单块，具有两线串行接口。低电流设计允许典型待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。该设备具有最多16字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个该设备，以实现高达16K位的连续EEPROM存储器。该设备有标准8引脚PDIP、8引脚SOIC（3.90 mm）、TSSOP、2x3 DFN和TDFN以及MSOP封装。24AA025/24LC025也有6引脚SOT-23封装。

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型号：34AA04-I/ST 编号：C1350469

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

34AA04 是一款 4 Kb 电可擦除 PROM，采用 I2C 串行接口，能够在较宽的电压范围内工作（1.7V 至 3.6V）。该器件符合 JEDEC JC42.4 (EE1004-v) 串行存在检测 (SPD) 标准，并包含可逆软件写保护功能，可保护四个独立的 128 x 8 位数据块。该器件具有高达 16 字节的页面写入能力。地址引脚允许在同一总线上连接最多八个器件。

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型号：25LC320A-I/MS 编号：C613185

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA320A/25LC320A（25XX320A）是32 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：24AA64-E/SN 编号：C615134

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是64-Kbit电可擦除PROM（EEPROM）。该设备被组织为一个由8×8位内存组成的单块，具有两线串行接口。其低电压设计允许低至1V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许同一总线上最多有八个设备，地址空间高达512-Kbit。

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型号：IS25LP016D-JNLA3-TR 编号：C6969439

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：25C160/SN 编号：C615264

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是16 Kbit串行电可擦除PROM。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问内存。所需的总线信号是时钟输入（SCK）加上单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：93LC86/SN 编号：C1348858

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是低电压串行电可擦除 PROM，设备内存根据 ORG 引脚设置配置为 x8 或 x16 位。先进的 CMOS 技术使其适用于低功耗非易失性内存应用。该产品还有一个编程使能 (PE) 引脚，允许用户对存储阵列的全部内容进行写保护。产品提供标准 8 引脚 PDIP 和 8 引脚表面贴装 SOIC 封装。

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