PROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA01HT-I/ST 编号：C2062707

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01H/24LC01BH 是1Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，适用于低功耗应用。支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有页写保护功能。

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1+
￥1.8106
10+
￥1.4266
30+
￥1.2621
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￥1.0568
500+
￥0.9653
1000+
￥0.9105

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型号：34LC02T-I/ST 编号：C616701

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 34XX02(1) 是一款 2-Kbit 电可擦除 PROM (EEPROM)。该设备具有两个软件写保护功能，可以保护数组的下半部分，以及一个外部引脚，可用于保护整个数组。

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1+
￥1.854
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￥1.4608
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型号：24AA08HT-I/ST 编号：C2062593

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08H/24LC08BH 是一个8Kbit Electrically Erasable PROM，支持I2C接口，具有半阵列写保护功能。它分为四个256 x 8位的内存块，支持低电压操作，最低可达1.7V。

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1+
￥2.1398
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￥1.686
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￥1.4915
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￥1.2489
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￥1.1408
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￥1.076

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型号：24LC08BH-I/ST 编号：C1350815

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08BH是一款8Kbit Electrically Erasable PROM，支持I2C接口，具有半阵列写保护功能。该设备分为四个256 x 8位的存储块，支持2线串行接口，低功耗CMOS技术，支持100 kHz和400 kHz时钟兼容。

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1+
￥2.2338
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￥1.7601
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￥1.5571
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￥1.3038
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￥1.191
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型号：93LC46AT-E/ST 编号：C2062352

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的 93XX46A/B/C 设备是 1Kbit 低电压串行电可擦除PROM（EEPROM）。这些设备支持 128x8 位或 64x16 位组织，具有自定时擦除/写入周期和自动擦除所有功能。

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1+
￥2.3044
10+
￥1.8157
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￥1.6063
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￥1.345
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￥1.2286
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￥1.1588

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型号：93LC56AT-E/ST 编号：C2065542

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93LC56A/B/C 设备是2K位低电压串行电可擦除PROM (EEPROM)。这些设备具有低功耗CMOS技术，支持128x16位组织（B版本）和256x8位组织（A版本）。支持工业和汽车温度范围。

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1+
￥2.56
10+
￥2.02
30+
￥1.78
100+
￥1.49
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

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型号：24C01CT-I/MC 编号：C2062438

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C01C是一款1K位的低功耗CMOS技术串行电可擦除PROM，工作电压范围为4.5V至5.5V。该设备组织为128x8位内存块，具有I2C兼容的2线串行接口。支持高达16字节的数据页写入，写周期时间为1ms。最多可连接8个设备在同一总线上。

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥2.01
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￥1.78
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￥1.49
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￥1.36
1000+
￥1.29

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型号：93AA76CT-I/ST 编号：C2063785

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 93XX76A/B/C 设备是8K位、低电压、串行电可擦除PROM (EEPROM)。这些设备采用低功耗CMOS技术，适用于低功耗、非易失性存储应用。93XX系列提供标准封装，包括8引脚PDIP和SOIC，以及先进的封装，如8引脚MSOP、6引脚SOT-23、8引脚2x3 DFN/TDFN和8引脚TSSOP。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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1+
￥2.89
10+
￥2.27
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￥2.01
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￥1.69
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￥1.54
1000+
￥1.45

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型号：24LC64FT-I/ST 编号：C616613

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 的24LC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM，具有2线串行接口，适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。该设备具有页写功能，最多可写入32字节的数据。

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单价：
￥4.1472 / 个

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型号：24LC21-I/SN 编号：C615207

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC21是一款128 x 8位的电可擦除PROM，设计用于需要存储和串行传输配置和控制信息的应用。支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有低功耗CMOS技术，支持自定时写周期，数据保留时间超过200年。

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1+
￥2.94
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￥2.33
30+
￥2.07
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￥1.74
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￥1.6
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￥1.51

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型号：93AA46AE48-I/SN 编号：C615318

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1 Kbit低压串行电可擦除PROM (EEPROM)，具有8位字长。先进的CMOS技术使其非常适合低功耗、非易失性存储应用。有标准的8引脚SOIC和6引脚SOT-23封装。

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100+
￥2.7664
200+
￥2.717
500+
￥2.6676

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型号：24LC08B-I/ST 编号：C184244

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC08B是一款8Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，支持I2C接口，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为400kHz。具有低功耗特性，支持100万次擦写周期，数据保留时间超过200年。

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5+
￥4.24
50+
￥3.04
150+
￥2.45
500+
￥1.85
2500+
￥1.5
5000+
￥1.32

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型号：IS25WP128-JBLE 编号：C1349162

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

串行闪存存储器提供了一种通用的存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具有高度的灵活性和性能。适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可以配置为多I/O。该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI

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1+
￥23.88
10+
￥20.44
30+
￥18.39
100+
￥16.32
500+
￥15.37
1000+
￥14.94

