PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA32AFT-I/ST 编号：C619927

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有I2C接口，支持低电压操作，适用于低功耗应用。

1+
￥6.33
10+
￥5.11
30+
￥4.5
100+
￥3.89
500+
￥3.53
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￥3.35

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型号：25LC320A-E/SN 编号：C615302

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA320A/25LC320A（25XX320A）是32 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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单价：
￥5.9616 / 个

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型号：M24512-DFCS6TP/K 编号：C2062276

封装：WLCSP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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160+
￥11.652783
200+
￥10.358028
500+
￥8.602431
1000+
￥7.241842

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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥16.03
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￥13.67
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￥12.19
100+
￥10.67
500+
￥9.99
1000+
￥9.69

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型号：PN27G01BBGITG 编号：C22435025

封装：BGA-24

品牌：XTX(芯天下)

PN27G01B 是一款单通道 3.3V、1Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

1+
￥18.1
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￥15.32
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￥13.58
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￥11.79
377+
￥10.99
1131+
￥10.64

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型号：S25FL256LAGMFI001 编号：C2954898

封装：SOIC-16

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO），以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。此外，QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令，可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。架构具有页面编程缓冲区，允许一次操作中最多编程256字节，并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能

单价：
￥34.04 / 个

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型号：24AA1025T-I/SM 编号：C616145

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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单价：
￥23.388241 / 个

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型号：FEMDME004G-A8A39 编号：C3249971

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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1+
￥85.68
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￥74.57
30+
￥59.61
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￥53.93

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型号：S-24C02DI-J8T1U5 编号：C2061076

封装：SOP-8

品牌：ABLIC(艾普凌科)

这是一款低功耗、宽工作范围的2线串行EEPROM，具有2 K-bit的存储容量。该芯片支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高时钟频率为1.0 MHz（Vcc = 2.5 V至5.5 V）和400 kHz（Vcc = 1.7 V至5.5 V）。写周期时间为5.0 ms，数据保留时间为100年。

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1+
￥1.2555
200+
￥0.4859
500+
￥0.4688
1000+
￥0.4604

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型号：24LC256-I/SM 编号：C616136

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32K x 8（256 Kbit）的串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备还具备高达64字节的数据页写入能力，能够在256K边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，提供高达2 Mbit的地址空间。

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900+
￥2.997
1800+
￥2.97
2700+
￥2.916

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型号：N64S818HAS21I 编号：C897837

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥5.58
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￥4.5
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￥3.97
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￥3.43
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￥3.11
1000+
￥2.95

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型号：24LC32A-E/MS 编号：C1351131

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A (24x32A*) 是一个32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个具有2线串行接口的4Kx8位存储器单块。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

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1+
￥5.76
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￥5.61
30+
￥5.52
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￥5.42

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型号：AT25XE161D-UUN-T 编号：C1857754

封装：WLCSP-8(1.7x1.8)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术进行操作。理想适用于将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，以及在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页面擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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1+
￥5.79
200+
￥2.24
500+
￥2.16
1000+
￥2.13

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型号：24LC16B-I/ST 编号：C619676

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx16 是一款 16 Kb 电可擦除 PROM。该器件由八个 256×8 位存储器块组成，并带有双线串行接口。其低压设计允许在低至1V的电压下工作。

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1+
￥6.72
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￥5.58
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￥4.96
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￥4.25
500+
￥3.94
1000+
￥3.8

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型号：11LC020T-E/TT 编号：C2064827

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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1+
￥6.95
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￥5.76
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￥5.11
100+
￥4.37
500+
￥4.04
1000+
￥3.89

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型号：24LC64FT-E/ST 编号：C616612

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的24LC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，支持2.5V至5.5V的工作电压，适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。该设备具有页写功能，最多可写入32字节的数据。

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1+
￥7.47
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￥6.19
30+
￥5.49
100+
￥4.7
500+
￥4.34
1000+
￥4.19

