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首页 > 热门关键词 > FRAM存储器芯片
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16-Kbit 串行 F-RAM
型号：FM24CL16B-G 编号：C2953561
封装：SOIC-8
品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

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    FM22L16-55-TG
    型号：FM22L16-55-TG 编号：C66024
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM，支持页模式操作，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。
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    128-Kbit 串行 F-RAM
    型号：FM25V01A-GTR 编号：C2684782
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，具备高耐久性和低功耗特性，适用于需要频繁写入的应用场景。
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    256-Kbit F-RAM 存储器
    型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。
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    CY15B104Q-SXI
    型号：CY15B104Q-SXI 编号：C2759922
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。
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    FM24C16B-GTR
    型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。
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    FM24C64B-GTR
    型号：FM24C64B-GTR 编号：C914923
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口（I2C），最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用，如数据记录和工业控制。
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    MB85RC256VPNF-G-AMERE2
    型号：MB85RC256VPNF-G-AMERE2 编号：C45273903
    封装：SOP-8-150mil
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538

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    MB85RS64VPNF-G-JNERE1
    型号：MB85RS64VPNF-G-JNERE1 编号：C126731
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RS64V是一款8位铁电存储器，采用铁电工艺和硅门CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。它支持SPI接口，最高工作频率为20 MHz，工作电压范围为3.0 V到5.5 V，工作温度范围为-40 °C到+85 °C。该存储器无需备用电池即可保留数据，写入数据时不需要等待时间。
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    FM25V02A-G
    型号：FM25V02A-G 编号：C2953568
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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    64-Kbit 串行 (I2C) 汽车用 F-RAM
    型号：CY15B064J-SXET 编号：C2953071
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。可提供121年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

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    MB85RS64TPNF-G-JNERE2
    型号：MB85RS64TPNF-G-JNERE2 编号：C189810
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)。无需像SRAM那样使用备用电池即可保留数据。存储单元可进行10¹³次读写操作，相较于闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。写入数据时不像闪存或E²PROM那样需要很长时间，也无需等待时间。
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    128 K (16 K × 8) Bit I2C FRAM 存储器
    型号：MB85RC128APNF-G-JNERE1 编号：C126727
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    是一种铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，配置为 16,384 字 × 8 位，采用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。与 SRAM 不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少 10¹² 次循环，在次数上明显优于闪存和 E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或 E²PROM 那样的轮询序列。
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    MB85RC1MTPNF-G-AMERE2
    型号：MB85RC1MTPNF-G-AMERE2 编号：C44996836
    封装：SOP-8_150mil
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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    MB85RS512TPNF-G-JNERE1
    型号：MB85RS512TPNF-G-JNERE1 编号：C93052
    封装：SOIC-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    512-Kbit(64K × 8bit)，SPI接口，工作电压：1.8V to 3.6V
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    FM25040B-GTR
    型号：FM25040B-GTR 编号：C55327
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25040B是一款4Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，逻辑上组织为512×8。它采用先进的铁电工艺，提供高耐久性和快速写入能力，支持高达20 MHz的时钟频率。
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      ￥13.06

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    FM25W256-G
    型号：FM25W256-G 编号：C2951286
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    是256-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器F-RAM是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

    • 1+

      ￥31.3

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      ￥26.73

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      ￥24.02
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    MB85RS16NPNF-G-JNERE1
    型号：MB85RS16NPNF-G-JNERE1 编号：C190128
    封装：SOIC-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.6V
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    FM33256B-GTR
    型号：FM33256B-GTR 编号：C66028
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    256-Kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V
    数据手册

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      ￥69.972

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      ￥63.833

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    FM25V20A-DGTR
    型号：FM25V20A-DGTR 编号：C2952834
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    2-Mbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

    • 1+

      ￥75.41

    • 10+

      ￥64.79

    • 30+

      ￥58.33
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    4-Kbit串行F-RAM
    型号：FM25L04B-GTR 编号：C66018
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。
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    MB85RS128BPNF-G-JNERE1
    型号：MB85RS128BPNF-G-JNERE1 编号：C126732
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RS128B是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS128B采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）需要备用电池不同，MB85RS128B无需备用电池即可保留数据
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    MR45V032AMAZBATL
    型号：MR45V032AMAZBATL 编号：C2062077
    封装：SOP-8
    品牌：ROHM(罗姆)
    MR45V032A 是一个非易失性的 4.096-word x 8-bit 铁电随机存取存储器 (FeRAM)，采用铁电工艺和硅门CMOS技术。该设备通过串行外设接口 (SPI) 访问，具有单电源供电（2.7V~3.6V）、15MHz的工作频率、10年的数据保留时间和扩展温度范围（-40°C~85°C）。它适用于各种需要高写入/读取耐久性的应用。
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      ￥13.8331 ￥32.17

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    MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 停产
    型号：MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126730
    封装：SOP-8
    品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)
    MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。
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    CY15E004Q-SXET
    型号：CY15E004Q-SXET 编号：C2953348
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15E004Q 是一款4-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，采用512×8的组织方式。它使用先进的铁电工艺，提供高耐久性和低功耗。支持高达20 MHz的SPI接口，适用于汽车级应用。

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    CY15B064Q SXET
    型号：CY15B064Q-SXET 编号：C2062862
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    CY15B064Q是一款采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题
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    CY15B064Q-SXET
    型号：CY15B064Q-SXET 编号：C22442778
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用先进铁电工艺的64 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。它可提供121年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

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    FM24V05-G
    型号：FM24V05-G 编号：C2953685
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM24V05是一款采用先进铁电工艺的512 Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达151年，同时避免了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题

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    FM25V20A-DGQ
    型号：FM25V20A-DGQ 编号：C2953941
    封装：WDFN-8-EP
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    FM25V20A是一款2-Mbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，组织为256K×8。它采用先进的铁电工艺，提供高达10万亿次读写操作的高耐久性和121年的数据保留时间。该器件支持最高33 MHz的SPI接口，具有低功耗特性，支持扩展温度范围（-40°C至+105°C）。

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    FM24C04B-G
    型号：FM24C04B-G 编号：C2953577
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
    采用先进铁电工艺的4K位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作类似于RAM。可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟
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