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型号：24LC1025-I/SM 编号：C84770

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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单价：
￥19.7181 / 个

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型号：24C01C-I/SN 编号：C1349077

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C01C是一款1K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用2线串行接口，组织为一个128×8位的单块存储器。低电流设计允许其工作，最大待机电流和工作电流分别仅为5μA和1mA

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单价：
￥2.3868 / 个

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型号：11AA161T-I/TT 编号：C2064767

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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100+
￥2.7664
200+
￥2.717
500+
￥2.6676

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型号：24LC32AFT-E/ST 编号：C616604

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有I2C接口，支持低电压操作，适用于低功耗应用。

1+
￥3.23
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.89
500+
￥1.72
1000+
￥1.63

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型号：24LC32AF-E/ST 编号：C619681

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

32Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有I2C接口，支持低电压操作，适用于低功耗应用。

1+
￥3.23
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.89
500+
￥1.72
1000+
￥1.63

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型号：25LC010AT-E/MC 编号：C612302

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1-Kbit低功耗CMOS技术串行电可擦除PROM (EEPROM)，通过简单的SPI兼容串行总线访问。

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1+
￥3.42
10+
￥2.77
30+
￥2.44
100+
￥2.11
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：24LC64F-E/ST 编号：C619688

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC64F是一款64Kbit Electrically Erasable PROM (EEPROM)，具有2线串行接口，支持四分之一阵列写保护。该设备被组织为一个单一的8K x 8位内存块，适用于低功耗应用，如个人通信或数据采集。它支持高达400kHz的时钟频率，并具有长达200年的数据保留时间和超过100万次擦写周期。

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单价：
￥4.5144 / 个

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型号：CAV25040YE-GT3 编号：C890493

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25040 是一款 EEPROM 串行 4-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 512x8 位。该器件具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。CAV25040 通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25040 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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单价：
￥2.03712 / 个

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型号：NV25020DTHFT3G 编号：C894138

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI - 汽车级 0 (+150°C) 器件，内部组织为 256x8 位。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 NV250x0 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分保护和全阵列保护。字节级片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。该器件提供了一个附加标识页，可以对其进行永久性写保护。

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单价：
￥2.01252 / 个

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型号：25AA640XT-I/ST 编号：C2062640

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640XT-I/ST 是一款64K位SPI总线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为2MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，8192x8位组织结构，32字节页写保护，数据保留时间超过200年。

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1+
￥4.39
10+
￥3.55
30+
￥3.12
100+
￥2.7
500+
￥2.45
1000+
￥2.32

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型号：IS25LP080D-JBLE 编号：C2940518

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D 和 IS25WP080D/040D/020D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚数量的封装中具备高度的灵活性和出色的性能。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO)、串行时钟 (SCK) 和芯片使能 (CE#) 引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式（请参阅引脚说明）

1+
￥8.37
10+
￥7.03
50+
￥6.29
100+
￥5.45
450+
￥5.08
900+
￥4.91

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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥16.03
10+
￥13.67
30+
￥12.19
100+
￥10.67
500+
￥9.99
1000+
￥9.69

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型号：PN27G01BBGITG 编号：C22435025

封装：BGA-24

品牌：XTX(芯天下)

PN27G01B 是一款单通道 3.3V、1Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

1+
￥18.1
10+
￥15.32
30+
￥13.58
100+
￥11.79
377+
￥10.99
1131+
￥10.64

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型号：CY7C1009D-10VXIT 编号：C1512158

封装：SOJ-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款高性能 CMOS 静态 RAM，其结构为 131,072 个字 x 8 位。低电平有效芯片使能 (CE1(上划线))、高电平有效芯片使能 (CE2)、低电平有效输出使能 (OE(上划线)) 和三态驱动器可轻松实现内存扩展。

1+
￥66.05
10+
￥56.82
30+
￥51.2
100+
￥46.48

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型号：PM25LQ020B-SCE 编号：C411813

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

Pm25LQ512/010/020/040B（512K/1M/2M/4M位）串行闪存为简化引脚封装提供了兼具灵活性与高性能的存储解决方案。“行业标准串行接口”适用于空间、引脚和电源受限的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚在双模式和四模式下还兼作多功能I/O引脚

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1+
￥3.38
10+
￥2.7
30+
￥2.4
100+
￥1.88
500+
￥1.72
1000+
￥1.62

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型号：24C02CT-I/ST 编号：C619942

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C02C是一款2K位串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），其电压范围为4.5V至5.5V。该器件采用单块256×8位存储器结构，配备两线串行接口。低电流设计允许其工作，最大待机电流仅为5μA，最大工作电流仅为1mA

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1+
￥4.72
10+
￥4.62
30+
￥4.56
100+
￥4.49

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型号：24LC256-I/SM 编号：C616136

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32K x 8（256 Kbit）的串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备还具备高达64字节的数据页写入能力，能够在256K边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，提供高达2 Mbit的地址空间。

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