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型号：25LC010A-E/P 编号：C613770

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1-Kbit低功耗CMOS技术串行电可擦除PROM (EEPROM)，通过简单的SPI兼容串行总线访问。

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单价：
￥5.1192 / 个

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型号：24AA32AFT-I/OT 编号：C2061231

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32AF/24LC32AF (24xX32AF*) 是一个 32Kbit 电可擦除 PROM。该设备被组织为一个具有 2 线串行接口的 4Kx8 位存储的单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1μA 和 400μA。

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145+
￥12.76254
200+
￥11.34448
500+
￥9.421686
1000+
￥7.931521

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型号：25AA320A-I/MS 编号：C144306

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX320A 是 32 kbit 的串行电可擦除 PROM。可通过与简单串行外设接口（SPI）兼容的串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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单价：
￥5.7888 / 个

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型号：25LC040-I/SN 编号：C140065

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 25LC040 是一款 4 Kbit 串行电可擦除PROM。通过简单的SPI兼容串行总线访问内存。

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1+
￥10.35
10+
￥8.63
30+
￥7.68
100+
￥6.62
500+
￥6.14
1000+
￥5.93

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型号：NT5CC128M16IP-DI 编号：C2904576

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

该DDR3L SDRAM芯片具有2Gb的存储容量，支持高速双倍数据速率传输，适用于各种商业和工业应用。它内部配置为八banksDRAM，支持多种工作模式和低功耗特性。

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70+
￥26.05386
100+
￥24.0834
1000+
￥22.167675

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型号：25LC160-I/SN 编号：C1350273

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是16 Kbit串行电可擦除PROM，通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问。总线信号包括时钟输入（SCK）、独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS(overline)）输入控制对设备的访问。可通过保持引脚（HOLD(overline)）暂停与设备的通信，暂停时除片选外的输入转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。

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1000+
￥7.062
2000+
￥6.9978
3000+
￥6.9336

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型号：25LC080-I/SN 编号：C511342

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC080是一款8Kbit串行电可擦除PROM，通过SPI接口访问。支持2.5V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为2MHz。具有1024 x 8-bit组织，16字节页写入，自定时擦除和写入周期，块写保护，内部写保护，顺序读取，高可靠性，数据保留超过200年。

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1+
￥16.23
10+
￥13.98
30+
￥12.57
100+
￥11.13
500+
￥10.48
1000+
￥10.19

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型号：MX25LM25645GXDI00 编号：C20099905

封装：CSPBGA-24(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

是256Mb位八进制接口串行NOR闪存，内部配置为33,554,432 x 8。具有串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。八进制闪存可在整个芯片上提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法对指定内容进行编程/擦除和验证。

1+
￥43.45
10+
￥36.34
30+
￥32

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型号：FEMDME016G-A8A43 编号：C3249973

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪。EMMC,车规EMMC，FORESEE, LONGSYS,车规芯片、国产EMMC、国产车规EMMC、国产汽车EMMC、前装EMMC、后装EMMC、江波龙、车载前装、智能仪表、IVI、ADAS、域控、BMS、记录仪、汽车级、车规级

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1+
￥120
10+
￥107.6
30+
￥98.77
100+
￥91.06

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型号：IS46TR16256B-125KBLA2 编号：C17234670

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16256B-125KBLA2 是一款高性能的 256Mx16 DDR3 SDRAM，支持部分自刷新。该芯片具有标准电压 1.5V ± 0.075V 和低电压 1.35V ± 0.1V 的选项。它还支持高速数据传输率，系统频率高达 1600 MHz。封装为 96-ball BGA，绿色。工作温度范围为 -40°C 至 +95°C。

1+
￥131.37
10+
￥127.36

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型号：IS25WP016D-JBLA3-TR 编号：C6577438

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数量和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

100+
￥4.4
500+
￥4.32
1000+
￥4.24

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型号：N64S830HAS22I 编号：C897839

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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