FRAM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 编号：C22044

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V

数据手册

1+
￥5.55
10+
￥4.54
30+
￥4.03
100+
￥3.53
500+
￥3.23
1500+
￥3.08

有货

立即购买

型号：CY15B104Q-SXI 编号：C2759922

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥163.76
10+
￥158.39
30+
￥149.08
100+
￥140.96

有货

立即购买

型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。

数据手册

1+
￥8.42
10+
￥6.98
30+
￥6.18
100+
￥5.28
500+
￥4.88
1000+
￥4.7

有货

立即购买

型号：FM25640B-GTR 编号：C365763

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

数据手册

1+
￥8.9
10+
￥7.42
30+
￥6.62
100+
￥5.7
500+
￥5.3
1000+
￥5.11

有货

立即购买

型号：FM24CL16B-G 编号：C2953561

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

1+
￥10.01
10+
￥8.49
30+
￥7.66
100+
￥6.28
500+
￥5.86

有货

立即购买

型号：FM25V01A-GTR 编号：C2684782

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，具备高耐久性和低功耗特性，适用于需要频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥24.01
10+
￥21
30+
￥19.21
100+
￥15.69

有货

立即购买

型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

数据手册

1+
￥30.84
10+
￥26.56
30+
￥24.01
100+
￥21.43
500+
￥20.24
1500+
￥19.7

有货

立即购买

型号：MB85RS512TPNF-G-JNERE1 编号：C93052

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

512-Kbit(64K × 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 3.6V

数据手册

1+
￥33.21
10+
￥28.7
30+
￥26.03
100+
￥23.32
500+
￥22.07

有货

立即购买

型号：FM25W256-G 编号：C2951286

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是256-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器F-RAM是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

1+
￥39.9
10+
￥34.61
30+
￥31.39
100+
￥28.68

有货

立即购买

型号：MB85RS64VPNF-G-JNERE1 编号：C126731

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS64V是一款8位铁电存储器，采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口，最高工作频率为20 MHz，工作电压范围为3.0 V到5.5 V，工作温度范围为-40 °C到+85 °C。该存储器无需备用电池即可保留数据，写入数据时不需要等待时间。

数据手册

1+
￥8.41
10+
￥7.1
30+
￥6.39
100+
￥5.57
500+
￥4.96
1500+
￥4.8

有货

立即购买

型号：MB85RC64TAPN-G-AMEWE1 编号：C189905

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥8.51
10+
￥7.1
30+
￥6.33
100+
￥5.46
500+
￥5.07

有货

立即购买

型号：FM24C64B-GTR 编号：C914923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口（I2C），最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用，如数据记录和工业控制。

数据手册

50+
￥17.424066
200+
￥15.211486
500+
￥13.310051
1000+
￥11.201185

我要订货

型号：FM24V01A-GTR 编号：C2759930

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压，写入速度更快，功耗更低。

数据手册

1+
￥18.85
10+
￥15.79
30+
￥13.87
100+
￥11.91

有货

立即购买

型号：FM25V02A-G 编号：C2953568

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥21.18
10+
￥18.35
30+
￥16.04
100+
￥14.34

有货

立即购买

型号：MB85RS64TPNF-G-JNERE2 编号：C189810

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作，相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，也无需等待时间。

数据手册

1+
￥9.11
10+
￥7.62
30+
￥6.8
100+
￥5.88

有货

立即购买

型号：MB85RC128APNF-G-JNERE1 编号：C126727

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环，在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥15.44
10+
￥13.24
30+
￥11.87

有货

立即购买

型号：CY15B064J-SXET 编号：C2953071

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。可提供121年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

1+
￥18.2695 ￥29.95
10+
￥13.1427 ￥25.77
30+
￥9.5448 ￥23.28
100+
￥8.5116 ￥20.76
500+
￥8.036 ￥19.6
1000+
￥7.8228 ￥19.08

有货

立即购买

型号：MB85RC1MTPNF-G-AMERE2 编号：C44996836

封装：SOP-8_150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

1+
￥32.38
10+
￥27.84
30+
￥25.15
100+
￥22.42
500+
￥21.16

有货

立即购买

型号：MB85RS128BPNF-G-JNERE1 编号：C126732

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）需要备用电池不同，MB85RS128B无需备用电池即可保留数据

数据手册

1+
￥13.08
10+
￥10.97
30+
￥9.65

有货

立即购买

型号：CY15B064Q-SXET 编号：C2062862

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B064Q是一款采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题

数据手册

1+
￥26.03
10+
￥22.28
30+
￥20.05

有货

立即购买

型号：FM25040B-GTR 编号：C55327

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25040B是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，逻辑上组织为512×8。它采用先进的铁电工艺，提供高耐久性和快速写入能力，支持高达20 MHz的时钟频率。

数据手册

1+
￥9.77
10+
￥8.24
30+
￥7.4

有货

立即购买

型号：FM24V02A-G 编号：C2953710

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

采用先进铁电工艺的256-Kbit非易失性存储器。F-RAM是非易失性的，读写操作类似于RAM。它能可靠保留数据151年，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

数据手册

1+
￥19.428 ￥64.76
10+
￥12.952 ￥64.76
30+
￥6.476 ￥64.76

有货

立即购买

型号：MB85RS64TPNF-G-AMERE2 编号：C47818333

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

1+
￥6.97
10+
￥5.83
30+
￥5.2
100+
￥4.49
500+
￥4.18

有货

立即购买

型号：FM25V02A-DGQ 编号：C22443251

封装：DFN-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥56.97
10+
￥55.73
30+
￥54.9

有货

立即购买

型号：FM24V05-G 编号：C2953685

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款采用先进铁电工艺的512 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达151年，同时避免了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题

1+
￥59.59 ￥119.18
10+
￥47.672 ￥119.18
30+
￥35.754 ￥119.18

有货

立即购买

型号：FM25V20A-DGTR 编号：C2952834

封装：WDFN-8-EP

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

2-Mbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