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首页 > 热门关键词 > FRAM存储器芯片
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是一种低功耗、8Mbit的非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它能可靠地保存数据达151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品能以总线速度执行写操作,无写延迟。每字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有显著的写耐久性,能够支持10¹⁵次读写循环,比EEPROM多100亿次写循环
  • 1+

    ¥242.24
  • 10+

    ¥234.07
  • 有货
  • 256k×16非易失性存储器,读写方式与标准SRAM相似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,这意味着断电后数据仍可保留。它可提供超过151年的数据保留时间,同时消除了电池备用SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使F-RAM优于其他类型的存储器
    • 1+

      ¥319.28
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      ¥302.34
  • 有货
  • 是一种铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。 与SRAM不同,无需使用数据备份电池即可保留数据。 非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环,在次数上显著优于其他非易失性存储产品。 写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.71
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      ¥33.01
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      ¥27.39
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    • 1500+

      ¥25.51
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    数据手册
    • 1+

      ¥9.74
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      ¥8.12
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      ¥7.23
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      ¥5.58
  • 订货
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      ¥62.44
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      ¥2.07
  • 订货
  • MR45V256A 是一个非易失性的 32,768 字 x 8 位铁电随机存取存储器 (FeRAM),使用串行外设接口 (SPI) 访问。该设备在写入和读取耐受性方面表现优异,支持 10^12 次写入/读取循环,数据保持时间为 10 年。工作温度范围为 -40 至 85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.875
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      ¥20.125
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      ¥19.6
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      ¥104.18
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      ¥91.92
    • 100+

      ¥85.14
  • 订货
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      ¥5.82
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      ¥4.87
  • 订货
    • 10+

      ¥37.716
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      ¥34.397
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      ¥33.6096
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      ¥33.4476
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      ¥24.53
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      ¥23.08
    • 1000+

      ¥22.43
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,不会产生写延迟
    • 1+

      ¥12.18
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      ¥10.33
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  • 订货
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      ¥15.31
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      ¥14.31
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      ¥12.87
  • 订货
  • FM24W256是一款256-Kbit的铁电随机存取存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺,具有高耐久性(100万亿次读写)和151年的数据保留时间。支持I2C接口,最高频率可达1 MHz,低功耗设计,工作电流100 μA(100 kHz),待机电流15 μA。工作电压范围为2.7 V至5.5 V,工业温度范围为-40℃至+85℃。采用8引脚小外形集成电路(SOIC)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.51
    • 10+

      ¥29.09
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      ¥20.62
    • 970+

      ¥20.06
  • 订货
  • FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
    数据手册
    • 1+

      ¥46.93
    • 10+

      ¥40.37
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      ¥36.38
    • 100+

      ¥33.03
  • 订货
  • 采用先进铁电工艺的256 Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟
    • 30+

      ¥62.035314
    • 100+

      ¥57.343568
    • 1000+

      ¥52.782148
    高性能、4Mbit非易失性存储器,采用先进铁电工艺。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,读写操作类似于RAM。它可实现151年可靠的数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存不同,该产品以总线速度执行写操作,无写延迟。每个字节成功传输到设备后,数据立即写入存储阵列,下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有出色的写耐久性,能够支持10¹⁴次读写循环,比EEPROM多1亿次写循环
    • 1+

      ¥197.91
    • 30+

      ¥187.71
  • 订货
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      ¥8.61
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      ¥7.14
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  • 订货
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      ¥5.08
  • 订货
  • FM25C160B是一款采用先进铁电工艺的16 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F - RAM)是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它能可靠保存数据达151年,同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
    • 1+

      ¥9.11
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  • 订货
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      ¥7.86
  • 订货
    • 1+

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      ¥10.47
  • 订货
  • FM28V020是一款256-Kbit的F-RAM存储器,逻辑上组织为32Kx8。该存储器具有高耐久性读写能力,数据保留时间超过151年,符合RoHS标准。它支持行业标准的32Kx8 SRAM引脚布局,读写操作类似于标准SRAM。适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
    • 1+

      ¥104.34
    • 10+

      ¥101.25
  • 订货
  • 64K(8K × 8bit) SPI接口 1.8V ~ 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.37
    • 10+

      ¥5.18
    • 30+

      ¥5.05
    • 100+

      ¥4.93
  • 订货
    • 1+

      ¥7.63
    • 10+

      ¥7.5
    • 30+

      ¥7.42
    • 100+

      ¥7.33
  • 订货
  • 16-Kbit(2K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.94
    • 10+

      ¥10.35
    • 30+

      ¥9.36
    • 100+

      ¥8.34
    • 500+

      ¥7.88
    • 1500+

      ¥7.68
  • 订货
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      ¥17.49
    • 10+

      ¥17.06
    • 30+

      ¥16.77
    • 100+

      ¥16.49
  • 订货
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