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封装：PDIP-8

Microchip Technology Inc. 的93XX46A/B/C系列设备是1K位低电压串行电可擦除PROM（EEPROM）。这些设备提供128x8位或64x16位组织，支持1,000,000次擦写周期和超过200年的数据保留时间。

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型号：93C56AT-E/OT 编号：C2062264

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 93XX56A/B/C 设备是低电压串行电可擦除PROM（EEPROM）。这些设备具有低功耗CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。它们提供2K位的存储容量，支持8位和16位组织结构。

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型号：93LC56AX-E/SN 编号：C1350750

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93XX56A/B/C 设备是2K位低电压串行电可擦除PROM（EEPROM）。这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用，支持128x16位和256x8位组织结构，具有自定时擦除/写入周期和自动擦除所有功能。

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型号：24LC01BHT-E/MNY 编号：C2062488

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC01BHT-E/MNY是一款1Kbit Electrically Erasable PROM，具有I2C接口和半阵列写保护功能。该器件组织为一个128x8位的存储块，支持低电压操作，最低工作电压为1.7V。其典型应用包括数据存储和配置信息保存。

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型号：93LC56AXT-E/SN 编号：C2062524

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93XX56A/B/C 设备是2K位低电压串行电可擦除PROM（EEPROM）。这些设备具有低功耗CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。支持工业和汽车温度范围。

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型号：24LC08BHT-E/OT 编号：C2062728

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08BH是一款8Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，支持100 kHz和400 kHz时钟频率。工作电压范围为2.5V至5.5V，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。该器件支持半阵列写保护，并具有超过1百万次擦写周期寿命和超过200年的数据保持能力。

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型号：93C56CT-I/MC 编号：C2066010

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93XX56A/B/C 设备是2K位低电压串行电可擦除PROM (EEPROM)。这些设备采用先进的CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP、SOIC、MSOP、SOT-23、DFN和TDFN。

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型号：24LC02BHT-E/MNY 编号：C2066004

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC02BHT-E/MNY是一款2Kbit Electrically Erasable PROM，具有半阵列写保护功能，支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24AA52-I/SN 编号：C1350647

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA52是一款2Kbit Electrically Erasable PROM，支持1.8V至5.5V的宽电压范围。该设备具有软件写保护功能，可以永久保护数组的下半部分，并且有一个外部引脚可以用于整个数组的写保护。

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型号：24LC08BH-I/P 编号：C1353855

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08BH是一款8Kbit Electrically Erasable PROM，支持I2C接口，具有半阵列写保护功能，适用于多种封装形式，包括PDIP、SOIC、TSSOP、2x3 TDFN和MSOP等。

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型号：24AA08H-I/P 编号：C1353854

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08H是一款8Kbit Electrically Erasable PROM，具有I2C兼容的2线串行接口。该设备分为四个256 x 8位的内存块，支持低电压操作，最低可降至1.7V。具有页写功能，最多可写入16字节数据。

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型号：24LC025-E/SN 编号：C1353844

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC025是一款2Kbit的串行电可擦除PROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，具有2线I2C接口，适用于低功耗应用。该设备具有16字节的页写缓冲区，支持高达1百万次的擦写周期，并且数据保留时间超过200年。

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型号：34AA04T-E/MNY 编号：C2061727

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

34AA04是一款4Kbit Electrically Erasable PROM，利用I2C串行接口，可在1.7V至3.6V的宽电压范围内工作。该设备符合JEDEC JC42.4 (EE1004-v) Serial Presence Detect (SPD)标准，并包括四个独立的128x8位块的可逆软件写保护功能。支持页写操作，最多可写入16字节的数据。该设备提供8引脚PDIP、SOIC、TSSOP、TDFN和UDFN封装。

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型号：24FC08T-I/MS 编号：C1857496

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24XX08(1) 是一个8-Kbit 电可擦除PROM。该设备分为四个256x8位内存块，具有两线串行接口。其低电压设计允许最低工作电压为1.7V，待机和活动电流分别为1uA和1mA。该设备还具有页写能力，最多可以写入16字节的数据。

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型号：24AA32AFT-I/SN 编号：C2065490

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32AF/24LC32AF是一款32Kbit的Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，适用于低功耗应用。支持页写功能，最多可写入32字节数据。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP、SOIC、TSSOP、TDFN和5引脚SOT-23。

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型号：93LC56AT-E/MS 编号：C2065541

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56A/B/C 设备是2K位低电压串行电可擦除PROM（EEPROM）。这些设备采用低功耗CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。支持工业和汽车温度范围。

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型号：93C56CT-E/MNY 编号：C2065483

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 93XX56A/B/C 设备是 2K 位低电压串行电可擦除 PROM (EEPROM)。这些设备采用先进的 CMOS 技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。

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型号：NV25020DWHFT3G 编号：C894139

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI - 汽车级 0 (+150°C) 器件，内部组织为 256x8 位。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 NV250x0 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。字节级片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。该器件提供了一个附加标识页，可以对其进行永久性写保护。

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型号：24LC32AFT-I/SN 编号：C2065519

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32AF是一款32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，组织为一个4K x 8位的块，具有I2C兼容的2线串行接口。该设备设计用于低功耗应用，支持低至1.7V的工作电压。它具有32字节的页写缓冲区，可实现高达400kHz的时钟频率，数据保留超过200年，擦写周期超过1百万次。

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型号：24LC08BHT-E/MNY 编号：C2062955

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08BHT-E/MNY 是一种8Kbit Electrically Erasable PROM，具有半阵列写保护功能，支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：24AA32A-I/SM 编号：C1352297

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A是一款32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线串行接口。该设备被组织为一个4Kx8位的单块存储器，支持低功耗应用，具有32字节的页写缓冲区。支持高达100万次擦写周期，数据保留时间超过200年。

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型号：24LC32A/SM 编号：C1352422

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32A是一款32Kbit Electrically Erasable PROM，采用2-wire串行接口，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，适用于低功耗应用。该器件提供多种封装选项，包括PDIP、SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP等。

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型号：24AA52T-I/MNY 编号：C2063983

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA52/24LCS52是一款2Kbit的ElectricallyErasable PROM，支持宽电压范围（1.8V至5.5V）。该设备具有软件写保护功能，可以保护数组的下半部分，并且有一个外部引脚可以用于写保护整个数组。设备组织为一个256字节的块，支持I2C接口。

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型号：24LC32AFT-E/SN 编号：C2062587

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC32AFT-E/SN是一款32Kbit Electrically Erasable PROM，支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有半阵列写保护功能。

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型号：24LC64FT-E/OT 编号：C616246

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的24LC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，支持2.5V至5.5V的工作电压，适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。该设备具有页写功能，最多可写入32字节的数据。

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型号：24LC64F-I/ST 编号：C619689

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线串行接口，支持四分之一阵列写保护。该设备被组织为一个单一的8K x 8位内存块，适用于低功耗应用，如个人通信或数据采集。它支持高达400kHz的时钟频率，并具有长达200年的数据保留时间和超过100万次擦写周期。

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型号：24FC64F-I/ST 编号：C619636

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24FC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线串行接口，支持四分之一阵列写保护。该设备被组织为一个单一的8K x 8位内存块，适用于低功耗应用，如个人通信或数据采集。它支持高达1MHz的时钟频率，并具有长达200年的数据保留时间和超过100万次擦写周期。

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